PHK04P02T
P沟道垂直D- MOS逻辑电平FET
版本02 - 2010年12月14日
产品数据表
1.产品廓
1.1概述
逻辑电平P沟道增强型场效应晶体管（FET ）中的塑料
包装采用垂直D- MOS技术。本产品的设计和合格的使用
在计算，通信，消费电子和唯一的工业应用。
1.2特点和优点
适用于高频
由于快速开关应用
特征
适用于逻辑电平栅极驱动
来源
适合于非常低的栅极驱动器
电压源
1.3应用
电池供电应用
高速数字接口
1.4快速参考数据
表1中。
符号
V
DS
I
D
P
合计
快速参考数据
参数
漏源电压
漏电流
总功率
耗散
漏极 - 源极导通状态
阻力
V
GS
= -2.5 V ;我
D
= -1 ;牛逼
j
= 25 °C
V
GS
= -4.5 V ;我
D
= -1 ;牛逼
j
= 25 °C
V
GS
= -4.5 V ;我
D
= -1 A;
V
DS
= -10 V ;牛逼
j
= 25 °C
条件
T
j
≥
25 ℃;牛逼
j
≤
150 °C
T
sp
= 25 °C
民
-
-
-
典型值
-
-
-
最大单位
-16
-4.6
6
5
V
A
W
静态特性
R
DSON
-
-
-
117
80
150
120
m
m
nC
动态特性
Q
GD
栅极 - 漏极电荷
1.83 -
恩智浦半导体
PHK04P02T
P沟道垂直D- MOS逻辑电平FET
2.管脚信息
表2中。
针
1
2
3
4
5
6
7
8
管脚信息
符号说明
S
S
S
G
D
D
D
D
来源
来源
来源
门
漏
漏
漏
漏
1
4
S
001aaa025
简化的轮廓
8
5
图形符号
D
G
SOT96-1 （ SO8 ）
3.订购信息
表3中。
订购信息
包
名字
PHK04P02T
SO8
描述
塑料小外形封装; 8线索;体宽3.9毫米
VERSION
SOT96-1
类型编号
4.极限值
表4 。
符号
V
DS
V
DGR
V
GS
I
D
I
DM
P
合计
T
英镑
T
j
I
S
I
SM
极限值
参数
漏源电压
漏极 - 栅极电压
栅源电压
漏电流
峰值漏极电流
总功耗
储存温度
结温
源出电流
峰源电流
T
sp
= 25 °C
T
sp
= 25°C ;脉冲;吨
p
≤
5 s
T
sp
= 100 °C
T
sp
= 25 °C
T
sp
= 25°C ;脉冲
T
sp
= 25 °C
T
sp
= 100 °C
条件
T
j
≥
25 ℃;牛逼
j
≤
150 °C
R
GS
= 20 k
民
-
-
-8
-
-
-
-
-
-55
-55
-
-
最大
-16
-16
8
-1.87
-4.66
-26.4
5
2
150
150
-4.66
-26
单位
V
V
V
A
A
A
W
W
°C
°C
A
A
按照绝对最大额定值系统（ IEC 60134 ） 。
源极 - 漏极二极管
PHK04P02T
本文档中提供的所有信息受法律免责声明。
NXP B.V. 2010保留所有权利。
产品数据表
版本02 - 2010年12月14日
2 12
飞利浦半导体
产品speci fi cation
P沟道增强模式
MOS晶体管
PHK04P02T
归一化功率降额， P合计（ ％ ）
第i个J- SP （K / W）
100
10
1
0.1
单脉冲
D = 0.5
D = 0.2
D = 0.1
D = 0.05
D = 0.02
P
D
tp
D = TP / T
100
90
80
70
60
50
40
30
20
10
0
0
20
40
60
80
100
120
140
160
环境温度，钽（℃）
0.01
0.001
1E-06
1E-02
1E-05
1E-04
1E-03
1E-02
T
1E-01
1E-01
1E+00 1E+01
脉冲宽度TP （多个）
图1 。归一化的功率耗散。
PD ％ = 100P
D
/P
D 25 C
= F （T
a
)
图4 。瞬态热阻抗。
日J- SP
= F（T） ;
参数D = T
p
/T;;
漏极电流ID （ A）
-5
归一化电流降额， ID （ ％ ）
120
100
80
60
40
20
0
0
20
40
60
80
100
120
140
160
环境温度，钽（℃）
-4.5
-4
-3.5
-3
-2.5
-2
-1.5
-1
-0.5
0
0
-4.5 V
-1.8 V
-2.5 V
TJ = 25℃
-1.3 V
-1.2 V
-1.1 V
-1 V
-0.9 V
VGS = -0.8 V
-0.5
-1
-1.5
漏 - 源电压， VDS （V ）
-2
图2 。正常化的连续漏极电流。
ID％ = 100I
D
/I
D 25 C
= F （T
a
） ;条件： V
GS
≤
-10 V
峰值漏电流脉冲， IDM （ A）
TP = 1毫秒
10毫秒
100毫秒
1
图5 。典型的输出特性，T
j
= 25 C.
I
D
= F（V
DS
） ;参数V
GS
漏极 - 源极导通电阻， RDS （ ON） （欧姆）
0.7
0.6
100
-0.8 V
-0.9 V
-1V
-1.1 V -1.2 V
-1.3 V
TJ = 25℃
10
RDS （ ON）= VDS / ID
0.5
0.4
0.3
0.2
-2.5 V
-1.8 V
0.1
DC
0.1
VGS = -4.5V
0
0.01
0.1
1
10
100
漏 - 源电压， VDS （V ）
0
-0.5
-1
-1.5 -2 -2.5 -3
漏极电流ID （ A）
-3.5
-4
-4.5
-5
如图3所示。安全工作区。牛逼
sp
= 25 C;
I
D
＆放大器;我
DM
= F（V
DS
); I
DM
单脉冲;参数t
p
.
图6 。典型通态电阻，T
j
= 25 C.
R
DS （ ON）
= F（我
D
） ;参数V
GS
2002年5月
3
启1.000
飞利浦半导体
产品speci fi cation
P沟道增强模式
MOS晶体管
PHK04P02T
漏极电流ID （ A）
-5
VDS > ID X RDS （ ON）
-4
-3
-2
-1
0
0
-0.5
-1
-1.5
栅 - 源电压，V GS （V）的
-2
TJ = 25℃
150 C
0.7
0.6
0.5
0.4
最低
0.3
0.2
0.1
0
0
25
50
75
100
125
150
结温TJ（ C）
典型
阈值电压VGS （到） ， （ V）
图7 。典型的传输特性;我
D
= F（V
GS
)
图10 。栅极阈值电压。
V
GS （ TO ）
= F （T
j
） ;条件：我
D
= 1毫安; V
DS
= V
GS
漏极电流ID （ A）
1E-01
VDS = -5V
TJ = 25℃
跨导， GFS （ S）
8
7
6
5
4
3
2
1
0
0
-0.2 -0.4 -0.6 -0.8 -1 -1.2 -1.4 -1.6 -1.8 -2 -2.2 -2.4 -2.6
漏极电流ID （ A）
VDS > ID X RDS （ ON）
TJ = 25℃
150 C
1E-02
1E-03
1E-04
1E-05
1E-06
1E-07
-1
-0.9 -0.8 -0.7 -0.6 -0.5 -0.4 -0.3 -0.2 -0.1
栅 - 源电压，V GS （V）的
0
图8 。典型的跨导，T
j
= 25 C.
g
fs
= F（我
D
)
图11 。亚阈值漏电流。
I
D
= F（V
GS ）
;条件：T已
j
= 25 C
电容，西塞，科斯，的Crss （PF ）
1000
西塞
科斯
1.6
1.4
1.2
1.0
0.8
0.6
归一化漏源导通电阻
RDS （ ON） @ TJ
RDS （ ON） @ 25℃
VGS = -4.5 V
-1.8 V
-2.5 V
100
CRSS
0
25
50
75
100
125
150
10
-0.1
结温TJ（ C）
-1.0
-10.0
漏 - 源电压， VDS （V ）
-100.0
图9 。正常化漏极 - 源极导通电阻。
R
DS （ ON）
/R
DS （ ON） 25 C
= F （T
j
)
图12 。典型的电容，C
国际空间站
, C
OSS
, C
RSS
.
C = F（V
DS
） ;条件： V
GS
= 0 V ; F = 1 MHz的
2002年5月
4
启1.000
飞利浦半导体
产品speci fi cation
P沟道增强模式
MOS晶体管
PHK04P02T
归一化功率降额， P合计（ ％ ）
第i个J- SP （K / W）
100
10
1
0.1
单脉冲
D = 0.5
D = 0.2
D = 0.1
D = 0.05
D = 0.02
P
D
tp
D = TP / T
100
90
80
70
60
50
40
30
20
10
0
0
20
40
60
80
100
120
140
160
环境温度，钽（℃）
0.01
0.001
1E-06
1E-02
1E-05
1E-04
1E-03
1E-02
T
1E-01
1E-01
1E+00 1E+01
脉冲宽度TP （多个）
图1 。归一化的功率耗散。
PD ％ = 100P
D
/P
D 25 C
= F （T
a
)
图4 。瞬态热阻抗。
日J- SP
= F（T） ;
参数D = T
p
/T;;
漏极电流ID （ A）
-5
归一化电流降额， ID （ ％ ）
120
100
80
60
40
20
0
0
20
40
60
80
100
120
140
160
环境温度，钽（℃）
-4.5
-4
-3.5
-3
-2.5
-2
-1.5
-1
-0.5
0
0
-4.5 V
-1.8 V
-2.5 V
TJ = 25℃
-1.3 V
-1.2 V
-1.1 V
-1 V
-0.9 V
VGS = -0.8 V
-0.5
-1
-1.5
漏 - 源电压， VDS （V ）
-2
图2 。正常化的连续漏极电流。
ID％ = 100I
D
/I
D 25 C
= F （T
a
） ;条件： V
GS
≤
-10 V
峰值漏电流脉冲， IDM （ A）
TP = 1毫秒
10毫秒
100毫秒
1
图5 。典型的输出特性，T
j
= 25 C.
I
D
= F（V
DS
） ;参数V
GS
漏极 - 源极导通电阻， RDS （ ON） （欧姆）
0.7
0.6
100
-0.8 V
-0.9 V
-1V
-1.1 V -1.2 V
-1.3 V
TJ = 25℃
10
RDS （ ON）= VDS / ID
0.5
0.4
0.3
0.2
-2.5 V
-1.8 V
0.1
DC
0.1
VGS = -4.5V
0
0.01
0.1
1
10
100
漏 - 源电压， VDS （V ）
0
-0.5
-1
-1.5 -2 -2.5 -3
漏极电流ID （ A）
-3.5
-4
-4.5
-5
如图3所示。安全工作区。牛逼
sp
= 25 C;
I
D
＆放大器;我
DM
= F（V
DS
); I
DM
单脉冲;参数t
p
.
图6 。典型通态电阻，T
j
= 25 C.
R
DS （ ON）
= F（我
D
） ;参数V
GS
2002年5月
3
启1.000
飞利浦半导体
产品speci fi cation
P沟道增强模式
MOS晶体管
PHK04P02T
漏极电流ID （ A）
-5
VDS > ID X RDS （ ON）
-4
-3
-2
-1
0
0
-0.5
-1
-1.5
栅 - 源电压，V GS （V）的
-2
TJ = 25℃
150 C
0.7
0.6
0.5
0.4
最低
0.3
0.2
0.1
0
0
25
50
75
100
125
150
结温TJ（ C）
典型
阈值电压VGS （到） ， （ V）
图7 。典型的传输特性;我
D
= F（V
GS
)
图10 。栅极阈值电压。
V
GS （ TO ）
= F （T
j
） ;条件：我
D
= 1毫安; V
DS
= V
GS
漏极电流ID （ A）
1E-01
VDS = -5V
TJ = 25℃
跨导， GFS （ S）
8
7
6
5
4
3
2
1
0
0
-0.2 -0.4 -0.6 -0.8 -1 -1.2 -1.4 -1.6 -1.8 -2 -2.2 -2.4 -2.6
漏极电流ID （ A）
VDS > ID X RDS （ ON）
TJ = 25℃
150 C
1E-02
1E-03
1E-04
1E-05
1E-06
1E-07
-1
-0.9 -0.8 -0.7 -0.6 -0.5 -0.4 -0.3 -0.2 -0.1
栅 - 源电压，V GS （V）的
0
图8 。典型的跨导，T
j
= 25 C.
g
fs
= F（我
D
)
图11 。亚阈值漏电流。
I
D
= F（V
GS ）
;条件：T已
j
= 25 C
电容，西塞，科斯，的Crss （PF ）
1000
西塞
科斯
1.6
1.4
1.2
1.0
0.8
0.6
归一化漏源导通电阻
RDS （ ON） @ TJ
RDS （ ON） @ 25℃
VGS = -4.5 V
-1.8 V
-2.5 V
100
CRSS
0
25
50
75
100
125
150
10
-0.1
结温TJ（ C）
-1.0
-10.0
漏 - 源电压， VDS （V ）
-100.0
图9 。正常化漏极 - 源极导通电阻。
R
DS （ ON）
/R
DS （ ON） 25 C
= F （T
j
)
图12 。典型的电容，C
国际空间站
, C
OSS
, C
RSS
.
C = F（V
DS
） ;条件： V
GS
= 0 V ; F = 1 MHz的
2002年5月
4
启1.000
QQ：2881677436 复制
