PHP/PHB/PHD96NQ03LT
N沟道增强模式音响场效晶体管
牧师03 - 2001年10月23日
产品数据
1.描述
N沟道逻辑电平连接的场效电源在一个塑料包装使用的晶体管
的TrenchMOS
1
技术。
产品可用性：
PHP96NQ03LT在SOT78 （ TO- 220AB ）
PHB96NQ03LT在SOT404 （D
2
-Pak ）
PHD96NQ03LT在SOT428 （ D- PAK ） 。
2.特点
s
低栅电荷
s
低通态电阻。
3.应用
s
优化的作为控制用FET的直流到直流转换器。
4.管脚信息
表1：
穿针 - SOT78 ， SOT404 ， SOT428简化的外形和符号
简化的轮廓
mb
mb
mb
引脚说明
1
2
3
mb
栅极（G ）
符号
d
漏极（四）
源极（S ）
安装基座
连接到漏极（D）
[1]
g
s
MBB076
2
2
1
MBK106
1
3
MBK116
3
MBK091
顶视图
1 2 3
SOT78 （ TO- 220AB ）
[1]
SOT404 （D
2
-Pak ）
SOT428 （ D- PAK ）
这是无法接受的连接的SOT404和SOT428封装引脚2 。
1.
的TrenchMOS是皇家飞利浦电子股份有限公司的商标。
飞利浦半导体
PHP/PHB/PHD96NQ03LT
N沟道增强模式音响场效晶体管
5.快速参考数据
表2：
V
DS
I
D
P
合计
T
j
R
DSON
快速参考数据
条件
T
j
= 25 175
°C
T
mb
= 25
°C;
V
GS
= 5 V
T
mb
= 25
°C
T
j
= 25°C ; V
GS
= 10 V ;我
D
= 25 A
T
j
= 25°C ; V
GS
= 5 V ;我
D
= 25 A
典型值
-
-
-
-
4.2
5.6
最大
25
75
115
175
4.95
7.5
单位
V
A
W
°C
m
m
漏极 - 源极电压（直流）
漏电流（ DC ）
总功耗
结温
漏源导通电阻
符号参数
6.极限值
表3 ：限制值
按照绝对最大额定值系统（ IEC 60134 ） 。
符号参数
V
DS
V
DGR
V
GS
V
GSM
I
D
I
DM
P
合计
T
英镑
T
j
I
S
I
SM
漏极 - 源极电压（直流）
漏极 - 栅极电压（直流）
栅极 - 源极电压（直流）
栅源电压
漏电流（ DC ）
峰值漏极电流
总功耗
储存温度
工作结温
源（二极管的正向）直流（DC ）笔
mb
= 25
°C
峰源（二极管正向）电流T
mb
= 25
°C;
脉冲;吨
p
≤
10
s
t
p
≤
50
s;
脉冲;
占空比25％ ;牛逼
j
≤
150
°C
T
mb
= 25
°C;
V
GS
= 5 V;
图2
和
3
T
mb
= 100
°C;
V
GS
= 5 V;
图2
T
mb
= 25
°C;
脉冲;吨
p
≤
10
s;
科幻gure 3
T
mb
= 25
°C;
图1
条件
T
j
= 25 175
°C
T
j
= 25 175
°C;
R
GS
= 20 k
民
-
-
-
-
-
-
-
-
55
55
-
-
最大
25
25
±15
±20
75
65
240
115
+175
+175
75
240
单位
V
V
V
V
A
A
A
W
°C
°C
A
A
源极 - 漏极二极管
9397 750 08963
皇家飞利浦电子有限公司2001年版权所有。
产品数据
牧师03 - 2001年10月23日
2 14
飞利浦半导体
PHP/PHB/PHD96NQ03LT
N沟道增强模式音响场效晶体管
120
PDER
(%)
80
03aa16
03af09
120
伊德尔
(%)
80
40
40
0
0
50
100
150
200
o
TMB （ C）
0
0
50
100
150
200
TMB （℃ ）
P
合计
P
DER
=
----------------------
×
100%
P
°
合计
(
25 C
)
I
D
I
DER
=
------------------
×
100%
-
I
°
D
(
25 C
)
看图1，归一化的总功耗为
功能安装基座的温度。
图2.归连续漏极电流为
功能安装基座的温度。
103
ID
(A)
03af11
导通电阻= VDS / ID
TP = 10微秒
100 s
102
1毫秒
10
DC
10毫秒
100毫秒
1
1
10
VDS （ V）
102
T
mb
= 25
°C;
I
DM
是单一脉冲。
图3.安全工作区;连续和峰值漏电流与漏 - 源极电压的函数。
9397 750 08963
皇家飞利浦电子有限公司2001年版权所有。
产品数据
牧师03 - 2001年10月23日
3 14
飞利浦半导体
PHP/PHB/PHD96NQ03LT
N沟道增强模式音响场效晶体管
7.热特性
表4：
R
日（ J- MB ）
R
号（j -a）的
热特性
条件
图4
垂直静止空气中; SOT78封装
安装在印刷电路板;最低限度
足迹; SOT404和SOT428封装
数值单位
1.3
60
50
K / W
K / W
K / W
从结点到安装热阻
BASE
从结点到环境的热阻
符号参数
7.1瞬态热阻抗
10
第Z （ J- MB ）
（K / W）
1
δ
= 0.5
0.2
10-1
0.1
0.05
0.02
10-2
03af10
P
δ
=
tp
T
单脉冲
10-3
10-5
10-4
10-3
10-2
10-1
tp
T
1
TP （多个）
t
10
图4.瞬态从结的热阻抗，以安装基座的脉冲持续时间的函数。
9397 750 08963
皇家飞利浦电子有限公司2001年版权所有。
产品数据
牧师03 - 2001年10月23日
4 14
PHD96NQ03LT
N沟道的TrenchMOS逻辑电平FET
版本06 - 2010年3月15日
产品数据表
1.产品廓
1.1概述
逻辑电平N沟道增强型场效应晶体管（ FET）在一个塑料
包装用的TrenchMOS技术。本产品的设计和合格的使用
计算，通信，消费电子和唯一的工业应用。
1.2特点和优点
低导通损耗是由于低
导通状态电阻
由于要求低的简单栅极驱动
栅极电荷
1.3应用
的DC- DC转换器
1.4快速参考数据
表1中。
V
DS
I
D
P
合计
快速参考
条件
T
mb
= 25 ℃; V
GS
= 5 V;
SEE
图1
和
3
T
mb
= 25°C ;看
图2
民
-
-
-
典型值
-
-
-
最大
25
75
115
单位
V
A
W
漏 - 源电压
j
≥
25 ℃;牛逼
j
≤
175 °C
漏电流
总功率
耗散
栅极 - 漏极电荷
符号参数
动态特性
Q
GD
V
GS
= 5 V ;我
D
= 50 A;
V
DS
= 15 V ;牛逼
j
= 25 °C;
SEE
图11
V
GS
= 10 V ;我
D
= 25 A;
T
j
= 25°C ;看
图9
V
GS
= 5 V ;我
D
= 25 A;
T
j
= 25 °C;
SEE
图9
和
10
-
8.4
-
nC
静态特性
R
DSON
漏源
导通状态电阻
-
-
4.2
5.6
4.95
7.5
m
m
恩智浦半导体
PHD96NQ03LT
N沟道的TrenchMOS逻辑电平FET
2.管脚信息
表2中。
针
1
2
3
mb
管脚信息
符号
G
D
S
D
描述
门
漏
来源
安装底座;连接
漏
2
1
3
[1]
简化的轮廓
mb
图形符号
D
G
mbb076
S
SOT428 （ DPAK ）
[1]
这是无法接受的连接销2 。
3.订购信息
表3中。
订购信息
包
名字
PHD96NQ03LT
DPAK
描述
塑料单端表面安装封装（ DPAK ） ; 3引线（ 1
铅裁剪）
VERSION
SOT428
类型编号
PHD96NQ03LT_6
本文档中提供的所有信息受法律免责声明。
NXP B.V. 2010保留所有权利。
产品数据表
版本06 - 2010年3月15日
2 13
恩智浦半导体
PHD96NQ03LT
N沟道的TrenchMOS逻辑电平FET
4.极限值
表4 。
符号
V
DS
V
DGR
V
GS
I
D
I
DM
P
合计
T
英镑
T
j
I
S
I
SM
E
DS （ AL ）S
极限值
参数
漏源电压
漏极 - 栅极电压
栅源电压
漏电流
峰值漏极电流
总功耗
储存温度
结温
源出电流
峰源电流
T
mb
= 25 °C
t
p
≤
10微秒;脉冲;牛逼
mb
= 25 °C
V
GS
= 5 V ;牛逼
mb
= 100 ℃;看
图1
V
GS
= 5 V ;牛逼
mb
= 25°C ;看
图1
和
3
t
p
≤
10微秒;脉冲;牛逼
mb
= 25°C ;看
科幻gure 3
T
mb
= 25°C ;看
图2
条件
T
j
≥
25 ℃;牛逼
j
≤
175 °C
T
j
≤
175 ℃;牛逼
j
≥
25 ℃;
GS
= 20 k
民
-
-
-20
-
-
-
-
-55
-55
-
-
-
最大
25
25
20
65
75
240
115
175
175
75
240
185
单位
V
V
V
A
A
A
W
°C
°C
A
A
mJ
按照绝对最大额定值系统（ IEC 60134 ） 。
源极 - 漏极二极管
雪崩耐用性
不重复
V
GS
= 10 V ;牛逼
J（下INIT ）
= 25°C ;我
D
= 43 A; V
SUP
≤
15 V;
漏源雪崩
GS
= 50
;
t
p
= 0.25毫秒;松开
能源
不重复
V
GS
= 10 V; V
SUP
≤
15 V ;
GS
= 50
;
漏源雪崩牛逼
J（下INIT ）
= 25°C ;松开
当前
I
DS （ AL ）S
-
75
A
120
I
DER
(%)
80
03af09
120
P
DER
(%)
80
03aa16
40
40
0
0
0
50
100
150
200
T
mb
(°C)
0
50
100
150
T
mb
(°C)
200
图1 。
标准化的连续漏极电流为
的安装基座温度功能
图2 。
归一化的总功耗为
的安装基座温度功能
PHD96NQ03LT_6
本文档中提供的所有信息受法律免责声明。
NXP B.V. 2010保留所有权利。
产品数据表
版本06 - 2010年3月15日
3 13
QQ：2881677436 复制
