【PHN203双N沟道的TrenchMOS逻辑电平FET版本05 - 2010年4月27日产品数据表1】,IC型号PHN203,PHN203 PDF资料,PHN203经销商,ic,电子元器件-51电子网

PHN203

双N沟道的TrenchMOS逻辑电平FET

版本05 - 2010年4月27日

产品数据表

1.产品廓

1.1概述

双重逻辑电平N沟道增强型场效应晶体管（ FET）在一个塑料

包装用的TrenchMOS技术。本产品的设计和合格的使用

计算，通信，消费电子和唯一的工业应用。

1.2特点和优点

适用于高频

由于快速开关应用

特征

适用于逻辑电平栅极驱动

来源

1.3应用

的DC- DC转换器

锂离子电池应用

1.4快速参考数据

表1中。

符号

V

DS

I

D

P

合计

快速参考数据

参数

漏源

电压

漏电流

总功率

耗散

漏源

导通状态

阻力

条件

T

j

≥

25 ℃;牛逼

j

≤

150 °C

T

AMB

= 25°C ;脉冲;

SEE

图1 ;

SEE

科幻gure 3

T

AMB

= 25°C ;脉冲;

SEE

图2

V

GS

= 10 V ;我

D

= 7 A;牛逼

j

= 25 °C;

SEE

图9 ;

SEE

图10

[1]

民

-

典型值

-

最大单位

30

6.3

2

V

A

W

[1]

静态特性

R

DSON

-

24

30

m

动态特性

Q

GD

栅极 - 漏极电荷V

GS

= 10 V ;我

D

= 7 A; V

DS

= 15 V;

T

j

= 25°C ;看

图11

-

3

-

nC

[1]

单个器件导通。

恩智浦半导体

PHN203

双N沟道的TrenchMOS逻辑电平FET

2.管脚信息

表2中。

针

1

2

3

4

5

6

7

8

管脚信息

符号说明

S1

G1

S2

G2

D2

D1

source1

gate1

source2

gate2

drain2

drain1

1

4

S1

G1

S2

G2

mbk725

简化的轮廓

8

5

图形符号

D1 D1

D2 D2

SOT96-1 （ SO8 ）

3.订购信息

表3中。

订购信息

包

名字

PHN203

SO8

描述

塑料小外形封装; 8线索;体宽3.9毫米

VERSION

SOT96-1

类型编号

4.极限值

表4 。

符号

V

DS

V

DGR

V

GS

I

D

极限值

参数

漏源电压

漏极 - 栅极电压

栅源电压

漏电流

T

AMB

= 70 ℃;脉冲;看

图1

T

AMB

= 25°C ;脉冲;看

图1 ;

SEE

科幻gure 3

I

DM

P

合计

T

英镑

T

j

I

S

I

SM

E

DS （ AL ）S

峰值漏极电流

总功耗

储存温度

结温

源出电流

峰源电流

不重复

漏源

雪崩能量

T

AMB

= 25°C ;脉冲

t

p

≤

10微秒;脉冲;牛逼

AMB

= 25 °C

V

GS

= 10 V ;牛逼

J（下INIT ）

= 25°C ;我

D

= 8.7 A;

V

SUP

≤

30 V ;松开;吨

p

= 0.2毫秒;

R

GS

= 50

[1]

按照绝对最大额定值系统（ IEC 60134 ）。

条件

T

j

≥

25 ℃;牛逼

j

≤

150 °C

T

j

≤

150 ℃;牛逼

j

≥

25 ℃;

GS

= 20 k

民

-

-20

-

-55

-

典型值

-

最大

30

20

5

6.3

18

2

150

2

4.1

37.8

单位

V

A

W

°C

A

mJ

t

p

≤

10微秒;脉冲;牛逼

AMB

= 25 °C;

SEE

科幻gure 3

T

AMB

= 25°C ;脉冲;看

图2

[1]

源极 - 漏极二极管

雪崩耐用性

[1]

单个器件导通。

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PHN203

产品数据表

版本05 - 2010年4月27日

2 13

恩智浦半导体

PHN203

双N沟道的TrenchMOS逻辑电平FET

120

I

DER

(%)

80

03aa19

120

P

DER

(%)

80

03aa11

40

0

50

100

150

200

T

AMB

(°C)

0

50

100

150

200

T

AMB

(°C)

图1 。

标准化的连续漏极电流为

环境温度的函数

10

2

I

D

(A)

10

性限R

DSON

= V

DS

/ I

D

图2 。

归一化的总功耗为

环境温度的函数

03an69

t

p

= 10

μs

1毫秒

1

100毫秒

DC

10

1

1s

10 s

10

2

10

1

10

V

DS

(V)

10

2

图3 。

安全工作区;连续和峰值漏电流与漏源电压的函数

PHN203

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版本05 - 2010年4月27日

3 13

恩智浦半导体

PHN203

双N沟道的TrenchMOS逻辑电平FET

5.热特性

表5 。

符号

R

日（J -SP ）

R

号（j -a）的

热特性

参数

从热阻

结点到焊点

从热阻

结到环境

安装在印刷电路板上;

最小的足迹;看

图4

条件

民

-

典型值

-

最大

-

62.5

单位

K / W

10

3

Z

号（j -a）的

（K / W）

10

2

δ

= 0.5

0.2

10

0.1

0.05

0.02

1

单脉冲

10

1

10

5

03an68

10

4

10

3

10

2

10

1

t

p

(s)

10

图4 。

从结瞬态热阻抗至环境作为脉冲持续时间的函数

PHN203

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版本05 - 2010年4月27日

4 13

恩智浦半导体

PHN203

双N沟道的TrenchMOS逻辑电平FET

6.特性

表6 。

符号

V

（ BR ） DSS

V

GS （ TH）

特征

参数

漏源

击穿电压

门极 - 源

电压

条件

I

D

= 250 μA ; V

GS

= 0 V ;牛逼

j

= -55 °C

I

D

= 250 μA ; V

GS

= 0 V ;牛逼

j

= 25 °C

I

D

= 1毫安; V

DS

= V

GS

; T

j

= -55 °C;

SEE

图8

I

D

= 1毫安; V

DS

= V

GS

; T

j

= 150 °C;

SEE

图8

I

D

= 1毫安; V

DS

= V

GS

; T

j

= 25 °C;

SEE

图8

I

DSS

I

GSS

R

DSON

漏极漏电流

栅极漏电流

漏极 - 源极导通状态

阻力

V

DS

= 24 V; V

GS

= 0 V ;牛逼

j

= 25 °C

V

DS

= 24 V; V

GS

= 0 V ;牛逼

j

= 150 °C

V

GS

= 20 V; V

DS

= 0 V ;牛逼

j

= 25 °C

V

GS

= -20 V; V

DS

= 0 V ;牛逼

j

= 25 °C

V

GS

= 10 V ;我

D

= 7 A;牛逼

j

= 25 °C;

SEE

图9 ;

SEE

图10

V

GS

= 4.5 V ;我

D

= 3.5 A;牛逼

j

= 25 °C;

SEE

图9 ;

SEE

图10

V

GS

= 10 V ;我

D

= 7 A;牛逼

j

= 150 °C;

SEE

图9 ;

SEE

图10

动态特性

Q

G（ TOT ）

Q

GS

Q

GD

C

国际空间站

C

OSS

C

RSS

t

D（上）

t

r

t

D（关闭）

t

f

V

SD

t

rr

总栅极电荷

栅极 - 源电荷

栅极 - 漏极电荷

输入电容

输出电容

反向传输

电容

导通延迟时间

上升时间

打开-O FF延迟时间

下降时间

源 - 漏电压

反向恢复时间

I

S

= 1.25 A; V

GS

= 0 V ;牛逼

j

= 25 °C;

SEE

图13

I

S

= 2 A;的dI

S

/ DT = -100 A / μs的; V

GS

= 0 V;

V

DS

= 25 V ;牛逼

j

= 25 °C

V

DS

= 20 V; V

GS

= 0 V ; F = 1兆赫;

T

j

= 25°C ;看

图12

V

DS

20 V; V

GS

= 0 V ; F = 1兆赫;牛逼

j

= 25 °C;

SEE

图12

V

DS

= 25 V ;

L

= 25

;

V

GS

= 10 V;

R

G（ EXT ）

= 6

;

T

j

= 25 °C

I

D

= 7 A; V

DS

= 15 V; V

GS

= 10 V;

T

j

= 25°C ;看

图11

-

14.6

2

3

560

125

85

5

6

21

11

0.75

30

-

1

-

nC

pF

ns

V

ns

民

27

30

-

0.6

1

-

典型值

-

1.5

-

10

24

30

40.8

最大

-

2.2

-

2

1

10

100

30

55

51

单位

V

A

nA

m

静态特性

源极 - 漏极二极管

PHN203

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产品数据表

版本05 - 2010年4月27日

5 13

飞利浦半导体

产品speci fi cation

双N沟道增强模式

的TrenchMOS

TM

晶体管

特点

双设备

低阈值电压

快速开关

兼容逻辑电平

表面贴装型封装

PHN203

符号

d1 d1

d2 d2

快速参考数据

V

DS

= 25 V

I

D

= 6.3 A

R

DS （ ON）

≤

30毫欧（V

GS

= 10 V)

R

DS （ ON）

≤

55毫欧（V

GS

= 4.5 V)

s1

g1

S2 G2

概述

N沟道增强模式

在场效应功率晶体管

塑料封套使用“地沟”

技术。该装置具有非常

低导通状态电阻。这是

旨在用于直流 - 直流

转换器和通用

开关应用。

该PHN203在所提供的

SOT96-1 （ SO8 ）表面贴装

封装。

钉扎

针

1

2

3

4

5,6

7,8

描述

源1

门1

源2

门2

排水2

排水1

SOT96-1

8

7

6

5

PIN 1 INDEX

1

2

3

4

极限值

按照绝对最大系统（ IEC 134 ）极限值

符号

V

DS

V

DS

V

DGR

V

GS

I

D

I

D

I

DM

P

合计

T

英镑

, T

j

参数

重复峰值漏极 - 源极

电压

连续漏极 - 源极电压

漏极 - 栅极电压

栅源电压

漏极电流MOSFET每

1

漏极电流每个MOSFET （包括

MOSFET的导通）

1

漏极电流每个MOSFET （脉冲

峰值）

总功耗（一方或

两个MOSFET导通）

1

存储&工作温度

条件

T

j

= 25 °C至150°C

R

GS

= 20 k

T

a

= 25 C

T

a

= 70 C

T

a

= 25 C

T

a

= 70 C

T

a

= 25 C

T

a

= 25 C

T

a

= 70 C

分钟。

-

- 55

马克斯。

25

±

20

6.3

5

4.4

3.5

25

2

1.3

150

单位

V

A

W

C

1

表面安装在FR4板，T

≤

10秒

1999年1月

1

启1.000

飞利浦半导体

产品speci fi cation

双N沟道增强模式

的TrenchMOS

TM

晶体管

热阻

符号参数

R

日J-一

R

日J-一

热阻结

到环境

热阻结

到环境

条件

表面安装在FR4板，T

≤

10

秒;一方或双方的MOSFET导通

表面安装在FR4板;一方或

两个MOSFET导通

典型值。

-

150

马克斯。

62.5

-

PHN203

单位

K / W

雪崩能量极限值

按照绝对最大系统（ IEC 134 ）极限值

符号参数

E

AS

I

AS

非重复性雪崩

能量（每MOSFET ）

非重复性雪崩

电流（每个MOSFET ）

条件

非钳位感性负载时，我

AS

= 6.3 A;

t

p

= 0.2毫秒;牛逼

j

雪崩= 25之前;

V

DD

≤

15 V ;

GS

= 50

;

V

GS

= 10 V

分钟。

-

马克斯。

20

6.3

单位

mJ

A

电气特性

T

j

= 25 ，每个MOSFET除非另有说明

符号参数

V

（ BR ） DSS

V

GS （ TO ）

R

DS （ ON）

g

fs

I

DSS

I

GSS

Q

G（ TOT ）

Q

gs

Q

gd

t

D ON

t

r

t

D OFF

t

f

L

d

L

s

C

国际空间站

C

OSS

C

RSS

漏源击穿

电压

栅极阈值电压

漏极 - 源极导通状态

阻力

条件

V

GS

= 0 V ;我

D

= 10

A;

T

j

= -55C

V

DS

= V

GS

; I

D

= 1毫安

T

j

= 150C

T

j

= -55C

V

GS

= 10 V ;我

D

= 4 A

V

GS

= 4.5 V ;我

D

= 2 A

V

GS

= 10 V ;我

D

= 4 A;吨

j

= 150C

正向跨导

V

DS

= 20V;我

D

= 4 A

零栅压漏

V

DS

= 20 V; V

GS

= 0 V;

当前

V

DS

= 20 V; V

GS

= 0 V ;牛逼

j

= 150C

门源漏电流V

GS

=

±20

V; V

DS

= 0 V

总栅极电荷

栅极 - 源电荷

栅极 - 漏极（米勒）电荷

导通延迟时间

开启上升时间

打开-O FF延迟时间

关断下降时间

内部排水电感

内部源极电感

输入电容

输出电容

反馈电容

I

D

= 4 A; V

DD

= 20 V; V

GS

= 10 V

分钟。

25

22.5

1

0.4

-

5

-

典型值。马克斯。单位

-

2

-

27

40

43

9.7

60

0.1

10

20

1.9

6.1

8

11

31

17

2.5

5

611

260

137

-

2.8

-

3.2

30

55

51

-

100

10

100

-

V

m

S

nA

A

nA

nC

ns

nH

pF

V

DD

= 20V;

D

= 18

;

V

GS

= 10 V ;

G

= 6

阻性负载

从测得的漏导致的模具中心

从源铅源测量

焊盘

V

GS

= 0 V; V

DS

= 20V; F = 1 MHz的

1999年1月

2

启1.000

飞利浦半导体

产品speci fi cation

双N沟道增强模式

的TrenchMOS

TM

晶体管

反向二极管极限值和特性

T

j

= 25 ，每个MOSFET除非另有说明

符号参数

I

S

I

SM

V

SD

t

rr

Q

rr

连续源二极管

电流（每个MOSFET ）

脉冲源二极管电流

（每个MOSFET ）

二极管的正向电压

反向恢复时间

反向恢复电荷

条件

T

a

= 25 C

分钟。

-

I

F

= 1.25 A; V

GS

= 0 V

I

F

= 1.25 A; -dI

F

/ DT = 100 A / μs的;

V

GS

= 0 V; V

R

= 25 V

-

PHN203

典型值。马克斯。单位

-

0.75

35

24

2.85

25

1

-

A

V

ns

nC

归一化功耗， PD （％）

120

100

峰值漏电流脉冲， IDM （ A）

RDS （ ON）= VDS / ID

PHN203

TP = 10我们

100美

1毫秒

10毫秒

10

80

60

40

20

0

25

50

75

100

125

150

0.01

0.1

1

10

漏 - 源电压， VDS （V ）

环境温度，钽（℃）

0.1

1

100毫秒

10 s

100

图1 。归一化的功率耗散。

PD ％ = 100

P

D

/P

D 25 C

= F （T

a

)

如图3所示。安全工作区。牛逼

a

= 25 C

I

D

＆放大器;我

DM

= F（V

DS

); I

DM

单脉冲;参数t

p

归一化漏电流， ID （％）

120

100

80

60

40

100

峰值漏电流脉冲， IDM （ A）

D = 0.5

PHN203

10

0.2

0.1

0.05

0.02

单脉冲

P

D

tp

D = TP / T

1

0.1

20

T

0

25

50

75

100

125

150

环境温度，钽（℃）

0.01

1E-06

1E-05

1E-04

1E-03

1E-02

1E-01

1E+00

1E+01

脉冲宽度TP （多个）

图2 。正常化的连续漏极电流。

ID％ = 100

I

D

/I

D 25 C

= F （T

a

） ;条件： V

GS

≥

4.5 V

图4 。瞬态热阻抗;

Z

日J-一

= F（T） ;参数D = T

p

/T

1999年1月

3

启1.000

飞利浦半导体

产品speci fi cation

双N沟道增强模式

的TrenchMOS

TM

晶体管

PHN203

漏极电流ID （ A）

10

9

8

7

6

5

4

3

2

1

0

0.2

0.4 0.6 0.8

1

1.2 1.4 1.6

漏 - 源电压， VDS （V ）

10V

VGS = 5V

TJ = 25℃

PHN203

3.6 V

3.4 V

3.2 V

3V

2.8 V

2.6 V

1.8

2

14

13

12

11

10

9

8

7

6

5

4

3

2

1

0

跨导， GFS （ S）

VDS > ID X RDS （ ON）

PHN203

TJ = 25℃

150 C

0

1

2

3

4

5

6

7

漏极电流ID （ A）

8

9

10

图5 。典型的输出特性，T

j

= 25 C.

I

D

= F（V

DS

） ;参数V

GS

图8 。典型的跨导，T

j

= 25 C.

g

fs

= F（我

D

)

a

漏极 - 源极导通电阻， RDS （ ON）（欧姆）

0.5

2.6V 2.8V

3V

3.2 V

3.4V

3.6V

PHN203

TJ = 25℃

2

SOT223 30V海沟

归一化的RDS（ON ） = F （TJ）

0.4

1.5

0.3

1

0.2

0.1

0.5

10V

VGS = 5V

0

1

2

3

4

5

6

漏极电流ID （ A）

7

8

9

10

0

-50

0

50

TJ / C

100

150

图6 。典型通态电阻，T

j

= 25 C.

R

DS （ ON）

= F（我

D

） ;参数V

GS

图9 。正常化漏极 - 源极导通电阻。

R

DS （ ON）

/R

DS （ ON） 25 C

= F （T

j

)

VGS （ TO ） / V

4

漏极电流ID （ A）

10

9

8

7

6

5

4

3

2

1

0

0.5

1

1.5

2

2.5

3

3.5

4

150 C

VDS > ID X RDS （ ON）

PHN203

3

马克斯。

典型值。

2

TJ = 25℃

1

分钟。

4.5

5

0

-60 -40 -20

0

20

40 60

TJ / C

80 100 120 140

栅 - 源电压，V GS （V）的

图7 。典型的传输特性。

I

D

= F（V

GS

)

图10 。栅极阈值电压。

V

GS （ TO ）

= F （T

j

） ;条件：我

D

= 1毫安; V

DS

= V

GS

1999年1月

4

启1.000

飞利浦半导体

产品speci fi cation

双N沟道增强模式

的TrenchMOS

TM

晶体管

PHN203

1E-01

亚阈值传导

10

9

源极 - 漏极二极管电流IF （ A）

VGS = 0 V

PHN203

1E-02

民

典型值

最大

8

7

6

5

4

3

2

1

0

0.1

0.2

0.3

0.4

0.5

0.6

0.7

0.8

0.9

1

150 C

TJ = 25℃

1E-03

1E-04

1E-05

1E-06

0

1

2

3

4

5

漏源电压， VSDS （V ）

图11 。亚阈值漏电流。

I

D

= F（V

GS ）

;条件：T已

j

= 25 C

图14 。典型的反向二极管电流。

I

F

= F（V

SDS

） ;条件： V

GS

= 0 V ;参数T

j

非重复性雪崩电流， IAS （ A）

PHN203

25 C

电容，西塞，科斯，的Crss （PF ）

10000

PHN203

10

TJ前雪崩= 125℃

1000

西塞

VDS

tp

ID

科斯

CRSS

100

0.1

1

10

漏 - 源电压， VDS （V ）

100

1

1E-06

1E-05

1E-04

雪崩的时候， TP （S ）

1E-03

1E-02

图12 。典型的电容，C

国际空间站

, C

OSS

, C

RSS

.

C = F（V

DS

） ;条件： V

GS

= 0 V ; F = 1 MHz的

图15 。最大允许非重复

雪崩电流（I

AS

）与雪崩时间（t

p

);

非钳位感性负载

栅 - 源电压，V GS （V）的

15

14

13

12

11

10

9

8

7

6

5

4

3

2

1

0

ID = 4A

TJ = 25℃

VDD = 20 V

PHN203

5

10

15

20

栅极电荷QG （ NC）

25

30

图13 。典型导通栅极电荷特性。

V

GS

= F （Q

G

)

1999年1月

5

启1.000