飞利浦半导体
产品speci fi cation
7 N沟道80毫欧FET阵列
增强型MOS晶体管
特点
高速开关
无二次击穿
极低的通态电阻。
应用
驱动高性能三相无刷
直流电动机。
描述
七增强型MOS晶体管的24针
塑料SOT340-1 （ SSOP24 ）封装。六的
晶体管是在三个半桥配置。
小心
该器件采用防静电包装中提供。
栅源输入必须加以保护，防止静电
运输或装卸过程中排出。
钉扎 - SOT340-1 （ SSOP24 ）
针
1和4中
2
3
5,8
6
7
图9和12
10
11
13
14
15, 17, 18, 20,
21, 23, 24
16
19
22
符号
d
1
s
1
g
1
d
2
s
2
g
2
d
3
s
3
g
3
g
4
s
4
d
4
g
5
g
6
g
7
PHN708
描述
排水1
源1
门1
排水2
源2
门2
排水3
来源3
3号门
4门
源4
漏极4
5门
6门
GATE 7
手册，全页宽
d4
13
24
g7
g6
g5
g4
d1
d2
d3
s4
g1
1
12
s1
g2
g3
s2
s3
MAM275
Fig.1简化外形和符号。
1998年03月17日
2
飞利浦半导体
产品speci fi cation
7 N沟道80毫欧FET阵列
增强型MOS晶体管
快速参考数据
符号
V
DS
V
GS
V
gsth
I
D
R
DSON
P
合计
参数
漏极 - 源极电压（直流）
栅极 - 源极电压（直流）
门源阈值电压
漏电流（ DC ）
漏源导通电阻
总功耗
I
D
= 1毫安; V
DS
= V
GS
T
s
= 80
°C
I
D
= 1.5 A; V
GS
= 10 V
T
s
= 80
°C
条件
1
分钟。
PHN708
马克斯。
30
±20
2.8
3.1
80
1.3
V
V
V
A
单位
m
W
极限值
按照绝对最大额定值系统（ IEC 134 ） 。
符号
每FET
V
DS
V
GS
I
D
I
DM
P
合计
漏极 - 源极电压（直流）
栅极 - 源极电压（直流）
漏电流（ DC ）
峰值漏极电流
总功耗
T
s
= 80
°C;
注1
注2
T
s
= 80
°C;
注3
T
s
= 80
°C;
注4
T
s
= 80
°C;
注5
T
s
= 80
°C;
注6
T
英镑
T
j
I
S
I
SM
笔记
1. T
s
是在漏极引线的焊接点的温度。
2.脉冲宽度和占空比限制的最高结温。
3.当只有一个FET的功耗。
4.当FET的1-5个， 1-6个， 2-5个， 2-7 ， 3-6或3-7的任一组合耗散功率的量相等。
5.当FET 4加FET的1-5个， 1-6个， 2-5个， 2-7 ， 3-6或3-7的任一组合耗散功率的量相等。
6.当所有七个场效应晶体管消耗的功率相等。
储存温度
工作结温
T
s
= 80
°C
注2
55
55
30
±20
3.1
12.4
1.3
1.13
0.92
0.77
+150
+150
V
V
A
A
W
W
W
W
°C
°C
参数
条件
分钟。
马克斯。
单位
源极 - 漏极二极管
源电流（ DC）的
峰源电流
1.3
5.2
A
A
1998年03月17日
3
飞利浦半导体
产品speci fi cation
7 N沟道80毫欧FET阵列
增强型MOS晶体管
PHN708
手册， halfpage
2
MDA787
P合计
(W)
10
2
手册， halfpage
ID
(A)
10
(1)
MDA788
1.6
TP =
100
s
1毫秒
1.2
1
0.8
1
10毫秒
P
δ
= T
tp
DC
100毫秒
0.4
10
tp
T
0
0
50
100
150
TS （ ° C）
200
10
2
1
t
10
1
10
VDS （ V）
10
2
δ
= 0.01; T
s
= 80
°C.
(1) R
DSON
限制。
图2功率降额曲线。
图3一飞冲天。
热特性
符号
每FET
R
第j个-S
热阻结到焊接点
注1
注2
注3
注4
笔记
1.当只有一个FET消散。
2.当FET的1-5个， 1-6个， 2-5个， 2-7 ， 3-6或3-7的任一组合耗散功率的量相等。
3.当FET 4加FET的1-5个， 1-6个， 2-5个， 2-7 ， 3-6或3-7的任一组合耗散功率的量相等。
4.当所有七个场效应晶体管消耗的功率相等。
53
62
76
91
K / W
K / W
K / W
K / W
参数
条件
价值
单位
1998年03月17日
4
QQ：2881677436 复制
