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PHM25NQ10T
的TrenchMOS 标准水平FET
牧师03 - 2003年9月11日
M3D879
产品数据
1.产品廓
1.1说明
在一个塑料封装，使用N沟道增强型音响场效晶体管
的TrenchMOS 技术。
1.2产品特点
s
SOT96 （ SO - 8 ）兼容的足迹
s
表面贴装封装
s
低热阻
s
低廓。
1.3应用
s
直流 - 直流主侧
s
便携式设备的应用程序。
1.4快速参考数据
s
V
DS
≤
100 V
s
P
合计
≤
62.5 W
s
I
D
≤
30.7 A
s
R
DSON
≤
30 m.
2.管脚信息
表1：
针
1,2,3
4
5,6,7,8
mb
钢钉 - SOT685-1 （ QLPAK ） ，简化的外形和符号
描述
源极（S ）
栅极（G ）
漏极（四）
安装基座
连接到漏极（D）
mb
g
s
[1]
简化的轮廓
1
4
符号
d
8
底部视图
5
MBL585
MBB076
SOT685-1 （ QLPAK ）
[1]
阴影区域表示终端1索引区。
飞利浦半导体
PHM25NQ10T
的TrenchMOS 标准水平FET
3.订购信息
表2：
订购信息
包
名字
PHM25NQ10T
QLPAK
描述
塑料表面贴装封装;没有线索; 8终端。
VERSION
SOT685
类型编号
4.极限值
表3：
极限值
按照绝对最大额定值系统（ IEC 60134 ） 。
符号参数
V
DS
V
DGR
V
GS
I
D
I
DM
P
合计
T
英镑
T
j
I
S
I
SM
漏极 - 源极电压（直流）
漏极 - 栅极电压（直流）
栅极 - 源极电压（直流）
漏电流（ DC ）
峰值漏极电流
总功耗
储存温度
结温
源（二极管的正向）直流（DC ）笔
mb
= 25
°C
峰源（二极管正向）电流T
mb
= 25
°C;
脉冲;吨
p
≤
10
s
非钳位感性负载;
I
D
= 9.9 A;吨
p
= 0.21毫秒; V
DD
≤
100 V;
R
GS
= 50
;
V
GS
= 10 V ;起始物为
j
= 25
°C
非钳位感性负载;
I
D
= 1 ;牛逼
p
= 0.021毫秒; V
DD
≤
100 V;
R
GS
= 50
;
V
GS
= 10 V
[1]
[2]
条件
25
°C ≤
T
j
≤
150
°C
25
°C ≤
T
j
≤
150
°C;
R
GS
= 20 k
T
mb
= 25
°C;
V
GS
= 10 V;
图2
和
3
T
mb
= 100
°C;
V
GS
= 10 V;
图2
T
mb
= 25
°C;
脉冲;吨
p
≤
10
s;
科幻gure 3
T
mb
= 25
°C;
图1
民
-
-
-
-
-
-
-
55
55
-
-
-
最大
100
100
±20
30.7
19.4
60
62.5
+150
+150
30.7
60
170
单位
V
V
V
A
A
A
W
°C
°C
A
A
mJ
源极 - 漏极二极管
雪崩耐用性
E
DS （ AL ）S
非重复性的漏极 - 源极
雪崩能量
E
DS （ AL ）R
重复的漏源雪崩
能源
-
1.70
mJ
[1]
[2]
占空比限制的最高结温。
重复雪崩失败不是由热效应简单地确定。重复雪崩瞬态应该只适用于短
脉冲串，而不是每一个开关周期。
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飞利浦半导体
PHM25NQ10T
的TrenchMOS 标准水平FET
120
PDER
(%)
80
03aa15
120
伊德尔
(%)
80
03aa23
40
40
0
0
50
100
150
200
TMB （
°
C)
0
0
50
100
150
200
TMB （
°
C)
P
合计
P
DER
=
----------------------
×
100%
-
P
°
合计
(
25 C
)
I
D
I
DER
=
-------------------
×
100%
I
°
D
(
25 C
)
看图1，归一化的总功耗为
功能安装基座的温度。
图2.归连续漏极电流为
功能安装基座的温度。
102
ID
(A)
TP = 10
s
100
s
03aj36
10
限制导通电阻= VDS / ID
1毫秒
DC
10毫秒
1
10-1
1
10
102
VDS （ V）
103
T
mb
= 25
°C;
I
DM
是单脉冲; V
GS
= 10 V
图3.安全工作区;连续和峰值漏电流与漏 - 源极电压的函数。
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飞利浦半导体
PHM25NQ10T
的TrenchMOS 标准水平FET
5.热特性
表4：
R
日（ J- MB ）
热特性
条件
最小典型最大单位
-
-
2
K / W
从结热阻安装基座
图4
符号参数
5.1瞬态热阻抗
10
第Z （ J- MB ）
（K / W）
1
δ
= 0.5
0.2
0.1
10-1
0.05
0.02
03aj35
10-2
单脉冲
P
δ
=
tp
T
tp
T
10-3
10-5
10-4
10-3
10-2
10-1
t
TP （多个）
1
图4.瞬态从结的热阻抗，以安装基座的脉冲持续时间的函数。
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PHM25NQ10T
的TrenchMOS 标准水平FET
6.特性
表5：
特征
T
j
= 25
°
C除非另有规定ED 。
符号参数
静态特性
V
（ BR ） DSS
漏源击穿电压
I
D
= 250
A;
V
GS
= 0 V
T
j
= 25
°C
T
j
=
55 °C
V
GS （ TH）
门源阈值电压
I
D
= 1毫安; V
DS
= V
GS
;
图9
T
j
= 25
°C
T
j
= 150
°C
T
j
=
55 °C
I
DSS
漏极 - 源极漏电流
V
DS
= 80 V; V
GS
= 0 V
T
j
= 25
°C
T
j
= 150
°C
I
GSS
R
DSON
栅极 - 源极漏电流
漏源导通电阻
V
GS
=
±20
V; V
DS
= 0 V
V
GS
= 10 V ;我
D
= 10 A;
图7
和
8
T
j
= 25
°C
T
j
= 150
°C
动态特性
Q
G（ TOT ）
Q
gs
Q
gd
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
V
SD
t
rr
Q
r
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极（米勒）电荷
输入电容
输出电容
反向传输电容
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
源极 - 漏极（二极管的正向）电压余
S
= 10 A; V
GS
= 0 V;
图12
反向恢复时间
恢复电荷
I
S
= 4 A;的dI
S
/ DT =
100
A / μs的; V
GS
= 0 V
V
DD
= 50 V ;
L
= 56
;
V
GS
= 10 V ;
G
= 5.6
V
GS
= 0 V; V
DS
= 20V; F = 1兆赫;
图11
I
D
= 25 A; V
DD
= 50 V; V
GS
= 10 V;
图13
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
26.6
8.4
6.6
275
80
18
10
42
29
0.85
70
95
-
-
-
-
-
-
-
-
-
1.2
-
-
nC
nC
nC
pF
pF
pF
ns
ns
ns
ns
V
ns
nC
-
-
26.5
58.3
30
66
m
m
-
-
-
-
-
10
1
100
100
A
A
nA
2
1.2
-
3
-
-
4
-
4.4
V
V
V
100
89
-
-
-
-
V
V
条件
民
典型值
最大
单位
1800 -
源极 - 漏极二极管
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