PHP/PHB/PHD82NQ03LT
的TrenchMOS 逻辑电平FET
版本01 - 2002年3月28日
产品数据
1.产品廓
1.1说明
在使用的TrenchMOS塑料封装的N沟道逻辑电平连接的场效晶体管
技术。
产品可用性：
PHP82NQ03LT在SOT78 （ TO- 220AB ）
PHB82NQ03LT在SOT404 （D
2
-Pak ）
PHD82NQ03LT在SOT428 （ D- PAK ） 。
1.2产品特点
s
兼容逻辑电平
s
低栅电荷
1.3应用
s
DC到DC转换
s
开关电源
1.4快速参考数据
s
V
DS
= 30 V
s
P
合计
= 136 W
s
I
D
= 75 A
s
R
DSON
≤
8 m
2.管脚信息
表1：
1
2
3
mb
穿针 - SOT78 ， SOT404 ， SOT428简化的概括和符号
简化的轮廓
[1]
mb
mb
mb
引脚说明
栅极（G ）
漏极（四）
源极（S ）
安装基座
连接到漏极（D）
符号
d
g
s
MBB076
2
2
1
MBK106
1
3
MBK116
3
MBK091
顶视图
1 2 3
SOT78 （TO- 220）
[1]
SOT404 （D
2
-Pak ）
SOT428 （ D- PAK ）
这是无法接受的连接的SOT404或SOT428封装管脚2 。
飞利浦半导体
PHP/PHB/PHD82NQ03LT
的TrenchMOS 逻辑电平FET
3.极限值
表2：
极限值
按照绝对最大额定值系统（ IEC 60134 ） 。
符号参数
V
DS
V
DGR
V
GS
V
GSM
I
D
I
DM
P
合计
T
英镑
T
j
I
S
I
SM
漏极 - 源极电压（直流）
漏极 - 栅极电压（直流）
栅极 - 源极电压（直流）
峰值栅极 - 源极电压
漏电流（ DC ）
峰值漏极电流
总功耗
储存温度
工作结温
源（二极管的正向）直流（DC ）笔
mb
= 25
°C
峰源（二极管正向）电流T
mb
= 25
°C;
脉冲;吨
p
≤
10
s
t
p
≤
50
s;
脉冲;占空比= 25 ％
T
mb
= 25
°C;
V
GS
= 10 V;
图2
和
3
T
mb
= 100
°C;
V
GS
= 10 V;
图2
T
mb
= 25
°C;
脉冲;吨
p
≤
10
s;
科幻gure 3
T
mb
= 25
°C;
图1
条件
25
≤
T
j
≤
175
o
C
25
≤
T
j
≤
175
o
℃;
GS
= 20 k
民
-
-
-
-
-
-
-
-
55
55
-
-
最大
30
30
±20
±25
75
75
240
136
+175
+175
75
240
单位
V
V
V
V
A
A
A
W
°C
°C
A
A
源极 - 漏极二极管
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03aa16
03ai53
120
PDER
120
伊德尔
(%)
(%)
80
80
40
40
0
0
50
100
150
200
o
TMB （ C）
0
0
50
100
150
200
TMB （℃ ）
P
合计
P
DER
=
----------------------
×
100%
-
P
°
合计
(
25 C
)
I
D
I
DER
=
-------------------
×
100%
I
°
D
(
25 C
)
看图1，归一化的总功耗为
功能安装基座的温度。
图2.归连续漏极电流为
功能安装基座的温度。
103
ID
(A)
03ai55
导通电阻= VDS / ID
TP = 10微秒
100 s
102
1毫秒
10
DC
10毫秒
1
1
10
VDS （ V）
102
T
mb
= 25
°C;
I
DM
是单脉冲; V
GS
= 10V.
图3.安全工作区;连续和峰值漏电流与漏 - 源极电压的函数。
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4.热特性
表3：
R
日（ J- MB ）
R
号（j -a）的
热特性
条件
SOT78封装;垂直静止空气中
SOT428封装;
SOT428最低足迹;
安装在PCB上
SOT404和SOT428封装;
SOT404最低足迹;
安装在PCB上
最小典型最大单位
-
-
-
-
60
75
1.1
-
-
K / W
K / W
K / W
从结热阻安装基座
图4
从结点到环境的热阻
符号参数
-
50
-
K / W
4.1瞬态热阻抗
10
第Z （ J- MB ）
（K / W）
1
δ
= 0.5
0.2
10-1
0.1
0.05
0.02
10-2
P
03ai54
δ
=
tp
T
单脉冲
10-3
10-5
10-4
10-3
10-2
10-1
1
tp
T
t
10
TP （多个）
图4.瞬态从结的热阻抗，以安装基座的脉冲持续时间的函数。
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产品数据
1.产品廓
1.1说明
在使用的TrenchMOS塑料封装的N沟道逻辑电平连接的场效晶体管
技术。
产品可用性：
PHP82NQ03LT在SOT78 （ TO- 220AB ）
PHB82NQ03LT在SOT404 （D
2
-Pak ）
PHD82NQ03LT在SOT428 （ D- PAK ） 。
1.2产品特点
s
兼容逻辑电平
s
低栅电荷
1.3应用
s
DC到DC转换
s
开关电源
1.4快速参考数据
s
V
DS
= 30 V
s
P
合计
= 136 W
s
I
D
= 75 A
s
R
DSON
≤
8 m
2.管脚信息
表1：
1
2
3
mb
穿针 - SOT78 ， SOT404 ， SOT428简化的概括和符号
简化的轮廓
[1]
mb
mb
mb
引脚说明
栅极（G ）
漏极（四）
源极（S ）
安装基座
连接到漏极（D）
符号
d
g
s
MBB076
2
2
1
MBK106
1
3
MBK116
3
MBK091
顶视图
1 2 3
SOT78 （TO- 220）
[1]
SOT404 （D
2
-Pak ）
SOT428 （ D- PAK ）
这是无法接受的连接的SOT404或SOT428封装管脚2 。
飞利浦半导体
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的TrenchMOS 逻辑电平FET
3.极限值
表2：
极限值
按照绝对最大额定值系统（ IEC 60134 ） 。
符号参数
V
DS
V
DGR
V
GS
V
GSM
I
D
I
DM
P
合计
T
英镑
T
j
I
S
I
SM
漏极 - 源极电压（直流）
漏极 - 栅极电压（直流）
栅极 - 源极电压（直流）
峰值栅极 - 源极电压
漏电流（ DC ）
峰值漏极电流
总功耗
储存温度
工作结温
源（二极管的正向）直流（DC ）笔
mb
= 25
°C
峰源（二极管正向）电流T
mb
= 25
°C;
脉冲;吨
p
≤
10
s
t
p
≤
50
s;
脉冲;占空比= 25 ％
T
mb
= 25
°C;
V
GS
= 10 V;
图2
和
3
T
mb
= 100
°C;
V
GS
= 10 V;
图2
T
mb
= 25
°C;
脉冲;吨
p
≤
10
s;
科幻gure 3
T
mb
= 25
°C;
图1
条件
25
≤
T
j
≤
175
o
C
25
≤
T
j
≤
175
o
℃;
GS
= 20 k
民
-
-
-
-
-
-
-
-
55
55
-
-
最大
30
30
±20
±25
75
75
240
136
+175
+175
75
240
单位
V
V
V
V
A
A
A
W
°C
°C
A
A
源极 - 漏极二极管
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的TrenchMOS 逻辑电平FET
03aa16
03ai53
120
PDER
120
伊德尔
(%)
(%)
80
80
40
40
0
0
50
100
150
200
o
TMB （ C）
0
0
50
100
150
200
TMB （℃ ）
P
合计
P
DER
=
----------------------
×
100%
-
P
°
合计
(
25 C
)
I
D
I
DER
=
-------------------
×
100%
I
°
D
(
25 C
)
看图1，归一化的总功耗为
功能安装基座的温度。
图2.归连续漏极电流为
功能安装基座的温度。
103
ID
(A)
03ai55
导通电阻= VDS / ID
TP = 10微秒
100 s
102
1毫秒
10
DC
10毫秒
1
1
10
VDS （ V）
102
T
mb
= 25
°C;
I
DM
是单脉冲; V
GS
= 10V.
图3.安全工作区;连续和峰值漏电流与漏 - 源极电压的函数。
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4.热特性
表3：
R
日（ J- MB ）
R
号（j -a）的
热特性
条件
SOT78封装;垂直静止空气中
SOT428封装;
SOT428最低足迹;
安装在PCB上
SOT404和SOT428封装;
SOT404最低足迹;
安装在PCB上
最小典型最大单位
-
-
-
-
60
75
1.1
-
-
K / W
K / W
K / W
从结热阻安装基座
图4
从结点到环境的热阻
符号参数
-
50
-
K / W
4.1瞬态热阻抗
10
第Z （ J- MB ）
（K / W）
1
δ
= 0.5
0.2
10-1
0.1
0.05
0.02
10-2
P
03ai54
δ
=
tp
T
单脉冲
10-3
10-5
10-4
10-3
10-2
10-1
1
tp
T
t
10
TP （多个）
图4.瞬态从结的热阻抗，以安装基座的脉冲持续时间的函数。
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