【PHP/PHB/PHD98N03LTN沟道增强模式音响场效晶体管牧师02 - 二○○一年十月十八日产】,IC型号PHD98N03LT,PHD98N03LT PDF资料,PHD98N03LT经销商,ic,电子元器件-51电子网

PHP/PHB/PHD98N03LT

N沟道增强模式音响场效晶体管

牧师02 - 二○○一年十月十八日

产品数据

1.描述

N沟道逻辑电平连接的场效电源在一个塑料包装使用的晶体管

的TrenchMOS

技术。

产品可用性：

PHP98N03LT在SOT78 （ TO- 220AB ）

PHB98N03LT在SOT404 （D

-Pak ）

PHD98N03LT在SOT428 （ D- PAK ）。

2.特点

低通态电阻

快速切换。

3.应用

计算机主机板高频DC到DC转换器。

4.管脚信息

表1：

穿针 - SOT78 ， SOT404 ， SOT428简化的外形和符号

简化的轮廓

引脚说明

栅极（G ）

符号

漏极（四）

源极（S ）

安装基座

连接到漏极（D）

[1]

MBB076

MBK106

MBK116

MBK091

顶视图

1 2 3

SOT78 （ TO- 220AB ）

[1]

SOT404 （D

-Pak ）

SOT428 （ D- PAK ）

这是无法接受的连接的SOT404和SOT428封装引脚2 。

的TrenchMOS是Koniklijke飞利浦电子公司的商标。

飞利浦半导体

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N沟道增强模式音响场效晶体管

5.快速参考数据

表2：

合计

DSON

快速参考数据

条件

= 25 175

°C

= 25

°C;

= 5 V

= 25

°C

= 25

°C;

= 10 V ;我

= 25 A

= 25

°C;

= 5 V ;我

= 25 A

典型值

5.2

6.2

最大

111

175

5.9

7.3

单位

°C

漏极 - 源极电压（直流）

漏电流（ DC ）

总功耗

结温

漏源导通电阻

符号参数

6.极限值

表3 ：限制值

按照绝对最大额定值系统（ IEC 60134 ）。

符号参数

DGR

GSM

合计

英镑

漏极 - 源极电压（直流）

漏极 - 栅极电压（直流）

栅极 - 源极电压（直流）

栅源电压

漏电流（ DC ）

峰值漏极电流

总功耗

储存温度

工作结温

源（二极管的正向）直流（DC ）笔

= 25

°C

峰源（二极管正向）电流T

= 25

°C;

脉冲;吨

≤

脉冲;

占空比25％ ;牛逼

≤

150

°C

= 25

°C;

= 5 V;

图2

和

= 100

°C;

= 5 V;

图2

= 25

°C;

脉冲;吨

≤

科幻gure 3

= 25

°C;

图1

条件

= 25 175

°C

= 25 175

°C;

= 20 k

民

最大

±15

±20

240

111

+175

240

单位

°C

源极 - 漏极二极管

9397 750 08726

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飞利浦半导体

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N沟道增强模式音响场效晶体管

120

PDER

(%)

03aa16

03af00

120

伊德尔

(%)

100

150

200

TMB （ C）

100

150

200

TMB （℃ ）

合计

DER

----------------------

100%

合计

(

25 C

)

DER

------------------

100%

(

25 C

)

看图1，归一化的总功耗为

功能安装基座的温度。

图2.归连续漏极电流为

功能安装基座的温度。

103

(A)

03af02

导通电阻= VDS / ID

TP = 10微秒

102

100 s

1毫秒

10毫秒

100毫秒

VDS （ V）

102

= 25

°C;

是单脉冲

图3.安全工作区;连续和峰值漏电流与漏 - 源极电压的函数。

9397 750 08726

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3 14

飞利浦半导体

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N沟道增强模式音响场效晶体管

7.热特性

表4：

日（ J- MB ）

号（j -a）的

热特性

条件

图4

垂直静止空气中; SOT78封装

安装在印刷电路板;最低限度

足迹; SOT404和SOT428封装

数值单位

1.35

K / W

从结点到安装热阻

BASE

从结点到环境的热阻

符号参数

7.1瞬态热阻抗

第Z （ J- MB ）

（K / W）

= 0.5

0.2

10-1

0.1

0.05

0.02

10-2

单脉冲

03af01

10-3

10-5

10-4

10-3

10-2

10-1

TP （多个）

图4.瞬态从结的热阻抗，以安装基座的脉冲持续时间的函数。

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8.特点

表5 ：性质

= 25

C除非另有规定ED 。

符号参数

静态特性

（ BR ） DSS

漏源击穿电压

= 0.25毫安; V

= 0 V

= 25

°C

55 °C

GS （ TH）

门源阈值电压

= 1毫安; V

= V

;

图9

= 25

°C

= 175

°C

55 °C

DSS

漏极 - 源极漏电流

= 25 V; V

= 0 V

= 25

°C

= 175

°C

GSS

DSON

栅极 - 源极漏电流

漏源导通电阻

±15

V; V

= 0 V

= 5 V ;我

= 25 A;

图7

和

= 25

°C

= 175

°C

= 10 V ;我

= 25 A;

图7

和

= 25

°C

动态特性

G（ TOT ）

国际空间站

OSS

RSS

D（上）

D（关闭）

总栅极电荷

栅极 - 源电荷

栅极 - 漏极（米勒）电荷

输入电容

输出电容

反向传输电容

导通延迟时间

开启上升时间

打开-O FF延迟时间

关断下降时间

源极 - 漏极（二极管的正向）电压余

= 25 A; V

= 0 V;

图12

反向恢复时间

恢复电荷

= 10 A;迪

/ DT =

100

A / μs的; V

= 0 V

= 15 V ;我

= 12.5 A; V

= 5 V;

= 5.6

;

阻性负载

= 0 V; V

= 20V; F = 1兆赫;

图11

= 50 A; V

= 15 V; V

= 5 V;

图13

710

510

104

0.9

1.2

5.2

5.9

6.2

10.5

7.3

12.4

0.05

500

100

0.5

1.5

2.3

条件

民

典型值

最大

单位

3000 -

源极 - 漏极二极管

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