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PHP/PHB/PHD14NQ20T
的TrenchMOS 标准水平FET
牧师03 - 2002年3月11日
产品数据
1.产品廓
1.1说明
在一个塑料封装，使用N沟道增强型音响场效晶体管
的TrenchMOS 技术。
产品可用性：
PHP14NQ20T在SOT78 （ TO- 220AB ）
PHB14NQ20T在SOT404 （D
2
-Pak ）
PHD14NQ20T在SOT428 （ D- PAK ） 。
1.2产品特点
s
低通态电阻
s
快速开关
1.3应用
s
DC到DC转换
s
通用开关
1.4快速参考数据
s
V
DS
= 200 V
s
R
DSON
≤
230 m
s
I
D
= 14 A
s
P
D
= 125 W
2.管脚信息
表1：
针
1
2
3
mb
穿针 - SOT78 ， SOT404 ， SOT428 ，简化的外形和符号
描述
栅极（G ）
漏极（四）
源极（S ）
安装基座
连接到
漏极（四）
2
1
MBK106
简化的轮廓
[1]
mb
mb
mb
符号
d
g
s
MBB076
2
1
3
MBK116
3
MBK091
顶视图
1 2 3
SOT78 （ TO- 220AB ）
[1]
SOT404 （D
2
-Pak ）
SOT428 （ D- PAK ）
这是无法接受的连接的SOT404或SOT428封装管脚2 。
飞利浦半导体
PHP/PHB/PHD14NQ20T
的TrenchMOS 标准水平FET
3.极限值
表2：
极限值
按照绝对最大额定值系统（ IEC 60134 ） 。
符号参数
V
DS
V
DGR
V
GS
I
D
漏极 - 源极电压（直流）
漏极 - 栅极电压（直流）
栅源电压
漏电流（ DC ）
V
GS
= 10 V;
图2
和
3
T
mb
= 25
°C
T
mb
= 100
°C
I
DM
P
合计
T
英镑
T
j
I
S
I
SM
峰值漏极电流
总功耗
储存温度
工作结温
源（二极管的正向）直流（DC）
峰源（二极管正向）电流
T
mb
= 25
°C
T
mb
= 25
°C;
脉冲;吨
p
≤
10
s
T
mb
= 25
°C;
脉冲;吨
p
≤
10
s;
科幻gure 3
T
mb
= 25
°C;
图1
-
-
-
-
55
55
-
-
-
-
14
10
56
125
+175
+175
14
56
70
14
A
A
A
W
°C
°C
A
A
mJ
A
条件
T
j
= 25 175
o
C
T
j
= 25 175
o
℃;
GS
= 20 k
民
-
-
-
最大
200
200
±20
单位
V
V
V
源极 - 漏极二极管
雪崩耐用性
E
DS （ ALS ）
非重复性雪崩能量
I
DS （ ALM ）
非钳位感性负载;我
D
= 14 A;
峰值非重复性雪崩电流T
p
= 20
s;
V
DD
≤
25 V ;
GS
= 50
;
V
GS
= 10 V ;起始物为
j
= 25
°C;
图15
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飞利浦半导体
PHP/PHB/PHD14NQ20T
的TrenchMOS 标准水平FET
03aa16
120
PDER
120
I
DER
(%)
03aa24
(%)
80
80
40
40
0
0
50
100
150
200
o
TMB （ C）
0
0
50
100
150
200
o
TMB （ C）
P
合计
P
DER
=
----------------------
×
100%
-
P
°
合计
(
25 C
)
V
GS
≥
10 V
I
D
I
DER
=
-------------------
×
100%
I
°
D
(
25 C
)
看图1，归一化的总功耗为
功能安装基座的温度。
图2.归连续漏极电流为
功能安装基座的温度。
003aaa219
103
ID
(A)
102
导通电阻= VDS / ID
TP =
1
s
10
s
10
100
s
1毫秒
DC
1
10毫秒
100毫秒
10-1
1
10
102
VDS （ V）
103
T
mb
= 25
°C;
I
DM
是单脉冲
图3.安全工作区;连续和峰值漏电流与漏 - 源极电压的函数。
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飞利浦半导体
PHP/PHB/PHD14NQ20T
的TrenchMOS 标准水平FET
4.热特性
表3：
R
日（ J- MB ）
R
号（j -a）的
热特性
条件
图4
垂直静止空气中; SOT78封装
最小值典型值
-
-
-
60
50
最大单位
1.2
-
-
K / W
K / W
K / W
从结点到安装热阻
BASE
从结点到环境的热阻
符号参数
SOT404和SOT428封装;
-
SOT404最低足迹;安装在
印刷电路板
4.1瞬态热阻抗
003aaa220
10
第Z （ J- MB ）
（K / W）
1
δ
= 0.5
δ
= 0.2
δ
= 0.1
10-1
δ
= 0.05
δ
= 0.02
单脉冲
P
δ
=
tp
T
tp
T
t
10-2
10-6
10-5
10-4
10-3
10-2
10-1
1
TP （多个）
10
图4.瞬态从结的热阻抗，以安装基座的脉冲持续时间的函数。
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PHP/PHB/PHD14NQ20T
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5.特点
表4：
特征
T
j
= 25
°
C除非另有规定ED 。
符号
V
（ BR ） DSS
参数
漏源击穿电压
条件
I
D
= 250
A;
V
GS
= 0 V
T
j
= 25
°C
T
j
=
55 °C
V
GS （ TH）
门源阈值电压
I
D
= 1毫安; V
DS
= V
GS
;
图9
T
j
= 25
°C
T
j
= 175
°C
T
j
=
55 °C
I
DSS
漏极 - 源极漏电流
V
DS
= 200 V; V
GS
= 0 V
T
j
= 25
°C
T
j
= 175
°C
I
GSS
R
DSON
栅极 - 源极漏电流
漏源导通电阻
V
GS
=
±10
V; V
DS
= 0 V
V
GS
= 10 V ;我
D
= 7 A;
图7
和
8
T
j
= 25
°C
T
j
= 175
°C
动态特性
g
fs
Q
G（ TOT ）
Q
gs
Q
gd
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
V
SD
t
rr
Q
r
正向跨导
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极（米勒）电荷
输入电容
输出电容
反向传输电容
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
源极 - 漏极（二极管的正向）
电压
反向恢复时间
恢复电荷
I
S
= 14 A; V
GS
= 0 V;
图12
I
S
= 14 A;
dI
S
/ DT =
100
A / μs的;
V
GS
= 0 V; V
R
= 30 V
V
DD
= 30 V ;
D
= 10
;
V
GS
= 10 V ;
GS
= 50
;
R
根
= 50
V
GS
= 0 V; V
DS
= 25 V;
F = 1兆赫;
图11
V
DS
= 25 V ;我
D
= 7 A;
图14
I
D
= 14 A; V
DD
= 160 V;
V
GS
= 10 V;
图13
6
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
12.1
38
4
13.3
1500
128
60
25
40
83
31
1.0
135
690
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
1.5
-
-
S
nC
nC
nC
pF
pF
pF
ns
ns
ns
ns
V
ns
nC
-
-
150
-
230
633
m
m
-
-
-
0.05
-
10
10
500
100
A
A
nA
2
1
-
3
-
-
4
-
6
V
V
V
200
178
-
-
-
-
V
V
民
典型值
最大
单位
静态特性
源极 - 漏极二极管
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