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PHK12NQ03LT
N沟道的TrenchMOS 逻辑电平FET
M3D315
牧师02 - 2004年3月2日
产品数据
1.产品廓
1.1说明
在一个塑料封装，使用N沟道增强型音响场效晶体管
的TrenchMOS 技术。
1.2产品特点
s
低通态电阻
s
快速切换。
1.3应用
s
的DC- DC转换器
s
便携式设备的应用程序。
1.4快速参考数据
s
V
DS
≤
30 V
s
P
合计
≤
2.5 W
s
I
D
≤
11.8 A
s
R
DSON
≤
14 m
2.管脚信息
表1：
针
1,2,3
4
5,6,7,8
穿针 - SOT96-1 （ SO8 ） ，简化的外形和符号
描述
源极（S ）
栅极（G ）
漏极（四）
g
简化的轮廓
8
5
符号
d
1
顶视图
4
MBK187
MBB076
s
SOT96-1 （ SO8 ）
3.订购信息
表2：
订购信息
包
名字
PHK12NQ03LT
SO8
描述
塑料小外形封装; 8线索
VERSION
SOT96
类型编号
飞利浦半导体
PHK12NQ03LT
N沟道的TrenchMOS 逻辑电平FET
4.极限值
表3：
极限值
按照绝对最大额定值系统（ IEC 60134 ） 。
符号参数
V
DS
V
GS
I
D
I
DM
P
合计
T
英镑
T
j
I
S
漏极 - 源极电压（直流）
栅源电压
漏电流
峰值漏极电流
总功耗
储存温度
结温
源（二极管正向）电流
T
AMB
= 25
°C;
脉冲;吨
p
≤
10 s
非钳位感性负载;我
D
= 7.7 A;
t
p
= 2.35毫秒; V
DD
≤
30 V; V
GS
= 10 V;
起始物为
j
= 25
°C
T
AMB
= 25
°C;
脉冲;吨
p
≤
10 s;
图2
和
3
T
AMB
= 25
°C;
脉冲;吨
p
≤
10
s;
科幻gure 3
T
AMB
= 25
°C;
脉冲;吨
p
≤
10 s;
图1
条件
25
°C ≤
T
j
≤
150
°C
民
-
-
-
-
-
55
55
-
-
最大
30
±20
11.8
35.3
2.5
+150
+150
11.8
440
单位
V
V
A
A
W
°C
°C
A
mJ
源极 - 漏极二极管
雪崩耐用性
E
DS （ AL ）S
非重复性的漏极 - 源极
雪崩能量
9397 750 12955
皇家飞利浦电子股份有限公司2004版权所有。
产品数据
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飞利浦半导体
PHK12NQ03LT
N沟道的TrenchMOS 逻辑电平FET
120
PDER
(%)
80
03aa11
120
伊德尔
(%)
80
03aa19
40
40
0
0
50
100
150
200
TAMB （
°
C)
0
0
50
100
150
200
TAMB （
°
C)
P
合计
P
DER
=
----------------------
×
100%
-
P
°
合计
(
25 C
)
V
GS
≥
5 V
I
D
I
DER
=
-------------------
×
100%
I
°
D
(
25 C
)
看图1，归一化的总功耗为
功能环境温度。
图2.归连续漏极电流为
功能环境温度。
102
ID
(A)
10
限制导通电阻= VDS / ID
TP = 10
s
100
s
003aaa160
1毫秒
1
DC
10毫秒
1s
10-1
10 s
10-2
10-1
1
10
VDS （ V）
102
T
AMB
= 25
°C;
I
DM
是单脉冲
图3.安全工作区;连续和峰值漏电流与漏 - 源极电压的函数。
9397 750 12955
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N沟道的TrenchMOS 逻辑电平FET
5.热特性
表4：
R
号（j -a）的
热特性
条件
安装在印刷电路板上;
最小的足迹;吨
p
≤
10 s;
图4
最小典型最大单位
-
-
50
K / W
从结点到环境的热阻
符号参数
5.1瞬态热阻抗
102
第Z （ J- AMB ）
（K / W）
0.2
10
0.1
0.05
δ
= 0.5
003aaa161
0.02
1
单脉冲
10-1
10-4
10-3
10-2
10-1
1
10
TP （多个）
102
图4.瞬态结热阻抗到环境作为脉冲持续时间的函数。
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N沟道的TrenchMOS 逻辑电平FET
6.特性
表5：
特征
T
j
= 25
°
C除非另有规定ED 。
符号参数
静态特性
V
（ BR ） DSS
漏源击穿电压
V
GS （ TH）
I
DSS
门源阈值电压
漏极 - 源极漏电流
I
D
= 250
A;
V
GS
= 0 V
I
D
= 250
A;
V
DS
= V
GS
; T
j
= 25
°C;
图9
V
DS
= 24 V; V
GS
= 0 V
T
j
= 25
°C
T
j
= 100
°C
I
GSS
R
DSON
栅极 - 源极漏电流
漏源导通电阻
V
GS
=
±20
V; V
DS
= 0 V
V
GS
= 4.5 V ;我
D
= 10 A;
图8
V
GS
= 10 V ;我
D
= 12 A;
图8
动态特性
g
fs
Q
G（ TOT ）
Q
gs
Q
gd
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
V
SD
t
rr
正向跨导
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极（米勒）电荷
输入电容
输出电容
反向传输电容
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
源极 - 漏极（二极管的正向）电压余
S
= 1 ; V
GS
= 0 V;
图12
反向恢复时间
I
S
= 2.3 A;的dI
S
/ DT =
100
A / μs的; V
GS
= 0 V
V
DD
= 16 V ;
D
= 10
;
V
GS
= 10 V
V
GS
= 0 V; V
DS
= 16 V ; F = 1兆赫;
图11
V
DS
= 15 V ;我
D
= 10 A;
I
D
= 15 A; V
DD
= 16 V; V
GS
= 5 V;
图13
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
34
17.6
4
4.4
391
190
10.6
11.7
37
19
0.7
70
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
1.0
-
S
nC
nC
nC
pF
pF
pF
ns
ns
ns
ns
V
ns
-
-
-
-
-
11
8.9
-
-
1
5
100
14
10.5
A
A
nA
m
m
30
1
-
-
-
2
V
V
条件
民
典型值
最大
单位
1335 -
源极 - 漏极（反向）二极管
9397 750 12955
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产品数据
1.产品廓
1.1说明
在一个塑料封装，使用N沟道增强型音响场效晶体管
的TrenchMOS 技术。
1.2产品特点
s
低通态电阻
s
快速切换。
1.3应用
s
的DC- DC转换器
s
便携式设备的应用程序。
1.4快速参考数据
s
V
DS
≤
30 V
s
P
合计
≤
2.5 W
s
I
D
≤
11.8 A
s
R
DSON
≤
14 m
2.管脚信息
表1：
针
1,2,3
4
5,6,7,8
穿针 - SOT96-1 （ SO8 ） ，简化的外形和符号
描述
源极（S ）
栅极（G ）
漏极（四）
g
简化的轮廓
8
5
符号
d
1
顶视图
4
MBK187
MBB076
s
SOT96-1 （ SO8 ）
3.订购信息
表2：
订购信息
包
名字
PHK12NQ03LT
SO8
描述
塑料小外形封装; 8线索
VERSION
SOT96
类型编号
飞利浦半导体
PHK12NQ03LT
N沟道的TrenchMOS 逻辑电平FET
4.极限值
表3：
极限值
按照绝对最大额定值系统（ IEC 60134 ） 。
符号参数
V
DS
V
GS
I
D
I
DM
P
合计
T
英镑
T
j
I
S
漏极 - 源极电压（直流）
栅源电压
漏电流
峰值漏极电流
总功耗
储存温度
结温
源（二极管正向）电流
T
AMB
= 25
°C;
脉冲;吨
p
≤
10 s
非钳位感性负载;我
D
= 7.7 A;
t
p
= 2.35毫秒; V
DD
≤
30 V; V
GS
= 10 V;
起始物为
j
= 25
°C
T
AMB
= 25
°C;
脉冲;吨
p
≤
10 s;
图2
和
3
T
AMB
= 25
°C;
脉冲;吨
p
≤
10
s;
科幻gure 3
T
AMB
= 25
°C;
脉冲;吨
p
≤
10 s;
图1
条件
25
°C ≤
T
j
≤
150
°C
民
-
-
-
-
-
55
55
-
-
最大
30
±20
11.8
35.3
2.5
+150
+150
11.8
440
单位
V
V
A
A
W
°C
°C
A
mJ
源极 - 漏极二极管
雪崩耐用性
E
DS （ AL ）S
非重复性的漏极 - 源极
雪崩能量
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N沟道的TrenchMOS 逻辑电平FET
120
PDER
(%)
80
03aa11
120
伊德尔
(%)
80
03aa19
40
40
0
0
50
100
150
200
TAMB （
°
C)
0
0
50
100
150
200
TAMB （
°
C)
P
合计
P
DER
=
----------------------
×
100%
-
P
°
合计
(
25 C
)
V
GS
≥
5 V
I
D
I
DER
=
-------------------
×
100%
I
°
D
(
25 C
)
看图1，归一化的总功耗为
功能环境温度。
图2.归连续漏极电流为
功能环境温度。
102
ID
(A)
10
限制导通电阻= VDS / ID
TP = 10
s
100
s
003aaa160
1毫秒
1
DC
10毫秒
1s
10-1
10 s
10-2
10-1
1
10
VDS （ V）
102
T
AMB
= 25
°C;
I
DM
是单脉冲
图3.安全工作区;连续和峰值漏电流与漏 - 源极电压的函数。
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5.热特性
表4：
R
号（j -a）的
热特性
条件
安装在印刷电路板上;
最小的足迹;吨
p
≤
10 s;
图4
最小典型最大单位
-
-
50
K / W
从结点到环境的热阻
符号参数
5.1瞬态热阻抗
102
第Z （ J- AMB ）
（K / W）
0.2
10
0.1
0.05
δ
= 0.5
003aaa161
0.02
1
单脉冲
10-1
10-4
10-3
10-2
10-1
1
10
TP （多个）
102
图4.瞬态结热阻抗到环境作为脉冲持续时间的函数。
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6.特性
表5：
特征
T
j
= 25
°
C除非另有规定ED 。
符号参数
静态特性
V
（ BR ） DSS
漏源击穿电压
V
GS （ TH）
I
DSS
门源阈值电压
漏极 - 源极漏电流
I
D
= 250
A;
V
GS
= 0 V
I
D
= 250
A;
V
DS
= V
GS
; T
j
= 25
°C;
图9
V
DS
= 24 V; V
GS
= 0 V
T
j
= 25
°C
T
j
= 100
°C
I
GSS
R
DSON
栅极 - 源极漏电流
漏源导通电阻
V
GS
=
±20
V; V
DS
= 0 V
V
GS
= 4.5 V ;我
D
= 10 A;
图8
V
GS
= 10 V ;我
D
= 12 A;
图8
动态特性
g
fs
Q
G（ TOT ）
Q
gs
Q
gd
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
V
SD
t
rr
正向跨导
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极（米勒）电荷
输入电容
输出电容
反向传输电容
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
源极 - 漏极（二极管的正向）电压余
S
= 1 ; V
GS
= 0 V;
图12
反向恢复时间
I
S
= 2.3 A;的dI
S
/ DT =
100
A / μs的; V
GS
= 0 V
V
DD
= 16 V ;
D
= 10
;
V
GS
= 10 V
V
GS
= 0 V; V
DS
= 16 V ; F = 1兆赫;
图11
V
DS
= 15 V ;我
D
= 10 A;
I
D
= 15 A; V
DD
= 16 V; V
GS
= 5 V;
图13
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
34
17.6
4
4.4
391
190
10.6
11.7
37
19
0.7
70
-
-
-
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-
-
-
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1.0
-
S
nC
nC
nC
pF
pF
pF
ns
ns
ns
ns
V
ns
-
-
-
-
-
11
8.9
-
-
1
5
100
14
10.5
A
A
nA
m
m
30
1
-
-
-
2
V
V
条件
民
典型值
最大
单位
1335 -
源极 - 漏极（反向）二极管
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