PHKD13N03LT
M3D315
双重的TrenchMOS 逻辑电平FET
版本01 - 2003年6月23日
产品数据
1.产品廓
1.1说明
双N沟道增强型网络场效果的塑料包装使用的晶体管
的TrenchMOS 技术。
产品可用性：
PHKD13N03LT在SOT96-1 （ SO8 ） 。
1.2产品特点
s
低栅电荷
s
低通态电阻
s
表面贴装封装
s
快速切换。
1.3应用
s
便携式电器
s
锂离子电池充电器
s
笔记本电脑
s
DC至DC转换器。
1.4快速参考数据
s
V
DS
≤
30 V
s
P
合计
≤
3.57 W
s
I
D
≤
10.4 A
s
R
DSON
≤
20 m
2.管脚信息
表1：
针
1
2
3
4
5,6
7,8
穿针 - SOT96-1 （ SO8 ） ，简化的外形和符号
描述
源1 （ S1 ）
GATE1 g1内
source2中（ s2中）
GATE2 （ g2的）
drain2 （ d2）中
drain1 （ d1）的
1
顶视图
4
MBK187
简化的轮廓
8
5
符号
d1 d1
d2 d2
SOT96-1 （ SO8 ）
s1
g
1
s2
g
2
MBK725
飞利浦半导体
PHKD13N03LT
双重的TrenchMOS 逻辑电平FET
3.极限值
表2：
极限值
按照绝对最大额定值系统（ IEC 60134 ） 。
符号参数
V
DS
V
DGR
V
GS
I
D
I
DM
P
合计
T
英镑
T
j
I
S
I
SM
[1]
条件
25
°C ≤
T
j
≤
150
°C
25
°C ≤
T
j
≤
150
°C;
R
GS
= 20 k
T
sp
= 25
°C;
V
GS
= 10 V;
图2
和
3
T
sp
= 100
°C;
V
GS
= 10 V;
图2
T
sp
= 25
°C;
脉冲;吨
p
≤
10
s;
科幻gure 3
T
sp
= 25
°C;
图1
[1]
[1]
[1]
民
-
-
-
-
-
-
-
55
55
[1]
[1]
最大
30
30
±20
10.4
6.6
42
3.57
+150
+150
3.2
42
单位
V
V
V
A
A
A
W
°C
°C
A
A
漏极 - 源极电压（直流）
漏极 - 栅极电压（直流）
栅极 - 源极电压（直流）
漏电流（ DC ）
峰值漏极电流
总功耗
储存温度
结温
源极 - 漏极二极管
源（二极管的正向）直流（DC ）笔
sp
= 25
°C
峰源（二极管正向）电流T
sp
= 25
°C;
脉冲;吨
p
≤
10
s
单个器件导通。
-
-
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产品数据
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2 12
飞利浦半导体
PHKD13N03LT
双重的TrenchMOS 逻辑电平FET
120
PDER
(%)
80
03aa17
120
伊德尔
(%)
80
03aa25
40
40
0
0
50
100
150
TSP （ ° C）
200
0
0
50
100
150
200
TSP （
°
C)
P
合计
P
DER
=
----------------------
×
100%
-
P
°
合计
(
25 C
)
V
GS
≥
5 V
I
D
I
DER
=
-------------------
×
100%
I
°
D
(
25 C
)
看图1，归一化的总功耗为
功能的焊料点的温度。
图2.归连续漏极电流为
功能的焊料点的温度。
102
003aaa368
ID
(A)
限制导通电阻= VDS / ID
TP = 10
s
10
100
s
1毫秒
10毫秒
1
DC
100毫秒
10-1
10-1
1
10
VDS （ V）
102
T
sp
= 25
°C;
I
DM
是单脉冲
图3.安全工作区;连续和峰值漏电流与漏 - 源极电压的函数。
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4.热特性
表3：
R
日（J -SP ）
R
号（j -a）的
热特性
条件
图4
最小的足迹;
安装在印刷电路板
民
-
-
典型值
-
70
最大
35
-
单位
K / W
K / W
从结热阻焊接
点
从结点到环境的热阻
符号参数
4.1瞬态热阻抗
102
第Z （J -SP ）
（K / W）
003aaa415
δ
= 0.5
10
0.2
0.1
0.05
0.02
1
单脉冲
P
δ
=
tp
T
tp
T
10-1
10-4
10-3
10-2
10-1
1
t
TP （多个）
10
图4.瞬态结点的热阻抗焊接点，作为脉冲持续时间的函数。
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产品数据
1.产品廓
1.1说明
双N沟道增强型网络场效果的塑料包装使用的晶体管
的TrenchMOS 技术。
产品可用性：
PHKD13N03LT在SOT96-1 （ SO8 ） 。
1.2产品特点
s
低栅电荷
s
低通态电阻
s
表面贴装封装
s
快速切换。
1.3应用
s
便携式电器
s
锂离子电池充电器
s
笔记本电脑
s
DC至DC转换器。
1.4快速参考数据
s
V
DS
≤
30 V
s
P
合计
≤
3.57 W
s
I
D
≤
10.4 A
s
R
DSON
≤
20 m
2.管脚信息
表1：
针
1
2
3
4
5,6
7,8
穿针 - SOT96-1 （ SO8 ） ，简化的外形和符号
描述
源1 （ S1 ）
GATE1 g1内
source2中（ s2中）
GATE2 （ g2的）
drain2 （ d2）中
drain1 （ d1）的
1
顶视图
4
MBK187
简化的轮廓
8
5
符号
d1 d1
d2 d2
SOT96-1 （ SO8 ）
s1
g
1
s2
g
2
MBK725
飞利浦半导体
PHKD13N03LT
双重的TrenchMOS 逻辑电平FET
3.极限值
表2：
极限值
按照绝对最大额定值系统（ IEC 60134 ） 。
符号参数
V
DS
V
DGR
V
GS
I
D
I
DM
P
合计
T
英镑
T
j
I
S
I
SM
[1]
条件
25
°C ≤
T
j
≤
150
°C
25
°C ≤
T
j
≤
150
°C;
R
GS
= 20 k
T
sp
= 25
°C;
V
GS
= 10 V;
图2
和
3
T
sp
= 100
°C;
V
GS
= 10 V;
图2
T
sp
= 25
°C;
脉冲;吨
p
≤
10
s;
科幻gure 3
T
sp
= 25
°C;
图1
[1]
[1]
[1]
民
-
-
-
-
-
-
-
55
55
[1]
[1]
最大
30
30
±20
10.4
6.6
42
3.57
+150
+150
3.2
42
单位
V
V
V
A
A
A
W
°C
°C
A
A
漏极 - 源极电压（直流）
漏极 - 栅极电压（直流）
栅极 - 源极电压（直流）
漏电流（ DC ）
峰值漏极电流
总功耗
储存温度
结温
源极 - 漏极二极管
源（二极管的正向）直流（DC ）笔
sp
= 25
°C
峰源（二极管正向）电流T
sp
= 25
°C;
脉冲;吨
p
≤
10
s
单个器件导通。
-
-
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飞利浦半导体
PHKD13N03LT
双重的TrenchMOS 逻辑电平FET
120
PDER
(%)
80
03aa17
120
伊德尔
(%)
80
03aa25
40
40
0
0
50
100
150
TSP （ ° C）
200
0
0
50
100
150
200
TSP （
°
C)
P
合计
P
DER
=
----------------------
×
100%
-
P
°
合计
(
25 C
)
V
GS
≥
5 V
I
D
I
DER
=
-------------------
×
100%
I
°
D
(
25 C
)
看图1，归一化的总功耗为
功能的焊料点的温度。
图2.归连续漏极电流为
功能的焊料点的温度。
102
003aaa368
ID
(A)
限制导通电阻= VDS / ID
TP = 10
s
10
100
s
1毫秒
10毫秒
1
DC
100毫秒
10-1
10-1
1
10
VDS （ V）
102
T
sp
= 25
°C;
I
DM
是单脉冲
图3.安全工作区;连续和峰值漏电流与漏 - 源极电压的函数。
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双重的TrenchMOS 逻辑电平FET
4.热特性
表3：
R
日（J -SP ）
R
号（j -a）的
热特性
条件
图4
最小的足迹;
安装在印刷电路板
民
-
-
典型值
-
70
最大
35
-
单位
K / W
K / W
从结热阻焊接
点
从结点到环境的热阻
符号参数
4.1瞬态热阻抗
102
第Z （J -SP ）
（K / W）
003aaa415
δ
= 0.5
10
0.2
0.1
0.05
0.02
1
单脉冲
P
δ
=
tp
T
tp
T
10-1
10-4
10-3
10-2
10-1
1
t
TP （多个）
10
图4.瞬态结点的热阻抗焊接点，作为脉冲持续时间的函数。
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产品数据
版本01 - 2003年6月23日
4 12
PHKD13N03LT
双N沟道的TrenchMOS逻辑电平FET
版本03 - 2010年4月27日
产品数据表
1.产品廓
1.1概述
双重逻辑电平N沟道增强型场效应晶体管（ FET）在一个塑料
包装用的TrenchMOS技术。本产品的设计和合格的使用
计算，通信，消费电子和唯一的工业应用。
1.2特点和优点
低导通损耗是由于低
导通状态电阻
由于要求低的简单栅极驱动
栅极电荷
适用于高频
由于快速开关应用
特征
1.3应用
的DC- DC转换器
锂离子电池应用
笔记本电脑
便携式设备
1.4快速参考数据
表1中。
符号
V
DS
I
D
P
合计
快速参考数据
参数
漏源电压
漏电流
总功率
耗散
条件
T
j
≥
25 ℃;牛逼
j
≤
150 °C
T
sp
= 25 ℃; V
GS
= 10 V;
SEE
图1 ;
SEE
科幻gure 3
T
sp
= 25°C ;看
图2
[1]
民
-
-
-
典型值
-
-
-
最大单位
30
V
10.4 A
3.57 W
静态特性
R
DSON
漏源通态V
GS
= 10 V ;我
D
= 8 A;
阻力
T
j
= 25°C ;看
图9 ;
SEE
图10
栅极 - 漏极电荷
V
GS
= 5 V ;我
D
= 5 A;
V
DS
= 15 V ;牛逼
j
= 25 °C;
SEE
图11
-
17
20
m
动态特性
Q
GD
-
3.9
-
nC
[1]
单个器件导通。
恩智浦半导体
PHKD13N03LT
双N沟道的TrenchMOS逻辑电平FET
2.管脚信息
表2中。
针
1
2
3
4
5
6
7
8
管脚信息
符号说明
S1
G1
S2
G2
D2
D2
D1
D1
source1
gate1
source2
gate2
drain2
drain2
drain1
漏
1
4
S1
G1
S2
G2
mbk725
简化的轮廓
8
5
图形符号
D1 D1
D2 D2
SOT96-1 （ SO8 ）
3.订购信息
表3中。
订购信息
包
名字
PHKD13N03LT
SO8
描述
塑料小外形封装; 8线索;体宽3.9毫米
VERSION
SOT96-1
类型编号
4.极限值
表4 。
符号
V
DS
V
DGR
V
GS
I
D
极限值
参数
漏源电压
漏极 - 栅极电压
栅源电压
漏电流
T
sp
= 100℃ ; V
GS
= 10 V ;看
图1
T
sp
= 25 ℃; V
GS
= 10 V ;看
图1 ;
SEE
科幻gure 3
I
DM
P
合计
T
英镑
T
j
I
S
I
SM
[1]
[1]
[1]
按照绝对最大额定值系统（ IEC 60134 ） 。
条件
T
j
≥
25 ℃;牛逼
j
≤
150 °C
T
j
≥
25 ℃;牛逼
j
≤
150 ℃;
GS
= 20 k
民
-
-
-20
-
-
-
-
-55
-55
T
sp
= 25 °C
T
sp
= 25°C ;吨
p
≤
10微秒;脉冲
[1]
[1]
典型值
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
最大
30
30
20
6.6
10.4
42
3.57
150
150
3.2
42
单位
V
V
V
A
A
A
W
°C
°C
A
A
峰值漏极电流
总功耗
储存温度
结温
源出电流
峰源电流
单个器件导通。
T
sp
= 25°C ;吨
p
≤
10微秒;脉冲;
SEE
科幻gure 3
T
sp
= 25°C ;看
图2
[1]
源极 - 漏极二极管
-
-
PHKD13N03LT
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产品数据表
版本03 - 2010年4月27日
2 13
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