飞利浦半导体
产品speci fi cation
N沟道的TrenchMOS
TM
晶体管
PHK5NQ10T
归一化功率降额， PD （ ％ ）
100
90
80
70
60
50
40
30
20
10
0
0
25
50
75
100
环境温度，钽（℃）
125
150
100
瞬态热阻抗，第Z J- A（ K / W）
D = 0.5
0.2
10
0.1
0.05
1
0.02
单脉冲
0.1
T
0.01
1E-06
1E-05
1E-04
1E-03
1E-02
1E-01
1E+00
1E+01
P
D
D = TP / T
tp
脉冲宽度TP （多个）
图1 。归一化的功率耗散。
PD ％ = 100
P
D
/P
D 25 C
= F （T
a
)
图4 。瞬态热阻抗。
Z
日J-一
= F（T） ;参数D = T
p
/T
漏极电流ID （ A）
VGS = 10V
8V
6V
TJ = 25℃
归一化电流降额， ID （ ％ ）
100
90
80
70
60
50
40
30
20
10
0
0
25
50
75
100
环境温度，钽（℃）
125
150
20
18
16
14
12
10
8
6
4
2
0
0
5V
4.8 V
4.6 V
4.4 V
4.2 V
4V
0.2
0.4
0.6
0.8
1
1.2
1.4
漏 - 源电压， VDS （V ）
1.6
1.8
2
图2 。正常化的连续漏极电流。
ID％ = 100
I
D
/I
D 25 C
= F （T
a
); V
GS
≥
10 V
峰值漏电流脉冲， IDM （ A）
图5 。典型的输出特性，T
j
= 25 C.
I
D
= F（V
DS
)
100
0.2
RDS （ ON）= VDS / ID
10
TP = 10我们
100美
1毫秒
1
特区
0.1
10毫秒
100毫秒
0.18
0.16
0.14
0.12
0.1
0.08
0.06
0.04
0.02
0.01
0.1
1
10
100
漏 - 源电压， VDS （V ）
1000
0
漏极 - 源极导通电阻， RDS （ ON） （欧姆）
4.2
4.4
4.6
4.8
5V
TJ = 25℃
8V
6V
VGS = 10V
0
2
4
6
8
10
12
漏极电流ID （ A）
14
16
18
20
如图3所示。安全工作区
I
D
＆放大器;我
DM
= F（V
DS
); I
DM
单脉冲;参数t
p
图6 。典型通态电阻，T
j
= 25 C.
R
DS （ ON）
= F（我
D
)
1999年8月
3
启1.000
飞利浦半导体
产品speci fi cation
N沟道的TrenchMOS
TM
晶体管
PHK5NQ10T
漏极电流ID （ A）
10
9
8
7
6
5
4
3
2
1
0
0
1
2
3
4
5
6
栅 - 源电压，V GS （V）的
150 C
TJ = 25℃
VDS > ID X RDS （ ON）
4.5
4
3.5
3
2.5
2
1.5
1
0.5
0
阈值电压VGS （ TO ） （V ）
最大
典型
最低
-60
-40
-20
0
20
40
60
80
100 120 140 160 180
结温TJ（ C）
图7 。典型的传输特性。
I
D
= F（V
GS
)
跨导， GFS （ S）
VDS > ID X RDS （ ON）
20
图10 。栅极阈值电压。
V
GS （ TO ）
= F （T
j
） ;条件：我
D
= 1毫安; V
DS
= V
GS
漏极电流ID （ A）
25
1.0E-01
TJ = 25℃
1.0E-02
最低
典型
15
150 C
1.0E-03
10
1.0E-04
最大
5
1.0E-05
0
0
1
2
3
4
5
6
漏极电流ID （ A）
7
8
9
10
1.0E-06
0
0.5
1
1.5
2
2.5
3
3.5
栅 - 源电压，V GS （V）的
4
4.5
5
图8 。典型的跨导，T
j
= 25 C.
g
fs
= F（我
D
)
正规化的导通状态电阻
2.9
2.7
2.5
2.3
2.1
1.9
1.7
1.5
1.3
1.1
0.9
0.7
0.5
-60
-40
-20
0
20 40 60 80 100 120 140 160 180
结温TJ（ C）
图11 。亚阈值漏电流。
I
D
= F（V
GS ）
;条件：T已
j
= 25 ℃; V
DS
= V
GS
10000
电容，西塞，科斯，的Crss （PF ）
西塞
1000
科斯
100
CRSS
10
0.1
1
10
漏 - 源电压， VDS （V ）
100
图9 。正常化漏极 - 源极导通电阻。
一 - R的
DS （ ON）
/R
DS （ ON） 25 C
= F （T
j
)
图12 。典型的电容，C
国际空间站
, C
OSS
, C
RSS
.
C = F（V
DS
） ;条件： V
GS
= 0 V ; F = 1 MHz的
1999年8月
4
启1.000
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