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位置：首页 > IC型号导航 > 首字符P型号页 > 首字符P的型号第1175页 > PHP101NQ03LT
PHP/PHU101NQ03LT
的TrenchMOS 逻辑电平FET
牧师02 - 2003年2月25日
产品数据
1.描述
N沟道逻辑电平连接的场效电源在一个塑料包装使用的晶体管
的TrenchMOS 技术。
产品可用性：
PHP101NQ03LT在SOT78 （ TO- 220AB ）
PHU101NQ03LT在SOT533 （ I- PAK ） 。
2.特点
s
低栅电荷
s
低通态电阻。
3.应用
s
优化的作为控制用FET的直流到直流转换器。
4.管脚信息
表1：
穿针 - SOT78 ， SOT533简化的外形和符号
简化的轮廓
mb
引脚说明
1
2
3
mb
栅极（G ）
符号
d
漏极（四）
源极（S ）
安装基座
连接到漏极（D）
g
s
MBB076
MBK106
1
顶视图
2
3
MBK915
1 2 3
SOT78 （ TO- 220AB ）
SOT533 （ I- PAK ）
飞利浦半导体
PHP/PHU101NQ03LT
的TrenchMOS 逻辑电平FET
5.快速参考数据
表2：
V
DS
I
D
P
合计
T
j
R
DSON
快速参考数据
条件
25
°C ≤
T
j
≤
175
°C
T
mb
= 25
°C;
V
GS
= 5 V
T
mb
= 25
°C
T
j
= 25
°C;
V
GS
= 10 V ;我
D
= 25 A
T
j
= 25
°C;
V
GS
= 5 V ;我
D
= 25 A
典型值
-
-
-
-
4.5
5.8
最大
30
75
166
175
5.5
7.0
单位
V
A
W
°C
m
m
漏极 - 源极电压（直流）
漏电流（ DC ）
总功耗
结温
漏源导通电阻
符号参数
6.极限值
表3 ：限制值
按照绝对最大额定值系统（ IEC 60134 ） 。
符号参数
V
DS
V
DGR
V
GS
V
GSM
I
D
I
DM
P
合计
T
英镑
T
j
I
S
I
SM
漏极 - 源极电压（直流）
漏极 - 栅极电压（直流）
栅极 - 源极电压（直流）
栅源电压
漏电流（ DC ）
峰值漏极电流
总功耗
储存温度
结温
源（二极管的正向）直流（DC ）笔
mb
= 25
°C
峰源（二极管正向）电流T
mb
= 25
°C;
脉冲;吨
p
≤
10
s
非钳位感性负载;我
D
= 43 A;
t
p
= 0.19毫秒; V
DD
≤
15 V ;
GS
= 50
;
V
GS
= 10 V ;起始物为
j
= 25
°C
t
p
≤
50
s;
脉冲;
占空比25％ ;牛逼
j
≤
150
°C
T
mb
= 25
°C;
V
GS
= 5 V;
图2
和
3
T
mb
= 100
°C;
V
GS
= 5 V;
图2
T
mb
= 25
°C;
脉冲;吨
p
≤
10
s;
科幻gure 3
T
mb
= 25
°C;
图1
条件
25
°C ≤
T
j
≤
175
°C
25
°C ≤
T
j
≤
175
°C;
R
GS
= 20 k
民
-
-
-
-
-
-
-
-
55
55
-
-
-
最大
30
30
±20
±25
75
75
240
166
+175
+175
75
240
185
单位
V
V
V
V
A
A
A
W
°C
°C
A
A
mJ
源极 - 漏极二极管
雪崩耐用性
E
DS （ AL ）S
非重复性的漏极 - 源极
雪崩能量
9397 750 10927
皇家飞利浦电子有限公司2003年版权所有。
产品数据
牧师02 - 2003年2月25日
2 13
飞利浦半导体
PHP/PHU101NQ03LT
的TrenchMOS 逻辑电平FET
120
PDER
(%)
80
03aa16
120
伊德尔
(%)
80
03ai19
40
40
0
0
50
100
150
200
TMB （
°
C)
0
0
50
100
150
200
TMB （
°
C)
P
合计
P
DER
=
----------------------
×
100%
P
°
合计
(
25 C
)
I
D
I
DER
=
------------------
×
100%
-
I
°
D
(
25 C
)
看图1，归一化的总功耗为
功能安装基座的温度。
图2.归连续漏极电流为
功能安装基座的温度。
103
ID
(A)
03ai21
限制导通电阻= VDS / ID
TP = 10
s
100
s
102
DC
10
1毫秒
10毫秒
1
1
10
VDS （ V）
102
T
mb
= 25
°C;
I
DM
是单脉冲; V
GS
= 10V.
图3.安全工作区;连续和峰值漏电流与漏 - 源极电压的函数。
9397 750 10927
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飞利浦半导体
PHP/PHU101NQ03LT
的TrenchMOS 逻辑电平FET
7.热特性
表4：
R
日（ J- MB ）
R
号（j -a）的
热特性
条件
最小典型最大单位
-
-
-
-
60
70
0.9
-
-
K / W
K / W
K / W
从结热阻安装基座
图4
从结点到环境的热阻
SOT78
SOT533
垂直静止空气中
垂直静止空气中
符号参数
7.1瞬态热阻抗
10
第Z （ J- MB ）
（K / W）
1
δ
= 0.5
0.2
10-1
0.1
0.05
0.02
P
10-2
单脉冲
tp
T
10-3
10-5
10-4
10-3
10-2
10-1
03ai20
δ
=
tp
T
t
TP （多个）
1
图4.瞬态从结的热阻抗，以安装基座的脉冲持续时间的函数。
9397 750 10927
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产品数据
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飞利浦半导体
PHP/PHU101NQ03LT
的TrenchMOS 逻辑电平FET
8.特点
表5 ：性质
T
j
= 25
°
C除非另有规定编
符号参数
静态特性
V
（ BR ） DSS
漏源击穿电压
I
D
= 0.25毫安; V
GS
= 0 V
T
j
= 25
°C
T
j
=
55 °C
V
GS （ TH）
门源阈值电压
I
D
= 1毫安; V
DS
= V
GS
;
图9
T
j
= 25
°C
T
j
= 175
°C
T
j
=
55 °C
I
DSS
漏极 - 源极漏电流
V
DS
= 30 V; V
GS
= 0 V
T
j
= 25
°C
T
j
= 175
°C
I
GSS
R
DSON
栅极 - 源极漏电流
漏源导通电阻
V
GS
=
±20
V; V
DS
= 0 V
V
GS
= 5 V ;我
D
= 25 A;
图7
和
8
T
j
= 25
°C
T
j
= 175
°C
V
GS
= 10 V ;我
D
= 25 A;
图7
T
j
= 25
°C
动态特性
Q
G（ TOT ）
Q
gs
Q
gd
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
V
SD
t
rr
Q
r
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极（米勒）电荷
输入电容
输出电容
反向传输电容
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
源极 - 漏极（二极管的正向）电压余
S
= 25 A; V
GS
= 0 V;
图12
反向恢复时间
恢复电荷
I
S
= 10 A;迪
S
/ DT =
100
A / μs的; V
GS
= 0 V
V
DD
= 15 V ;我
D
= 25 A;
V
GS
= 4.5 V ;
G
= 5.6
V
GS
= 0 V; V
DS
= 25 V ; F = 1兆赫;
图11
I
D
= 50 A; V
DD
= 15 V; V
GS
= 5 V;
图13
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
23
10.5
8
600
225
23
90
37
33
0.85
37
33
-
-
-
-
-
-
-
-
-
1.2
-
-
nC
nC
nC
pF
pF
pF
ns
ns
ns
ns
V
ns
nC
-
4.5
5.5
m
-
-
5.8
10.5
7
12.6
m
m
-
-
-
0.05
-
10
1
500
100
A
A
nA
1
0.6
-
1.9
-
-
2.5
-
2.9
V
V
V
30
27
-
-
-
-
V
V
条件
民
典型值
最大
单位
2180 -
源极 - 漏极二极管
9397 750 10927
皇家飞利浦电子有限公司2003年版权所有。
产品数据
牧师02 - 2003年2月25日
5 13
PHP101NQ03LT
N沟道的TrenchMOS逻辑电平FET
牧师04 - 2009年3月2日
产品数据表
1.产品廓
1.1概述
逻辑电平N沟道增强型场效应晶体管（ FET）在一个塑料
包装用的TrenchMOS技术。本产品的设计和合格的使用
计算，通信，消费电子和唯一的工业应用。
1.2特点和优点
低导通损耗是由于低
导通状态电阻
由于要求低的简单栅极驱动
栅极电荷
适用于逻辑电平栅极驱动
来源
1.3应用
的DC- DC转换器
1.4快速参考数据
表1中。
V
DS
I
D
P
合计
快速参考
条件
T
mb
= 25 ℃; V
GS
= 10 V;
SEE
图1 ;
SEE
科幻gure 3
T
mb
= 25°C ;看
图2
民
-
-
-
典型值
-
-
-
最大
30
75
166
单位
V
A
W
漏 - 源电压
j
≥
25 ℃;牛逼
j
≤
175 °C
漏电流
总功率
耗散
栅极 - 漏极电荷
符号参数
动态特性
Q
GD
V
GS
= 5 V ;我
D
= 50 A;
V
DS
= 15 V ;牛逼
j
= 25 °C;
SEE
图11
V
GS
= 10 V ;我
D
= 25 A;
T
j
= 25°C ;看
图9 ;
SEE
图10
-
8
-
nC
静态特性
R
DSON
漏源
导通状态电阻
-
4.5
5.5
m
恩智浦半导体
PHP101NQ03LT
N沟道的TrenchMOS逻辑电平FET
2.管脚信息
表2中。
针
1
2
3
mb
管脚信息
符号
G
D
S
D
描述
门
漏
来源
安装底座;连接
漏
mb
D
简化的轮廓
图形符号
G
mbb076
S
1 2 3
SOT78
（ TO- 220AB ， SC- 46 ）
3.订购信息
表3中。
订购信息
类型编号
包
名字
描述
PHP101NQ03LT TO- 220AB ; SC- 46塑料单端封装;散热器安装; 1安装孔;
3引脚TO- 220AB
VERSION
SOT78
PHP101NQ03LT_4
NXP B.V. 2009保留所有权利。
产品数据表
牧师04 - 2009年3月2日
2 13
恩智浦半导体
PHP101NQ03LT
N沟道的TrenchMOS逻辑电平FET
4.极限值
表4 。
符号
V
DS
V
DGR
V
GS
I
D
极限值
参数
漏源电压
漏极 - 栅极电压
栅源电压
漏电流
V
GS
= 10 V ;牛逼
mb
= 100 ℃;看
图1
V
GS
= 10 V ;牛逼
mb
= 25°C ;看
图1 ;
SEE
科幻gure 3
I
DM
P
合计
T
英镑
T
j
V
GSM
I
S
I
SM
E
DS （ AL ）S
峰值漏极电流
总功耗
储存温度
结温
峰值栅极 - 源极电压
源出电流
峰源电流
不重复
漏源雪崩
能源
脉冲;
δ
= 25 %; t
p
≤
50微秒;牛逼
j
≤
150 °C
T
mb
= 25 °C
t
p
≤
10微秒;脉冲;牛逼
mb
= 25 °C
V
GS
= 10 V ;牛逼
J（下INIT ）
= 25°C ;我
D
= 43 A;
V
SUP
≤
15 V ;松开;吨
p
= 0.19毫秒;
R
GS
= 50
t
p
≤
10微秒;脉冲;牛逼
mb
= 25°C ;看
科幻gure 3
T
mb
= 25°C ;看
图2
条件
T
j
≥
25 ℃;牛逼
j
≤
175 °C
T
j
≥
25 ℃;牛逼
j
≤
175 ℃;
GS
= 20 k
民
-
-
-20
-
-
-
-
-55
-55
-25
-
-
-
最大
30
30
20
75
75
240
166
175
175
25
75
240
185
单位
V
V
V
A
A
A
W
°C
°C
V
A
A
mJ
按照绝对最大额定值系统（ IEC 60134 ） 。
源极 - 漏极二极管
雪崩耐用性
120
I
DER
(%)
80
03ai19
120
P
DER
(%)
80
03aa16
40
40
0
0
50
100
150
200
T
mb
(°C)
0
0
50
100
150
T
mb
(°C)
200
图1 。
标准化的连续漏极电流为
的安装基座温度功能
图2 。
归一化的总功耗为
的安装基座温度功能
PHP101NQ03LT_4
NXP B.V. 2009保留所有权利。
产品数据表
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3 13
恩智浦半导体
PHP101NQ03LT
N沟道的TrenchMOS逻辑电平FET
10
3
I
D
(A)
性限R
DSON
= V
DS
/ I
D
t
p
= 10
μ
s
100
μ
s
03ai21
10
2
DC
10
1毫秒
10毫秒
1
1
10
V
DS
(V)
10
2
图3 。
安全工作区;连续和峰值漏电流与漏源电压的函数
PHP101NQ03LT_4
NXP B.V. 2009保留所有权利。
产品数据表
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恩智浦半导体
PHP101NQ03LT
N沟道的TrenchMOS逻辑电平FET
5.热特性
表5 。
符号
R
号（j -a）的
R
日（ J- MB ）
热特性
参数
热阻结到
安装底座
条件
SEE
图4
民
-
-
典型值
60
-
最大
-
0.19
单位
K / W
K / W
从结点到环境的热阻垂直于自由空气
10
Z
日（ J- MB ）
（K / W）
1
δ
= 0.5
0.2
10
-1
03ai20
0.1
0.05
0.02
P
δ
=
t
p
T
10
-2
单脉冲
t
p
T
t
10
-3
10
-5
10
-4
10
-3
10
-2
10
-1
t
p
(s)
1
图4 。
从结点作为脉冲持续时间的函数的瞬态热阻抗安装基座
PHP101NQ03LT_4
NXP B.V. 2009保留所有权利。
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PHP/PHU101NQ03LT
的TrenchMOS 逻辑电平FET
牧师02 - 2003年2月25日
产品数据
1.描述
N沟道逻辑电平连接的场效电源在一个塑料包装使用的晶体管
的TrenchMOS 技术。
产品可用性：
PHP101NQ03LT在SOT78 （ TO- 220AB ）
PHU101NQ03LT在SOT533 （ I- PAK ） 。
2.特点
s
低栅电荷
s
低通态电阻。
3.应用
s
优化的作为控制用FET的直流到直流转换器。
4.管脚信息
表1：
穿针 - SOT78 ， SOT533简化的外形和符号
简化的轮廓
mb
引脚说明
1
2
3
mb
栅极（G ）
符号
d
漏极（四）
源极（S ）
安装基座
连接到漏极（D）
g
s
MBB076
MBK106
1
顶视图
2
3
MBK915
1 2 3
SOT78 （ TO- 220AB ）
SOT533 （ I- PAK ）
飞利浦半导体
PHP/PHU101NQ03LT
的TrenchMOS 逻辑电平FET
5.快速参考数据
表2：
V
DS
I
D
P
合计
T
j
R
DSON
快速参考数据
条件
25
°C ≤
T
j
≤
175
°C
T
mb
= 25
°C;
V
GS
= 5 V
T
mb
= 25
°C
T
j
= 25
°C;
V
GS
= 10 V ;我
D
= 25 A
T
j
= 25
°C;
V
GS
= 5 V ;我
D
= 25 A
典型值
-
-
-
-
4.5
5.8
最大
30
75
166
175
5.5
7.0
单位
V
A
W
°C
m
m
漏极 - 源极电压（直流）
漏电流（ DC ）
总功耗
结温
漏源导通电阻
符号参数
6.极限值
表3 ：限制值
按照绝对最大额定值系统（ IEC 60134 ） 。
符号参数
V
DS
V
DGR
V
GS
V
GSM
I
D
I
DM
P
合计
T
英镑
T
j
I
S
I
SM
漏极 - 源极电压（直流）
漏极 - 栅极电压（直流）
栅极 - 源极电压（直流）
栅源电压
漏电流（ DC ）
峰值漏极电流
总功耗
储存温度
结温
源（二极管的正向）直流（DC ）笔
mb
= 25
°C
峰源（二极管正向）电流T
mb
= 25
°C;
脉冲;吨
p
≤
10
s
非钳位感性负载;我
D
= 43 A;
t
p
= 0.19毫秒; V
DD
≤
15 V ;
GS
= 50
;
V
GS
= 10 V ;起始物为
j
= 25
°C
t
p
≤
50
s;
脉冲;
占空比25％ ;牛逼
j
≤
150
°C
T
mb
= 25
°C;
V
GS
= 5 V;
图2
和
3
T
mb
= 100
°C;
V
GS
= 5 V;
图2
T
mb
= 25
°C;
脉冲;吨
p
≤
10
s;
科幻gure 3
T
mb
= 25
°C;
图1
条件
25
°C ≤
T
j
≤
175
°C
25
°C ≤
T
j
≤
175
°C;
R
GS
= 20 k
民
-
-
-
-
-
-
-
-
55
55
-
-
-
最大
30
30
±20
±25
75
75
240
166
+175
+175
75
240
185
单位
V
V
V
V
A
A
A
W
°C
°C
A
A
mJ
源极 - 漏极二极管
雪崩耐用性
E
DS （ AL ）S
非重复性的漏极 - 源极
雪崩能量
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飞利浦半导体
PHP/PHU101NQ03LT
的TrenchMOS 逻辑电平FET
120
PDER
(%)
80
03aa16
120
伊德尔
(%)
80
03ai19
40
40
0
0
50
100
150
200
TMB （
°
C)
0
0
50
100
150
200
TMB （
°
C)
P
合计
P
DER
=
----------------------
×
100%
P
°
合计
(
25 C
)
I
D
I
DER
=
------------------
×
100%
-
I
°
D
(
25 C
)
看图1，归一化的总功耗为
功能安装基座的温度。
图2.归连续漏极电流为
功能安装基座的温度。
103
ID
(A)
03ai21
限制导通电阻= VDS / ID
TP = 10
s
100
s
102
DC
10
1毫秒
10毫秒
1
1
10
VDS （ V）
102
T
mb
= 25
°C;
I
DM
是单脉冲; V
GS
= 10V.
图3.安全工作区;连续和峰值漏电流与漏 - 源极电压的函数。
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飞利浦半导体
PHP/PHU101NQ03LT
的TrenchMOS 逻辑电平FET
7.热特性
表4：
R
日（ J- MB ）
R
号（j -a）的
热特性
条件
最小典型最大单位
-
-
-
-
60
70
0.9
-
-
K / W
K / W
K / W
从结热阻安装基座
图4
从结点到环境的热阻
SOT78
SOT533
垂直静止空气中
垂直静止空气中
符号参数
7.1瞬态热阻抗
10
第Z （ J- MB ）
（K / W）
1
δ
= 0.5
0.2
10-1
0.1
0.05
0.02
P
10-2
单脉冲
tp
T
10-3
10-5
10-4
10-3
10-2
10-1
03ai20
δ
=
tp
T
t
TP （多个）
1
图4.瞬态从结的热阻抗，以安装基座的脉冲持续时间的函数。
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飞利浦半导体
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的TrenchMOS 逻辑电平FET
8.特点
表5 ：性质
T
j
= 25
°
C除非另有规定编
符号参数
静态特性
V
（ BR ） DSS
漏源击穿电压
I
D
= 0.25毫安; V
GS
= 0 V
T
j
= 25
°C
T
j
=
55 °C
V
GS （ TH）
门源阈值电压
I
D
= 1毫安; V
DS
= V
GS
;
图9
T
j
= 25
°C
T
j
= 175
°C
T
j
=
55 °C
I
DSS
漏极 - 源极漏电流
V
DS
= 30 V; V
GS
= 0 V
T
j
= 25
°C
T
j
= 175
°C
I
GSS
R
DSON
栅极 - 源极漏电流
漏源导通电阻
V
GS
=
±20
V; V
DS
= 0 V
V
GS
= 5 V ;我
D
= 25 A;
图7
和
8
T
j
= 25
°C
T
j
= 175
°C
V
GS
= 10 V ;我
D
= 25 A;
图7
T
j
= 25
°C
动态特性
Q
G（ TOT ）
Q
gs
Q
gd
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
V
SD
t
rr
Q
r
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极（米勒）电荷
输入电容
输出电容
反向传输电容
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
源极 - 漏极（二极管的正向）电压余
S
= 25 A; V
GS
= 0 V;
图12
反向恢复时间
恢复电荷
I
S
= 10 A;迪
S
/ DT =
100
A / μs的; V
GS
= 0 V
V
DD
= 15 V ;我
D
= 25 A;
V
GS
= 4.5 V ;
G
= 5.6
V
GS
= 0 V; V
DS
= 25 V ; F = 1兆赫;
图11
I
D
= 50 A; V
DD
= 15 V; V
GS
= 5 V;
图13
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
23
10.5
8
600
225
23
90
37
33
0.85
37
33
-
-
-
-
-
-
-
-
-
1.2
-
-
nC
nC
nC
pF
pF
pF
ns
ns
ns
ns
V
ns
nC
-
4.5
5.5
m
-
-
5.8
10.5
7
12.6
m
m
-
-
-
0.05
-
10
1
500
100
A
A
nA
1
0.6
-
1.9
-
-
2.5
-
2.9
V
V
V
30
27
-
-
-
-
V
V
条件
民
典型值
最大
单位
2180 -
源极 - 漏极二极管
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