PHD38N02LT
N沟道的TrenchMOS逻辑电平FET
版本02 - 2007年2月2日
产品数据表
1.产品廓
1.1概述
逻辑电平N沟道增强型场效应晶体管（ FET）在一个塑料
包装用的TrenchMOS技术。
1.2产品特点
I
低通态电阻
I
2.5 V门极驱动
1.3应用
I
线性稳压器的双数据速率（ DDR ）内存
1.4快速参考数据
I
V
DS
≤
20 V
I
R
DSON
≤
16 m
I
I
D
≤
44.7 A
I
P
合计
≤
57.6 W
2.管脚信息
表1中。
针
1
2
3
mb
钉扎
描述
栅极（G ）
漏极（四）
源极（S ）
安装底座;连接到漏极（D）的
mbb076
简化的轮廓
[1]
符号
D
mb
G
S
2
1
3
SOT428 （ DPAK ）
[1]
这是无法接受对销2的连接。
恩智浦半导体
PHD38N02LT
N沟道的TrenchMOS逻辑电平FET
3.订购信息
表2中。
订购信息
包
名字
PHD38N02LT
DPAK
描述
塑料单端的表面安装封装; 3引线
（ 1铅裁剪）
VERSION
SOT428
类型编号
4.极限值
表3中。
极限值
按照绝对最大额定值系统（ IEC 60134 ） 。
符号参数
V
DS
V
DGR
V
GS
I
D
I
DM
P
合计
T
英镑
T
j
I
S
I
SM
漏源电压
漏极 - 栅极电压（直流）
栅源电压
漏电流
峰值漏极电流
总功耗
储存温度
结温
源出电流
峰源电流
T
mb
= 25
°C
T
mb
= 25
°C;
脉冲;吨
p
≤
10
s
T
mb
= 25
°C;
V
GS
= 5 V ;看
图2
和
3
T
mb
= 100
°C;
V
GS
= 5 V ;看
图2
T
mb
= 25
°C;
脉冲;吨
p
≤
10
s;
SEE
科幻gure 3
T
mb
= 25
°C;
SEE
图1
条件
25
°C ≤
T
j
≤
175
°C
25
°C ≤
T
j
≤
175
°C;
R
GS
= 20 k
民
-
-
-
-
-
-
-
55
55
-
-
最大
20
20
±12
44.7
31.6
179
57.6
+175
+175
44.7
179
单位
V
V
V
A
A
A
W
°C
°C
A
A
源极 - 漏极二极管
PHD38N02LT_2
NXP B.V. 2007年保留所有权利。
产品数据表
版本02 - 2007年2月2日
2 12
恩智浦半导体
PHD38N02LT
N沟道的TrenchMOS逻辑电平FET
120
P
DER
(%)
80
03aa16
120
I
DER
(%)
80
03aa24
40
40
0
0
50
100
150
T
mb
(
°
C)
200
0
0
50
100
150
200
T
mb
(°C)
P
合计
P
DER
=
-----------------------
×
100
%
-
P
合计
(
25°C
)
看图1，归一化的总功耗为
的安装基座温度功能
10
3
I
D
(A)
性限R
DSON
= V
DS
/ I
D
10
2
I
D
I
DER
=
-------------------
×
100
%
-
I
D
(
25°C
)
图2.归连续漏极电流为
的安装基座温度功能
003aab706
t
p
= 10
s
100
s
10
DC
1毫秒
10毫秒
1
1
10
V
DS
(V)
10
2
T
mb
= 25
°C;
I
DM
是单脉冲; V
GS
= 5 V
图3.安全工作区;连续和峰值漏电流与漏源电压的函数
PHD38N02LT_2
NXP B.V. 2007年保留所有权利。
产品数据表
版本02 - 2007年2月2日
3 12
PHB/PHD38N02LT
的TrenchMOS 逻辑电平FET
牧师01 - 零零三年六月三十
产品数据
1.产品廓
1.1说明
在使用的TrenchMOS塑料封装的N沟道逻辑电平连接的场效晶体管
技术。
产品可用性：
PHB38N02LT在SOT404 （D
2
-Pak ）
PHD38N02LT在SOT428 （ D- PAK ） 。
1.2产品特点
s
低通态电阻
s
2.5 V门极驱动。
1.3应用
s
线性稳压器的DDR内存。
1.4快速参考数据
s
V
DS
= 20 V
s
P
合计
= 57.6 W
s
I
D
= 44.7 A
s
R
DSON
≤
16 m
2.管脚信息
表1：
1
2
3
mb
钢钉 - SOT404和SOT428简化的外形和符号
简化的轮廓
[1]
mb
引脚说明
栅极（G ）
漏极（四）
源极（S ）
安装底座;
连接到漏极（D）
符号
mb
d
g
s
MBB076
2
1
顶视图
3
MBK091
2
1
3
MBK116
SOT428 （ D- PAK ）
[1]
SOT404 （D
2
-Pak ）
这是无法接受的连接的SOT404和SOT428封装引脚2 。
飞利浦半导体
PHB/PHD38N02LT
的TrenchMOS 逻辑电平FET
3.极限值
表2：
极限值
按照绝对最大额定值系统（ IEC 60134 ） 。
符号参数
V
DS
V
DGR
V
GS
I
D
I
DM
P
合计
T
英镑
T
j
I
S
I
SM
漏极 - 源极电压（直流）
漏极 - 栅极电压（直流）
栅极 - 源极电压（直流）
漏电流（ DC ）
峰值漏极电流
总功耗
储存温度
结温
源（二极管的正向）直流（DC ）笔
mb
= 25
°C
峰源（二极管正向）电流T
mb
= 25
°C;
脉冲;吨
p
≤
10
s
T
mb
= 25
°C;
V
GS
= 5 V;
图2
和
3
T
mb
= 100
°C;
V
GS
= 5 V;
图2
T
mb
= 25
°C;
脉冲;吨
p
≤
10
s;
科幻gure 3
T
mb
= 25
°C;
图1
条件
25
°C ≤
T
j
≤
175
o
C
25
°C ≤
T
j
≤
175
o
℃;
GS
= 20 k
民
-
-
-
-
-
-
-
55
55
-
-
最大
20
20
12
44.7
31.6
179
57.6
+175
+175
44.7
179
单位
V
V
V
A
A
A
W
°C
°C
A
A
源极 - 漏极二极管
9397 750 11614
皇家飞利浦电子有限公司2003年版权所有。
产品数据
牧师01 - 零零三年六月三十
2 13
飞利浦半导体
PHB/PHD38N02LT
的TrenchMOS 逻辑电平FET
120
PDER
(%)
80
03aa16
120
伊德尔
(%)
80
03aa24
40
40
0
0
50
100
150
200
TMB （
°
C)
0
0
50
100
150
200
TMB （
°
C)
P
合计
P
DER
=
----------------------
×
100%
-
P
°
合计
(
25 C
)
I
D
I
DER
=
-------------------
×
100%
I
°
D
(
25 C
)
看图1，归一化的总功耗为
功能安装基座的温度。
图2.归连续漏极电流为
功能安装基座的温度。
103
ID
(A)
限制导通电阻= VDS / ID
102
TP = 10
s
03al23
100
s
10
DC
1毫秒
10毫秒
1
1
10
VDS （ V）
102
T
mb
= 25
°C;
I
DM
是单脉冲; V
GS
= 5 V.
图3.安全工作区;连续和峰值漏电流与漏 - 源极电压的函数。
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飞利浦半导体
PHB/PHD38N02LT
的TrenchMOS 逻辑电平FET
4.热特性
表3：
R
日（ J- MB ）
R
号（j -a）的
热特性
条件
最小典型最大单位
-
-
-
-
-
75
50
50
2.6
-
-
-
K / W
K / W
K / W
K / W
从结热阻安装基座
图4
从结点到环境的热阻
SOT428
SOT428最低足迹;
安装在PCB上
SOT404最低足迹;
安装在PCB上
SOT404
SOT404最低足迹;
安装在PCB上
符号参数
4.1瞬态热阻抗
10
第Z （ J- MB ）
（K / W）
03al22
δ
= 0.5
1
0.2
0.1
0.05
10-1
0.02
P
单脉冲
tp
T
10-2
10-5
t
δ
=
tp
T
10-4
10-3
10-2
10-1
TP （多个）
1
图4.瞬态从结的热阻抗，以安装基座的脉冲持续时间的函数。
9397 750 11614
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产品数据
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PHB/PHD38N02LT
的TrenchMOS 逻辑电平FET
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产品数据
1.产品廓
1.1说明
在使用的TrenchMOS塑料封装的N沟道逻辑电平连接的场效晶体管
技术。
产品可用性：
PHB38N02LT在SOT404 （D
2
-Pak ）
PHD38N02LT在SOT428 （ D- PAK ） 。
1.2产品特点
s
低通态电阻
s
2.5 V门极驱动。
1.3应用
s
线性稳压器的DDR内存。
1.4快速参考数据
s
V
DS
= 20 V
s
P
合计
= 57.6 W
s
I
D
= 44.7 A
s
R
DSON
≤
16 m
2.管脚信息
表1：
1
2
3
mb
钢钉 - SOT404和SOT428简化的外形和符号
简化的轮廓
[1]
mb
引脚说明
栅极（G ）
漏极（四）
源极（S ）
安装底座;
连接到漏极（D）
符号
mb
d
g
s
MBB076
2
1
顶视图
3
MBK091
2
1
3
MBK116
SOT428 （ D- PAK ）
[1]
SOT404 （D
2
-Pak ）
这是无法接受的连接的SOT404和SOT428封装引脚2 。
飞利浦半导体
PHB/PHD38N02LT
的TrenchMOS 逻辑电平FET
3.极限值
表2：
极限值
按照绝对最大额定值系统（ IEC 60134 ） 。
符号参数
V
DS
V
DGR
V
GS
I
D
I
DM
P
合计
T
英镑
T
j
I
S
I
SM
漏极 - 源极电压（直流）
漏极 - 栅极电压（直流）
栅极 - 源极电压（直流）
漏电流（ DC ）
峰值漏极电流
总功耗
储存温度
结温
源（二极管的正向）直流（DC ）笔
mb
= 25
°C
峰源（二极管正向）电流T
mb
= 25
°C;
脉冲;吨
p
≤
10
s
T
mb
= 25
°C;
V
GS
= 5 V;
图2
和
3
T
mb
= 100
°C;
V
GS
= 5 V;
图2
T
mb
= 25
°C;
脉冲;吨
p
≤
10
s;
科幻gure 3
T
mb
= 25
°C;
图1
条件
25
°C ≤
T
j
≤
175
o
C
25
°C ≤
T
j
≤
175
o
℃;
GS
= 20 k
民
-
-
-
-
-
-
-
55
55
-
-
最大
20
20
12
44.7
31.6
179
57.6
+175
+175
44.7
179
单位
V
V
V
A
A
A
W
°C
°C
A
A
源极 - 漏极二极管
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产品数据
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的TrenchMOS 逻辑电平FET
120
PDER
(%)
80
03aa16
120
伊德尔
(%)
80
03aa24
40
40
0
0
50
100
150
200
TMB （
°
C)
0
0
50
100
150
200
TMB （
°
C)
P
合计
P
DER
=
----------------------
×
100%
-
P
°
合计
(
25 C
)
I
D
I
DER
=
-------------------
×
100%
I
°
D
(
25 C
)
看图1，归一化的总功耗为
功能安装基座的温度。
图2.归连续漏极电流为
功能安装基座的温度。
103
ID
(A)
限制导通电阻= VDS / ID
102
TP = 10
s
03al23
100
s
10
DC
1毫秒
10毫秒
1
1
10
VDS （ V）
102
T
mb
= 25
°C;
I
DM
是单脉冲; V
GS
= 5 V.
图3.安全工作区;连续和峰值漏电流与漏 - 源极电压的函数。
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4.热特性
表3：
R
日（ J- MB ）
R
号（j -a）的
热特性
条件
最小典型最大单位
-
-
-
-
-
75
50
50
2.6
-
-
-
K / W
K / W
K / W
K / W
从结热阻安装基座
图4
从结点到环境的热阻
SOT428
SOT428最低足迹;
安装在PCB上
SOT404最低足迹;
安装在PCB上
SOT404
SOT404最低足迹;
安装在PCB上
符号参数
4.1瞬态热阻抗
10
第Z （ J- MB ）
（K / W）
03al22
δ
= 0.5
1
0.2
0.1
0.05
10-1
0.02
P
单脉冲
tp
T
10-2
10-5
t
δ
=
tp
T
10-4
10-3
10-2
10-1
TP （多个）
1
图4.瞬态从结的热阻抗，以安装基座的脉冲持续时间的函数。
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