【QS043-402-20394 （2/5）ＩＧＢＴＭ½½½】,IC型号PHMB600E6,PHMB600E6 PDF资料,PHMB600E6经销商,ic,电子元器件-51电子网

QS043-402-20394 （2/5）

ＩＧＢＴ

Ｍ½½½½½－Ｓ½½½½½

□ 回路図：

ＣＩＲＣＵＩＴ

ＰＨＭＢ６００Ｅ６

６００Ａ，６００Ｖ

□ 外 ½ 寸法図：

ＯＵＴＬＩＮＥＤＲＡＷＩＮＧ

ＰＨＭＢ６００Ｅ６Ｃ

4 - 6.5

2 -M8

108

110

± 0 .2 5

4 - 6.5

2 -M6

± 0 .2 5

(E)

(G)

(E)

(C)

2 -M4

- 0.5

+1.0

- 0.5

25.5

+1.0

PH MB600E6

□ 最大定格：

ＭＡＸＩＭＵＭＲＡＴＩＮＧＳ

（Ｔ

Ｃ

＝２５℃）

Ｉ½½½

コレクタエミッタ間電圧

集电极 - 发射极电压

ゲートエミッタ間電圧

栅极 - 发射极电压

コレクタ電流

集电极电流

コレクタ損失

集电极耗散功率

接

合

温

度

结温范围

保

存

温

度

存储温度范围

絶

縁

耐

圧(Ｔerminal to Ｂase ＡＣ,１½inute)

隔离电压

模组基地散热器

締め付けトルク

MOUNTING

力矩

母线到终端

ＤＣ

１½½

Ｓ½½½½½

Ｖ

ＣＥＳ

Ｖ

ＧＥＳ

６００

１,２００

Ｐ

Ｃ

Ｔ

½½½

Ｖ

ＩＳＯ

Ｆ

½½½

PHMB600E6

Ｍ４

Ｍ８

PH MB600E6C

Ｒ½½½½ Ｖ½½½½

６００

±２０

６００

１，２００

２,０８０

－４０½＋１５０

－４０½＋１２５

２,５００

１４１４３）

PHMB600E6C

１０５(１０７)

LABEL

25.5

LABEL

Ｕ½½½

Ｖ

Ａ

Ｗ

℃

Ｖ

（ＲＭＳ）

３３ .６

（０）

Ｍ４

Ｍ６

１４（１４３）

(kgf½cm)

３(３０６)

３３ .６

（０）

Ｎ½

□ 電気的特性

：

ＥＬＥＣＴＲＩＣＡＬＣＨＡＲＡＣＴＥＲＩＳＴＩＣＳ

（Ｔ

Ｃ

＝２５℃）

Ｓ½½½½½

Ｉ

ＣＥＳ

Ｉ

ＧＥＳ

Ｖ

ＣＥ（½½½）

Ｖ

ＧＥ（½½）

Ｃ

½½½

上昇時間

ターンオン時間

下降時間

ターンオフ時間

上升

开启

秋天

打开-O FF

时间

½½

½½½

Ｔ½½½ Ｃ½½½½½½½½

Ｖ

ＣＥ

= 600V, Ｖ

ＧＥ

= 0V

Ｖ

ＧＥ

= ±20V,Ｖ

ＣＥ

= 0V

Ｉ

Ｃ

= 600A,Ｖ

ＧＥ

= 15V

Ｖ

ＣＥ

= 5V,Ｉ

Ｃ

= 600毫安

Ｖ

ＣＥ

= 10V,Ｖ

ＧＥ

= 0V,½= 1MH

Ｚ

Ｖ

ＣＣ

Ｒ

Ｌ

Ｒ

Ｇ

Ｖ

ＧＥ

300V

0.5Ω

2.0Ω

±15V

Ｍ½½.

－

４.０

－

Ｔ½½.

－

２.１

－

30,000

０.１５

０.３０

０.１０

０.４０

Ｍ½½.

１.０

２.６

８.０

－

０.３５

０.８５

０.２５

０.８０

Ｕ½½½

½Ａ

μＡ

Ｖ

½Ｆ

Ｃ½½½½½½½½½½½½½

コレクタ遮断電流

集电极 - 发射极截止电流

ゲート漏れ電流

栅极 - 发射极漏电流

コレクタエミッタ間½和電圧

集电极 - 发射极饱和电压

ゲートしきい値電圧

栅极 - 发射极阈值电压

入

力

容

量

输入电容

スイッチング時間

开关时间

μ½

□フリーホイーリングダイオードの特性：

ＦＲＥＥ

Ｉ½½½

順

電

流

正向电流

Ｃ½½½½½½½½½½½½½

順

電

圧

峰值正向电压

逆回復時間

反向恢复时间

ＷＨＥＥＬＩＮＧＤＩＯＤＥＲＡＴＩＮＧＳ＆ＣＨＡＲＡＣＴＥＲＩＳＴＩＣＳ

（Ｔ

Ｃ

＝２５℃）

Ｓ½½½½½

Ｉ

Ｆ

Ｉ

ＦＭ

Ｓ½½½½½

Ｖ

Ｆ

½½

Ｒ½½½½ Ｖ½½½½

６００

１,２００

Ｔ½½½ Ｃ½½½½½½½½

Ｉ

Ｆ

= 600A,Ｖ

ＧＥ

= 0V

Ｉ

Ｆ

= 600A,Ｖ

ＧＥ

= -10V

½i/½t= 1200A/μs

Ｍ½½.

－

Ｔ½½.

１.９

０.１５

Ｍ½½.

２.４

０.２５

Ｕ½½½

Ａ

ＤＣ

１½½

Ｕ½½½

Ｖ

μ½

□ 熱的特性：

ＴＨＥＲＭＡＬＣＨＡＲＡＣＴＥＲＩＳＴＩＣＳ

Ｃ½½½½½½½½½½½½½

熱

抵

抗

ＩＧＢＴ

热阻抗

二极管

Ｓ½½½½½

RTH （J -C ）

Ｔ½½½ Ｃ½½½½½½½½

结到外壳

（TC测定点チップ直下）

Ｍ½½.

－

Ｔ½½.

－

Ｍ½½.

０.０６

０.１４

Ｕ½½½

℃／Ｗ

日本インター株式会社

QS043-402-20394 （3/5）

ＰＨＭＢ６００Ｅ６

ＰＨＭＢ６００Ｅ６Ｃ

Fig.1-

输出特性（典型）

1200

Fig.2-

输出特性（典型）

=25°C

1200

=125°C

=20V

12V

=20V

1000

12V

1000

15V

11V

15V

11V

集电极电流I

(A)

800

集电极电流I

(A)

800

600

10V

600

10V

400

200

集电极到发射极电压V

(V)

集电极到发射极电压V

(V)

Fig.3-

集电极到发射极电压上

主场迎战门到发射极电压（典型值）

Fig.4-

集电极到发射极电压上

主场迎战门到发射极电压（典型值）

=25°C

=125°C

=300A

600A

1200A

=300A

600A

1200A

集电极到发射极电压V

(V)

集电极到发射极电压V

(V)

门到发射极电压V

(V)

门到发射极电压V

(V)

Fig.5-

栅极电荷主场迎战集电极到发射极电压（典型值）

400

350

Fig.6-

电容与集电极到发射极电压（典型值）

300000

=0.5

=25°C

集电极到发射极电压V

(V)

100000

=0V

f=1MH

=25°C

资本投资者入境计划

门到发射极电压V

(V)

300

250

200

150

100

电容C （PF ）

30000

=300V

200V

100V

2500

10000

卓越中心

CRES

3000

1000

500

1000

1500

2000

300

0.1

0.2

0.5

100

200

总栅极电荷Qg （ NC）

集电极到发射极电压V

(V)

日本インター株式会社

QS043-402-20394 （4/5）

ＰＨＭＢ６００Ｅ６

ＰＨＭＢ６００Ｅ６Ｃ

Fig.7-

集电极电流与开关时间（典型）

Fig.8-

系列栅极阻抗与开关时间（典型）

0.8

关闭

=300V

=2.0

=±15V

=25°C

阻性负载

开关时间t（微秒）

=300V

=600A

=±15V

=25°C

阻性负载

开关时间t（微秒）

0.6

0.5

0.4

花花公子

0.2

吨TR

)

0.1

0.05

0.2

R（ V

)

150

300

450

600

750

900

0.02

集电极电流I

(A)

系列栅极阻抗

( )

Fig.9-

集电极电流与开关时间

Fig.10-

系列栅极阻抗与开关时间

关闭

=300V

=2.0

=±15V

=125°C

感性负载

=300V

=600A

=±15V

=125°C

感性负载

开关时间t（微秒）

0.5

0.1

R（ IC ）

花花公子

)

吨

0.2

0.1

0.05

0.01

0.001

150

300

450

600

750

900

0.02

集电极电流I

(A)

系列栅极阻抗

( )

Fig.11-

集电极电流和开关损耗

1000

Fig.12-

系列栅极阻抗与开关损耗

=300V

=600A

=±15V

=125°C

感性负载

切换损失ê

（兆焦耳/脉冲）

关闭

切换损失ê

（兆焦耳/脉冲）

=300V

=2.0

=±15V

=125°C

感性负载

300

关闭

100

150

300

450

600

750

900

集电极电流I

(A)

系列栅极阻抗

( )

日本インター株式会社

QS043-402-20394 （5/5）

ＰＨＭＢ６００Ｅ６

ＰＨＭＢ６００Ｅ６Ｃ

1200

Fig.13-

续流二极管的正向特性

（典型值）

=25°C

=125°C

Fig.14-

反向恢复特性（典型）

1000

峰值反向恢复电流I

RRM

(A)

反向恢复时间trr （ NS ）

500

=600A

=25°C

=125°C

TRR

正向电流I

(A)

800

200

600

100

400

RRM

200

600

1200

1800

2400

3000

3600

正向电压V

(V)

-di / DT （ A / μs）内

Fig.15-

反向偏置安全工作区

5000

2000

1000

500

=2.0 , V

= ± 15V ，T

<125°C

集电极电流I

(A)

200

100

0.5

0.2

0.1

200

400

600

800

集电极到发射极电压V

(V)

Fig.16-

瞬态热阻抗

瞬态热阻抗Rth的

（J -C ）

（ ° C / W）

3x10

-1

FRD

1x10

-1

IGBT

3x10

-2

1x10

-2

3x10

-3

1x10

-3

=25°C

1次脉冲

3x10

-4

-5

-4

-3

-2

-1

时间t （S ）

日本インター株式会社