MOSFET
模块
特点
*沟槽栅MOS FET模块
单800A / 150V
外形绘图
PHM8001
*超低RDS（ON） 1.4毫欧（ @ 800A ）
*具有快速恢复源极 - 漏极二极管
电路
典型应用
*斩波控制叉车
最大完全评级
评级
漏源电压（V
GS
=0V)
栅 - 源电压
连续漏电流
Duty=50%
特区
大约重量： 650克
符号
V
DSS
V
GSS
I
D
I
DM
P
D
T
jw
T
英镑
V
ISO
F
器
M4
M8
PHM8001
150
+/ - 20
800 （TC = 25 ° C）
640 （TC = 25 ° C）
1600锝= 25 ° C）
2,650锝= 25 ° C）
-40到+150
-40到+125
2,500
3.0
1.4
10.5
单位
V
V
A
A
W
°C
°C
V
N·m的
漏电流脉冲
总功耗
工作结温范围
存储温度范围
隔离电压端与交流基地， 1分钟）
模组基地散热器
安装力矩
栅极端子
母线主接线端子
电气特性
（ @ TC = 25 ° C除非另有说明）
特征
符号
测试条件
零栅极电压漏极电流
栅极 - 源极漏电流
门源阈值电压
静态漏源导通电阻
漏源电压
正向跨导
输入电容
输出电容
反向传输电容
上升时间
导通延迟时间
下降时间
打开-O FF延迟时间
I
DSS
I
GSS
V
GS （ TH）
r
DS （ ON）
V
DS （ ON）
g
fs
C
IES
C
OSS
C
RSS
t
r
t
D（上）
V
DS
=V
DSS
,V
GS
=0V
V
GS
=+/- 20V,V
DS
=0V
V
DS
=V
GS
, I
D
=16mA
V
GS
= 10V ，我
D
=800A
V
GS
= 10V ，我
D
=800A
V
DS
= 15V ，我
D
=800A
V
DS
=10V,V
GS
=0V,f=1MHz
V
DD
= 80V
I
D
=400A
V
GS
= -5V, +10V
R
G
= 0.75欧姆
分钟。
-
-
1.0
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
典型值。
-
-
2.0
1.15
1.10
-
165
20
20
500
880
180
1,300
马克斯。
4.8
4.8
3.2
1.4
1.25
-
-
-
-
-
-
-
-
单位
mA
A
V
M-欧姆
V
S
nF
nF
nF
ns
t
f
t
D（关闭）
续流二极管额定值&特性
(Tc=25°C)
特征
符号
测试条件
连续源电流
脉冲源电流
二极管的正向电压
反向恢复时间
I
S
I
SM
V
SD
t
rr
Duty=50%.
哥伦比亚特区（端子温度= 80
°C
-
I
S
=800A
I
S
= 800A ， -dis / DT = 1,600A /
s
分钟。
-
-
-
-
典型值。
-
-
1.10
130
马克斯。
800
650
1,600
1.76
-
单位
A
A
V
ns
单位
° C / W
热CHRACTERISTICS
特征
热阻，结到外壳
热电阻，案件散热器
符号
R
日（J -C ）
R
TH（ C-F ）
测试条件
安装表面平整，光滑，并涂油
分钟。
-
-
典型值。
-
-
马克斯。
0.047
0.035
ＭＯＳＦＥＴ
Ｍ½½½½½
Ｓ½½½½½
特長
*
*
*
*
大容量（800A
DC
）です
トレンチゲートＭＯＳＦＥＴを搭載
８００ Ａ，
１５０Ｖ
□
ＰＨＭ８００１
外 ½ 寸 法 図 ：
ＯＵＴＬＩＮＥ ＤＲＡＷＩＮＧ
Dimension:［mm½
超½R
DS
(on)：１．４mΩ（＠800A）を実現
内臓ダイオードが高速
用途
*
バッテリフォークリフト用チョッパ
*
４８Ｖ級直流電源制御用
結 線 図
□
最 大 定 格
：
ＭＡＸＩＭＵＭ
ＲＡＴＩＮＧＳ
（Ｔ
Ｃ
＝２５℃）
Ｓ½½½½½
Ｖ
ＤＳＳ
Ｖ
ＧＳＳ
Ｉ
Ｄ
Ｉ
ＤＭ
Ｐ
Ｄ
Ｔ
½
Ｔ
½½½
ＡＣ,１½inute)
Ｖ
ＩＳＯ
Ｆ
½½½
Ｍ４
Ｍ８
質量：約650½
Ｉ½½½
ド レ イ ン ½ ス 間 電 圧（Ｖ
ＧＳ
＝０Ｖ）
漏源电压
ゲート½ース間電圧
栅源电压
ド レ イ ン 電 流
漏电流
パルスドレイン電流
漏电流脉冲
全
損
失
总功耗
動 ½ 接 合 温 度
结温范围
保
存
温
度
存储温度范围
绝縁耐圧（终端到基地
隔离电压
Ｄuty=50％
ＤＣ
端子温度=80℃
Ｒ½½½½ Ｖ½½½½
１５０
±２０
８００
６４０
１，６００
２，６５０
４０＋１５０
４０＋１２５
２，５００
３（３０.６）
１.４（１４.３）
１０.５（１０７）
Ｕ½½½
Ｖ
Ｖ
Ａ
Ａ
Ｗ
℃
℃
Ｖ
（ＲＭＳ）
Ｎ½
(kgf½cm)
模组基地散热器
締 め 付 け ト ル ク
安装力矩
母线主接线
□
電 気 的 特 性 ：
ＥＬＥＣＴＲＩＣＡＬ ＣＨＡＲＡＣＴＥＲＩＳＴＩＣＳ
（Ｔ
Ｃ
＝２５℃）
Ｃ½½½½½½½½½½½½½
ドレイン遮断電流
零栅极电压漏极电流
ゲート漏れ電流
栅极 - 源极漏电流
ゲートしきい値電圧
门源阈值电压
ドレイン½ース間オン抵抗（ＭＯＳＦＥＴ部）
漏源导通电阻
ドレイン½ース間オン電圧
漏源电压
順伝達コンダクタンス
正向跨导
入
出
帰
力
力
還
容
容
容
量
输入电容
量
输出电容
量
反向传输电容
上升时间崛起
时间
ターンオン时间开启时间
下降时间坠落
时间
ターンオフ时间关断时间
Ｓ½½½½½
Ｉ
ＤＳＳ
Ｉ
ＧＳＳ
Ｖ
ＧS（½½）
Ｒ
ＤＳ（½½）
Ｖ
ＤＳ（½½）
½fs
Ｃ
½½½
Ｃ
½½½
Ｃ
½½½
½
½
½
½½
½
½
½
½½½
Ｖ
ＧＳ
=0V Ｖ
ＤＳ
=10V
Ｖ
ＤＤ
=80V
Ｉ
Ｄ
=400A
Ｒ
Ｇ
=0.75Ω
Ｖ
ＧＳ
=-5V,+10V
½=1MH
Ｚ
Ｔ½½½ Ｃ½½½½½½½½
Ｖ
ＤＳ
= 150V,Ｖ
ＧＳ
= 0V
Ｖ
ＧＳ
= ±20V,Ｖ
ＤＳ
= 0V
Ｖ
ＤＳ
=Ｖ
ＧＳ
,Ｉ
Ｄ
=20mA
Ｖ
ＧＳ
=10V,Ｉ
Ｄ
=800A
Ｖ
ＧＳ
=10V,Ｉ
Ｄ
=800A
Ｖ
ＤＳ
=15V,Ｉ
Ｄ
=800A
１６５
２０
２０
５００
８８０
１８０
１３００
½Ｆ
½Ｆ
½Ｆ
½½
Ｍ½½.
１.０
Ｔ½½.
２.０
１.１５
１.１０
Ｍ½½.
４.８
４.８
３.２
１.４
１.２５
Ｕ½½½
½Ａ
μＡ
Ｖ
mΩ
Ｖ
スイッチング時間
开关时间
ＭＯＳＦＥＴ
Ｍ½½½½½
Ｓ½½½½½
□内部逆方向ダイオードの定格と特性：
Ｓ½½½½½-Ｄ½½½½
内部逆方向ダイオードの定格と特性
内部逆方向ダイオードの定格と特性
Ｓ½½½½½-
Ｃ½½½½½½½½½½½½½
½ス電流
连续源电流
パルス½ス電流
脉冲源电流
ダイオード順電圧
二极管的正向电压
逆回復時間
反向恢复时间
□
熱 的 特 性
８００ Ａ，
１５０Ｖ
ＰＨＭ８００１
Ｍ½½.
Ｔ½½.
１．
１０
Ｍ½½.
８００
６５０
１６００
１．
７６
１３０
Ｕ½½½
Ａ
Ａ
Ａ
Ｖ
½½
ＤＩＯＤＥ ＲＡＴＩＮＧＳ ＆ ＣＨＡＲＡＣＴＥＲＩＳＴＩＣＳ
（Ｔ
Ｃ
＝２５℃）
Ｓ½½½½½
Ｉ
Ｓ
Ｉ
ＳＭ
Ｖ
ＳＤ
½
½½
Ｉ
Ｓ
=800A
Ｉ
Ｓ
=800A
-½is/½t=1600A/μs
Ｔ½½½ Ｃ½½½½½½½½
Ｄuty=50％
ＤＣ 端子温度=80℃
：
ＴＨＥＲＭＡＬ ＣＨＡＲＡＣＴＥＲＩＳＴＩＣＳ
Ｓ½½½½½
RTH （J -C ）
サマルコンパウンド塗布
安装表面平整，光滑，
与润滑
Ｔ½½½ Ｃ½½½½½½½½
Ｍ½½.
Ｔ½½.
Ｍ½½.
０．
０４７
Ｕ½½½
℃／Ｗ
Ｃ½½½½½½½½½½½½½
接合ケス間熱抵抗
热阻，结到外壳
ケスフイン間熱抵抗
热阻抗，案件散热器
RTH （ C-F ）
０．
０３５
℃／Ｗ
QQ：2880707522 复制
