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分立半导体
数据表
PHP1025
P沟道增强模式
MOS晶体管
客观的特定网络阳离子
在分离式半导体， SC13b文件
1998年02月18日
飞利浦半导体
客观的特定网络阳离子
P沟道增强模式
MOS晶体管
特点
非常低R
DSON
在低门槛
高速开关
无二次击穿
直接连接C-MOS ， TTL等。
应用
电源管理
DC- DC转换器
通用开关。
描述
在一个8管脚P沟道增强型MOS晶体管
SOT96-1 （ SO8 ） SMD塑料包装。
小心
该器件采用防静电包装中提供。
栅源输入必须加以保护，防止静电
运输或装卸过程中排出。
1
顶视图
4
MAM398
PHP1025
钉扎 - SOT96-1 （ SO8 ）
针
1
2
3
4
5
6
7
8
符号
s
s
s
g
d
d
d
d
来源
来源
来源
门
漏
漏
漏
漏
描述
手册， halfpage
8
5
d
g
s
Fig.1简化外形和符号。
快速参考数据
符号
V
DS
V
SD
V
GSO
V
gsth
I
D
R
DSON
P
合计
参数
漏极 - 源极电压（直流）
源极 - 漏极二极管正向电压
栅极 - 源极电压（直流）
门源阈值电压
漏电流（ DC ）
漏源导通电阻
总功耗
I
S
=
1.25
A; V
GD
= 0
漏极开路
I
D
=
1
毫安; V
DS
= V
GS
T
s
= 80
°C
I
D
=
5
A; V
GS
=
2.5
V
T
s
= 80
°C
条件
0.4
分钟。
马克斯。
12
1.3
±8
10
25
4
V
V
V
V
A
m
W
单位
1998年02月18日
2
飞利浦半导体
客观的特定网络阳离子
P沟道增强模式
MOS晶体管
极限值
按照绝对最大额定值系统（ IEC 134 ） 。
符号
V
DS
V
GSO
I
D
I
DM
P
合计
参数
漏极 - 源极电压（直流）
栅极 - 源极电压（直流）
漏电流（ DC ）
峰值漏极电流
总功耗
漏极开路
T
s
= 80
°C;
注1
注2
T
s
= 80
°C
T
AMB
= 25
°C;
注3
T
AMB
= 25
°C;
注4
T
英镑
T
j
I
S
I
SM
笔记
1. T
s
是在漏极引线的焊接点的温度。
2.脉冲宽度和占空比限制的最高结温。
3.器件安装在印刷电路板带有R
TH A- TP
（环境，以配合点）的27.5 K / W 。
4.设备安装在印刷电路板带有R
TH A- TP
（环境，以配合点） 90 K / W 。
热特性
符号
R
第j个-S
参数
热阻结到焊接点
储存温度
工作结温
T
s
= 80
°C
注2
条件
55
55
分钟。
PHP1025
马克斯。
12
±8
10
40
4
2.78
1.16
+150
+150
3
12
V
V
A
A
单位
W
W
W
°C
°C
源极 - 漏极二极管
源电流（ DC）的
峰值脉冲电流源
A
A
价值
17.5
单位
K / W
1998年02月18日
3
飞利浦半导体
客观的特定网络阳离子
P沟道增强模式
MOS晶体管
特征
T
j
= 25
°C
除非另有规定ED 。
符号
V
（ BR ） DSS
V
gsth
I
DSS
I
GSS
R
DSON
参数
漏源击穿电压
门源阈值电压
漏极 - 源极漏电流
栅极漏电流
漏源导通电阻
条件
V
GS
= 0; I
D
=
10 A
V
GS
= V
DS
; I
D
=
1
mA
V
GS
= 0; V
DS
=
9.6
V
V
GS
=
±8
V; V
DS
= 0
V
GS
=
4.5
V ;我
D
=
5
A
V
GS
=
2.5
V ;我
D
=
5
A
V
GS
=
1.8
V ;我
D
=
2.5
A
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
Q
G
Q
GS
Q
GD
输入电容
输出电容
反向传输电容
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
分钟。
12
0.4
典型值。
TBF
TBF
TBF
TBF
TBF
TBF
PHP1025
马克斯。
100
±100
23
25
29
单位
V
V
nA
nA
m
m
m
pF
pF
pF
pC
pC
pC
V
GS
= 0; V
DS
=
9.6
V ; F = 1 MHz的
V
GS
= 0; V
DS
=
9.6
V ; F = 1 MHz的
V
GS
= 0; V
DS
=
9.6
V ; F = 1 MHz的
V
GS
=
6
V; V
DD
=
6
V;
I
D
=
5
A;吨
AMB
= 25
°C
V
DD
=
6
V ;我
D
=
5
A
T
AMB
= 25
°C
V
DD
=
6
V ;我
D
=
5
A
T
AMB
= 25
°C
V
GS
= 0到
6
V; V
DD
=
6
V;
I
D
=
1
A;
根
= 6
V
GS
=
6
为0 V ; V
DD
=
6
V;
I
D
=
1
A;
根
= 6
开关时间
t
D（上）
t
f
t
on
t
D（关闭）
t
r
t
关闭
V
SD
t
rr
导通延迟时间
下降时间
导通开关时间
打开-O FF延迟时间
上升时间
关断开关时间
源极 - 漏极二极管的正向电压V
GD
= 0; I
S
=
1.25
A
反向恢复时间
I
S
=
1.25
A;的di / dt = 100 A / μs的
TBF
TBF
TBF
TBF
TBF
TBF
TBF
1.3
ns
ns
ns
ns
ns
ns
源极 - 漏极二极管
V
ns
1998年02月18日
4
飞利浦半导体
客观的特定网络阳离子
P沟道增强模式
MOS晶体管
包装外形
SO8 ：塑料小外形封装; 8线索;体宽3.9毫米
PHP1025
SOT96-1
D
E
A
X
c
y
H
E
v
M
A
Z
8
5
Q
A
2
A
1
PIN 1 INDEX
θ
L
p
1
e
b
p
4
w
M
L
细节X
(A
3
)
A
0
2.5
规模
5 mm
尺寸（英寸尺寸是从原始的毫米尺寸得到）
单位
mm
英寸
A
马克斯。
1.75
0.069
A
1
0.25
0.10
A
2
1.45
1.25
A
3
0.25
0.01
b
p
0.49
0.36
c
0.25
0.19
D
(1)
5.0
4.8
0.20
0.19
E
(2)
4.0
3.8
0.16
0.15
e
1.27
0.050
H
E
6.2
5.8
L
1.05
L
p
1.0
0.4
Q
0.7
0.6
v
0.25
0.01
w
0.25
0.01
y
0.1
0.004
Z
(1)
0.7
0.3
0.028
0.012
θ
0.010 0.057
0.004 0.049
0.019 0.0100
0.014 0.0075
0.244
0.039 0.028
0.041
0.228
0.016 0.024
8
0
o
o
笔记
不包括1.塑料或金属的每一侧0.15毫米最大突起。
不包括2.塑料或金属的每一侧0.25毫米最大突起。
概要
VERSION
SOT96-1
参考文献：
IEC
076E03S
JEDEC
MS-012AA
EIAJ
欧洲
投影
发行日期
95-02-04
97-05-22
1998年02月18日
5
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