【飞利浦半导体产品speci fi cation的TrenchMOS 晶体管逻辑电平FET特点 “海沟】,IC型号PHN1011,PHN1011 PDF资料,PHN1011经销商,ic,电子元器件-51电子网

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飞利浦半导体

产品speci fi cation

的TrenchMOS 晶体管

逻辑电平FET

特点

“海沟”技术

低通态电阻

快速开关

高的热循环性能

薄型表面贴装

包

兼容逻辑电平

PHN1011

符号

d

快速参考数据

V

DSS

= 25 V

I

D

= 11 A

g

R

DS （ ON）

≤

11毫欧（V

GS

= 10 V)

R

DS （ ON）

≤

13.5毫欧（V

GS

= 5 V)

s

概述

N沟道增强模式

逻辑电平场效应功率

晶体管在一个表面安装

塑料包装使用“地沟”

技术。的组合

非常低的导通电阻和

低开关损耗使这

设备在高的最佳选择

高速电脑主板的直流

以直流转换器。

该PHN1011在所提供的

SOT96-1 （ SO8 ）表面贴装

包

钉扎

针

1-3

4

5-8

描述

SOT96-1 （ SO8 ）

8

7

6

5

来源

门

漏

PIN 1 INDEX

1

2

3

4

极限值

按照绝对最大系统（ IEC 134 ）极限值

符号

V

DSS

V

DGR

V

GS

V

GSM

I

D

I

DM

P

合计

T

j

, T

英镑

参数

漏源电压

漏极 - 栅极电压

栅极 - 源极电压（直流）

栅极 - 源极电压（脉冲峰值

值）

漏极电流（T

p

≤

10 s)

漏极电流（脉冲峰值）

总功耗

工作结存储

温度

条件

T

j

= 25 °C至150°C

T

j

= 25 °C至150°C ;

R

GS

= 20 k

-

T

a

= 25 C

T

a

= 70 C

T

a

= 25 C

T

a

= 25 C

T

a

= 70 C

-

分钟。

-

-

-

-

-

-

-

-

-

- 55

马克斯。

25

25

±

15

±

20

11

9

44

2.5

1.6

150

单位

V

V

V

V

A

A

A

W

W

C

热阻

符号参数

R

日J-一

R

日J-一

热阻结

到环境

热阻结

到环境

条件

表面安装， FR4板，T

≤

10秒

表面安装， FR4板

典型值。

-

150

马克斯。

50

-

单位

K / W

K / W

1999年6月

1

启1.100

飞利浦半导体

产品speci fi cation

的TrenchMOS 晶体管

逻辑电平FET

电气特性

T

j

= 25 ° C除非另有说明

符号参数

V

（ BR ） DSS

V

GS （ TO ）

R

DS （ ON）

g

fs

I

GSS

I

DSS

Q

G（ TOT ）

Q

gs

Q

gd

t

D ON

t

r

t

D OFF

t

f

L

d

L

s

C

国际空间站

C

OSS

C

RSS

漏源击穿

电压

栅极阈值电压

漏极 - 源极导通状态

阻力

条件

V

GS

= 0 V ;我

D

= 0.25毫安;

T

j

= -55C

V

DS

= V

GS

; I

D

= 1毫安

T

j

= 150C

T

j

= -55C

V

GS

= 10 V ;我

D

= 10 A

V

GS

= 5 V ;我

D

= 5 A

V

GS

= 5 V ;我

D

= 5 A;牛逼

j

= 150C

正向跨导

V

DS

= 25 V ;我

D

= 10 A

门源漏电流V

GS

=

±5

V; V

DS

= 0 V

零栅压漏

V

DS

= 25 V; V

GS

= 0 V;

当前

T

j

= 150C

总栅极电荷

栅极 - 源电荷

栅极 - 漏极（米勒）电荷

导通延迟时间

开启上升时间

打开-O FF延迟时间

关断下降时间

内部排水电感

内部源极电感

输入电容

输出电容

反馈电容

I

D

= 25 A; V

DD

= 15 V; V

GS

= 5 V

分钟。

25

22

1

0.6

-

-

-

-

12

-

-

-

-

-

-

-

-

-

-

-

-

-

-

-

PHN1011

典型值。马克斯。单位

-

-

1.5

-

-

9

11

-

36

10

0.05

-

26

6

9.4

7

50

82

59

1

3

1700

475

300

-

-

2

-

2.3

11

13.5

23

-

100

10

500

-

-

-

15

75

120

75

-

-

-

-

-

V

V

V

V

V

m

m

m

S

nA

A

A

nC

nC

nC

ns

ns

ns

ns

nH

nH

pF

pF

pF

V

DD

= 15 V ;我

D

= 25 A;

V

GS

= 10 V ;

G

= 5

阻性负载

漏导致模具中心

来源导致源焊盘

V

GS

= 0 V; V

DS

= 20V; F = 1 MHz的

反向二极管极限值和特性

T

j

= 25 ° C除非另有说明

符号参数

I

S

I

SM

V

SD

t

rr

Q

rr

连续源电流

（体二极管）

脉冲电流源（体

二极管）

二极管的正向电压

反向恢复时间

反向恢复电荷

条件

T

a

= 25 ° C，T

p

≤

10 s

分钟。

-

-

I

F

= 10 A; V

GS

= 0 V

I

F

= 10 A; -dI

F

/ DT = 100 A / μs的;

V

GS

= 0 V; V

R

= 25 V

-

-

-

典型值。马克斯。单位

-

-

0.95

83

0.1

11

44

1.2

-

-

A

A

V

ns

C

1999年6月

2

启1.100

飞利浦半导体

产品speci fi cation

的TrenchMOS 晶体管

逻辑电平FET

PHN1011

归一化功率降额， P合计（％）

100

90

80

70

60

50

40

30

20

10

0

0

20

40

60

80

100

120

140

160

环境温度，钽（℃）

100

瞬态热阻抗，第Z J- MB （K / W）

D = 0.5

0.2

10

0.1

0.05

0.02

1

P

D

0.1

单脉冲

D = TP / T

tp

T

0.01

1E-06

1E-05

1E-04

1E-03

1E-02

1E-01

1E+00

1E+01

脉冲宽度TP （多个）

图1 。归一化的功率耗散。

PD ％ = 100

P

D

/P

D 25 C

= F （T

a

)

图4 。瞬态热阻抗。

Z

日J-一

= F（T） ;参数D = T

p

/T

漏极电流ID （ A）

VGS = 10 V

45

4.5 V

3V

40

35

5V

TJ = 25℃

归一化电流降额， ID （％）

50

120

100

80

30

2.8 V

60

40

25

2.6 V

20

15

2.4 V

2.2 V

5

20

0

0

20

40

60

80

100

120

140

160

10

2V

0

0.2

0.4

0.6

0.8

1

1.2

1.4

漏 - 源电压， VDS （V ）

1.6

1.8

2

0

环境温度，钽（℃）

图2 。正常化的连续漏极电流。

ID％ = 100

I

D

/I

D 25 C

= F （T

a

） ;条件： V

GS

≥

5 V

峰值漏电流脉冲， IDM （ A）

RDS （ ON）= VDS / ID

TP = 10我们

100美

10

1毫秒

10毫秒

100毫秒

特区

图5 。典型的输出特性，T

j

= 25 C.

I

D

= F（V

DS

） ;参数V

GS

100

漏极 - 源极导通电阻， RDS （ ON）（欧姆）

0.1

2.2 V

0.09

0.08

0.07

0.06

2.8V

2.4 V

2.6 V

TJ = 25℃

1

0.05

0.04

3V

0.1

0.03

0.02

0.01

10V

5V

VGS = 4.5 V

0.01

0.1

1

10

漏 - 源电压， VDS （V ）

100

0

0

5

10

15

20

25

30

漏极电流ID （ A）

35

40

45

50

如图3所示。安全工作区。牛逼

a

= 25 C

I

D

＆放大器;我

DM

= F（V

DS

); I

DM

单脉冲;参数t

p

图6 。典型通态电阻，T

j

= 25 C.

R

DS （ ON）

= F（我

D

） ;参数V

GS

1999年6月

3

启1.100

飞利浦半导体

产品speci fi cation

的TrenchMOS 晶体管

逻辑电平FET

PHN1011

漏极电流ID （ A）

50

45

40

35

30

25

VDS > ID X RDS （ ON）

阈值电压VGS （ TO ）（V ）

2.25

2

1.75

1.5

典型

1.25

1

最低

最大

20

15

10

5

0

0

0.5

1

1.5

2

2.5

3

3.5

4

4.5

5

栅 - 源电压，V GS （V）的

150 C

TJ = 25℃

0.75

0.5

0.25

0

-60

-40

-20

0

20

40

60

80

100

120

140

160

180

结温TJ（ C）

图7 。典型的传输特性。

I

D

= F（V

GS

） ;条件： V

DS

= 25 V ;参数T

j

跨导， GFS （ S）

VDS > ID X RDS （ ON）

45

40

35

150 C

30

25

20

15

10

5

0

0

5

10

15

20

25

漏极电流ID （ A）

30

35

40

TJ = 25℃

图10 。栅极阈值电压。

V

GS （ TO ）

= F （T

j

） ;条件：我

D

= 0.25毫安; V

DS

= V

GS

漏极电流ID （ A）

VDS = 5 V

1.0E-02

50

1.0E-01

1.0E-03

最低

1.0E-04

典型

最大

1.0E-05

1.0E-06

0

0.5

1

1.5

2

栅 - 源电压，V GS （V）的

2.5

3

图8 。典型的跨导，T

j

= 25 C.

g

fs

= F（我

D

） ;条件： V

DS

= 25 V

正规化的导通状态电阻

图11 。亚阈值漏电流。

I

D

= F（V

GS ）

;条件：T已

j

= 25 ℃; V

DS

= V

GS

2

1.9

1.8

1.7

1.6

1.5

1.4

1.3

1.2

1.1

1

0.9

0.8

0.7

0.6

0.5

0.4

0.3

0.2

0.1

0

电容，西塞，科斯，的Crss （PF ）

10000

西塞

1000

科斯

CRSS

100

-60

-40

-20

0

20

40

60

80

100

结温TJ（ C）

120

140

160

180

0.1

1

10

漏 - 源电压， VDS （V ）

100

图9 。正常化漏极 - 源极导通电阻。

一 - R的

DS （ ON）

/R

DS （ ON） 25 C

= F （T

j

)

图12 。典型的电容，C

国际空间站

, C

OSS

, C

RSS

.

C = F（V

DS

） ;条件： V

GS

= 0 V ; F = 1 MHz的

1999年6月

4

启1.100

飞利浦半导体

产品speci fi cation

的TrenchMOS 晶体管

逻辑电平FET

PHN1011

源极 - 漏极二极管电流IF （ A）

栅 - 源电压，V GS （V）的

15

14

13

12

11

10

9

8

7

6

5

4

3

2

1

0

0

ID = 25A

TJ = 25℃

VDD = 15 V

50

VGS = 0 V

45

40

35

30

25

20

15

10

5

0

5

10

15

20

25

30

栅极电荷QG （ NC）

35

40

45

50

0

0.1

0.2

0.3 0.4

0.5

0.6

0.7

0.8

0.9

1

1.1 1.2

1.3

1.4

1.5

源极 - 漏极电压， VSDS （V ）

TJ = 25℃

150 C

图13 。典型导通栅极电荷特性。

V

GS

= F （Q

G

） ;参数V

DS

图14 。典型的反向二极管电流。

I

F

= F（V

SDS

） ;条件： V

GS

= 0 V ;参数T

j

1999年6月

5

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SO-8

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