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分立半导体
数据表
PHN103
N沟道增强模式
MOS晶体管
产品speci fi cation
取代1996年的数据11月12日
在分离式半导体， SC13b文件
1997年6月20日
飞利浦半导体
产品speci fi cation
N沟道增强模式
MOS晶体管
特点
高速开关
无二次击穿
极低的通态电阻。
应用
电机和驱动器
电源管理
同步整流。
描述
采用8引脚的N沟道增强型MOS晶体管
塑料SOT96-1 （ SO8 ）封装。
小心
该器件采用防静电包装中提供。
栅源输入必须加以保护，防止静电
运输或装卸过程中排出。
1
4
北卡罗来纳州s
手册， halfpage
PHN103
钉扎 - SOT96-1 （ SO8 ）
针
1
2
3
4
5
6
7
8
符号
N.C
s
s
g
d
d
d
d
来源
来源
门
漏
漏
漏
漏
描述
没有连接
d
5
d d d
8
MAM116
s
g
Fig.1简化外形和符号。
快速参考数据
符号
V
DS
V
SD
V
GS
V
gsth
I
D
R
DSON
P
合计
参数
漏极 - 源极电压（直流）
源极 - 漏极二极管正向电压
栅极 - 源极电压（直流）
门源阈值电压
漏电流（ DC ）
漏源导通电阻
总功耗
I
D
= 1毫安; V
DS
= V
GS
T
s
= 80
°C
I
D
= 5.5 A; V
GS
= 10 V
T
s
= 80
°C
I
S
= 1.25 A
条件
1
分钟。
1
±20
2.8
8.5
0.03
4
马克斯。
30
V
V
V
V
A
W
单位
1997年6月20日
2
飞利浦半导体
产品speci fi cation
N沟道增强模式
MOS晶体管
极限值
按照绝对最大额定值系统（ IEC 134 ） 。
符号
V
DS
V
GS
I
D
I
DM
P
合计
参数
漏极 - 源极电压（直流）
栅极 - 源极电压（直流）
漏电流（ DC ）
峰值漏极电流
总功耗
T
s
= 80
°C;
注1
注2
T
s
= 80
°C
T
AMB
= 25
°C;
注3
T
AMB
= 25
°C;
注4
T
英镑
T
j
I
S
I
SM
笔记
1. T
s
是在漏极引线的焊接点的温度。
2.脉冲宽度和占空比限制的最高结温。
3.器件安装在印刷电路板用的R
TH A- TP
（环境，以配合点）的27.5 K / W 。
4.设备安装在印刷电路板用的R
TH A- TP
（环境，以配合点） 90 K / W 。
热特性
符号
R
第j个-S
参数
热阻结到焊接点
价值
17.5
储存温度
工作结温
T
s
= 80
°C
注2
条件
65
65
分钟。
PHN103
马克斯。
30
±20
8.5
35
4
2.7
1.15
+150
+150
V
V
A
A
W
W
W
单位
°C
°C
源极 - 漏极二极管
源电流（ DC）的
峰值脉冲电流源
5
20
A
A
单位
K / W
1997年6月20日
3
飞利浦半导体
产品speci fi cation
N沟道增强模式
MOS晶体管
PHN103
手册， halfpage
8
MGG329
手册， halfpage
10
2
MGG330
P合计
(W)
6
ID
(A)
TP =
10
(1)
10
s
100
s
1毫秒
tp
T
100毫秒
tp
t
T
1
10
DC
VDS （ V）
10
2
10毫秒
4
P
1
δ
=
2
0
0
50
100
TS （ ° C）
150
10
1 1
10
δ
= 0.01; T
s
= 80
°C.
(1) R
DSON
限制。
图2功率降额曲线。
图3一飞冲天。
1997年6月20日
4
飞利浦半导体
产品speci fi cation
N沟道增强模式
MOS晶体管
特征
T
j
= 25
°C
除非另有规定ED 。
符号
V
（ BR ） DSS
V
gsth
I
DSS
I
GSS
R
DSON
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
Q
G
Q
GS
Q
GD
t
D（上）
t
r
t
on
t
D（关闭）
t
f
t
关闭
参数
漏源击穿电压
门源阈值电压
漏极 - 源极漏电流
栅极漏电流
漏源导通电阻
输入电容
输出电容
反向传输电容
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
条件
V
GS
= 0; I
D
= 10
A
V
GS
= V
DS
; I
D
= 1毫安
V
GS
= 0; V
DS
= 24 V
V
GS
=
±20
V; V
DS
= 0
V
GS
= 4.5 V ;我
D
= 2.75 A
V
GS
= 10 V ;我
D
= 5.5 A
V
GS
= 0; V
DS
= 24 V ; F = 1 MHz的
V
GS
= 0; V
DS
= 24 V ; F = 1 MHz的
V
GS
= 0; V
DS
= 24 V ; F = 1 MHz的
V
GS
= 10 V; V
DD
= 15 V ;我
D
= 4 A
V
GS
= 10 V; V
DD
= 15 V ;我
D
= 4 A
V
GS
= 10 V; V
DD
= 15 V ;我
D
= 4 A
V
GS
= 010伏; V
DD
= 15 V;
I
D
= 1 ;
L
= 15
;
R
根
= 6
V
GS
= 010伏; V
DD
= 15 V;
I
D
= 1 ;
L
= 15
;
R
根
= 6
V
GS
= 010伏; V
DD
= 15 V;
I
D
= 1 ;
L
= 15
;
R
根
= 6
V
GS
= 10 0 V ; V
DD
= 15 V;
I
D
= 1 ;
L
= 15
;
R
根
= 6
V
GS
= 10 0 V ; V
DD
= 15 V;
I
D
= 1 ;
L
= 15
;
R
根
= 6
V
GS
= 10 0 V ; V
DD
= 15 V;
I
D
= 1 ;
L
= 15
;
R
根
= 6
V
GD
= 0; I
S
= 1.25 A
I
S
= 1.25 A;的di / dt = 100 A / μs的
分钟。
30
1
典型值。
750
520
200
25
3
7.5
PHN103
马克斯。
2.8
100
±100
0.05
0.03
40
35
150
单位
V
V
nA
nA
pF
pF
pF
nC
nC
nC
开关时间
（见图4）
导通延迟时间
上升时间
导通开关时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
关断开关时间
7
10
17
35
40
75
ns
ns
ns
ns
ns
ns
源极 - 漏极二极管
V
SD
t
rr
源极 - 漏极二极管的正向
电压
反向恢复时间
70
1
V
ns
1997年6月20日
5
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