PHD108NQ03LT
N沟道的TrenchMOS逻辑电平FET
牧师04 - 2009年6月5日
产品数据表
1.产品廓
1.1概述
逻辑电平N沟道增强型场效应晶体管（ FET）在一个塑料
包装用的TrenchMOS技术。本产品的设计和合格的使用
计算，通信，消费电子和唯一的工业应用。
1.2特点和优点
低导通损耗是由于低
导通状态电阻
由于要求低的简单栅极驱动
栅极电荷
适用于逻辑电平栅极驱动
来源
1.3应用
的DC- DC转换器
开关模式电源
1.4快速参考数据
表1中。
V
DS
I
D
P
合计
快速参考
条件
T
mb
= 25 ℃; V
GS
= 5 V ;看
图1 ;
SEE
科幻gure 3
T
mb
= 25°C ;看
图2
民
-
-
-
典型值
-
-
-
最大
25
75
187
单位
V
A
W
漏 - 源电压
j
≥
25 ℃;牛逼
j
≤
175 °C
漏电流
总功率
耗散
符号参数
雪崩耐用性
E
DS （ AL ）S
不重复
漏源
雪崩能量
动态特性
Q
GD
栅极 - 漏极电荷
V
GS
= 4.5 V ;我
D
= 25 A;
V
DS
= 12 V ;吨
j
= 25°C ;看
图12 ;
SEE
图13
V
GS
= 10 V ;我
D
= 25 A;
T
j
= 25°C ;看
图10 ;
SEE
图11
-
5.6
-
nC
V
GS
= 10 V ;牛逼
J（下INIT ）
= 25 °C;
I
D
= 43 A; V
SUP
≤
25 V;
松开;吨
p
= 0.25毫秒;
R
GS
= 50
-
-
180
mJ
静态特性
R
DSON
漏源
导通状态电阻
-
5.3
6
m
恩智浦半导体
PHD108NQ03LT
N沟道的TrenchMOS逻辑电平FET
2.管脚信息
表2中。
针
1
2
3
mb
管脚信息
符号
G
D
S
D
描述
门
漏
来源
安装底座;连接
漏
2
1
3
简化的轮廓
[1]
mb
图形符号
D
G
mbb076
S
SOT428
（ SC- 63 ; DPAK ）
[1]
这是无法接受对销2的连接。
3.订购信息
表3中。
订购信息
包
名字
PHD108NQ03LT
SC-63;
DPAK
描述
塑料单端表面安装封装（ DPAK ） ; 3引线（ 1
铅裁剪）
VERSION
SOT428
类型编号
4.极限值
表4 。
符号
V
DS
V
DGR
V
GS
I
D
I
DM
P
合计
T
英镑
T
j
I
S
I
SM
E
DS （ AL ）S
极限值
参数
漏源电压
漏极 - 栅极电压
栅源电压
漏电流
峰值漏极电流
总功耗
储存温度
结温
源出电流
峰源电流
T
mb
= 25 °C
t
p
≤
10微秒;脉冲;牛逼
mb
= 25 °C
V
GS
= 5 V ;牛逼
mb
= 25°C ;看
图1 ;
SEE
科幻gure 3
V
GS
= 5 V ;牛逼
mb
= 100 ℃;看
图1
t
p
≤
10微秒;脉冲;牛逼
mb
= 25°C ;看
科幻gure 3
T
mb
= 25°C ;看
图2
条件
T
j
≥
25 ℃;牛逼
j
≤
175 °C
T
j
≥
25 ℃;牛逼
j
≤
175 ℃;
GS
= 20 k
民
-
-
-20
-
-
-
-
-55
-55
-
-
-
最大
25
25
20
75
75
240
187
175
175
75
240
180
单位
V
V
V
A
A
A
W
°C
°C
A
A
mJ
按照绝对最大额定值系统（ IEC 60134 ） 。
源极 - 漏极二极管
雪崩耐用性
不重复
V
GS
= 10 V ;牛逼
J（下INIT ）
= 25°C ;我
D
= 43 A; V
SUP
≤
25 V;
漏源雪崩松开;吨
p
= 0.25毫秒;
GS
= 50
能源
PHD108NQ03LT_4
NXP B.V. 2009保留所有权利。
产品数据表
牧师04 - 2009年6月5日
2 12
PHB/PHD/PHU108NQ03LT
N沟道的TrenchMOS 逻辑电平FET
牧师03 - 2005年4月18日
产品数据表
1.产品廓
1.1概述
逻辑电平N沟道增强型场效应晶体管（ FET）在一个塑料
封装采用的TrenchMOS 技术。
1.2产品特点
s
逻辑电平阈值
s
无铅建设
s
极低的通态电阻
s
低栅电荷
1.3应用
s
的DC- DC转换器
s
开关模式电源
1.4快速参考数据
s
V
DS
≤
25 V
s
R
DSON
≤
6 m
s
I
D
≤
75 A
s
Q
gd
= 5.6 NC （典型值）
2.管脚信息
表1：
针
1
2
3
mb
钉扎
描述
栅极（G ）
漏极（四）
源极（S ）
安装底座;
地连接到漏
2
1
3
1
2
3
1
2
3
[1]
简化的轮廓
mb
mb
mb
符号
D
G
mbb076
S
SOT404 （ D2PAK ）
[1]
SOT428 （ DPAK ）
SOT533 （ IPAK ）
这是无法接受到的SOT404和SOT428封装管脚2连接。
飞利浦半导体
PHB/PHD/PHU108NQ03LT
N沟道的TrenchMOS 逻辑电平FET
3.订购信息
表2：
订购信息
包
名字
PHB108NQ03LT
PHD108NQ03LT
PHU108NQ03LT
D2PAK
DPAK
IPAK
描述
VERSION
塑料单端表面贴装封装; 3导线（一根导线裁剪） SOT404
塑料单端表面贴装封装; 3导线（一根导线裁剪） SOT428
塑料单端封装; 3引线（直列）
SOT533
类型编号
4.极限值
表3：
极限值
按照绝对最大额定值系统（ IEC 60134 ） 。
符号参数
V
DS
V
DGR
V
GS
I
D
I
DM
P
合计
T
英镑
T
j
I
S
I
SM
漏极 - 源极电压（直流）
漏极 - 栅极电压（直流）
栅源电压
漏电流（ DC ）
峰值漏极电流
总功耗
储存温度
结温
源（二极管的正向）直流（DC ）笔
mb
= 25
°C
峰源（二极管正向）电流T
mb
= 25
°C;
脉冲;吨
p
≤
10
s
非钳位感性负载;我
D
= 43 A;
t
p
= 0.25毫秒; V
DD
≤
25 V ;
GS
= 50
;
V
GS
= 10 V ;开始在T
j
= 25
°C
T
mb
= 25
°C;
V
GS
= 5 V;
图2
和
3
T
mb
= 100
°C;
V
GS
= 5 V;
图2
T
mb
= 25
°C;
脉冲;吨
p
≤
10
s;
科幻gure 3
T
mb
= 25
°C;
图1
条件
25
°C ≤
T
j
≤
175
°C
25
°C ≤
T
j
≤
175
°C;
R
GS
= 20 k
民
-
-
-
-
-
-
-
55
55
-
-
-
最大
25
25
±20
75
75
240
187
+175
+175
75
240
180
单位
V
V
V
A
A
A
W
°C
°C
A
A
mJ
源极 - 漏极二极管
雪崩耐用性
E
DS （ AL ）S
非重复性的漏极 - 源极
雪崩能量
9397 750 14707
皇家飞利浦电子有限公司2005年版权所有。
产品数据表
牧师03 - 2005年4月18日
2 14
飞利浦半导体
PHB/PHD/PHU108NQ03LT
N沟道的TrenchMOS 逻辑电平FET
120
P
DER
(%)
80
03aa16
120
I
DER
(%)
80
03ar58
40
40
0
0
50
100
150
T
mb
(
°
C)
200
0
0
50
100
150
T
mb
(
°
C)
200
P
合计
P
DER
=
------------------------
×
100
%
P
°
合计
(
25 C
)
I
D
I
DER
=
--------------------
×
100
%
-
I
°
D
(
25 C
)
看图1，归一化的总功耗为
的安装基座温度功能
10
3
I
D
(A)
10
2
性限R
DSON
= V
DS
/ I
D
图2.归连续漏极电流为
的安装基座温度功能
03ar59
t
p
= 10 s
100
s
DC
10
1毫秒
10毫秒
1
1
10
V
DS
(V)
10
2
T
mb
= 25
°C;
I
DM
是单脉冲; V
GS
= 5 V
图3.安全工作区;连续和峰值漏电流与漏源电压的函数
9397 750 14707
皇家飞利浦电子有限公司2005年版权所有。
产品数据表
牧师03 - 2005年4月18日
3 14
PHP/PHB/PHD108NQ03LT
的TrenchMOS 逻辑电平FET
牧师02 - 2002年9月11日
产品数据
1.产品廓
1.1说明
在一个塑料封装，使用N沟道增强型音响场效晶体管
的TrenchMOS 技术。
产品可用性：
PHP108NQ03LT在SOT78 （ TO- 220AB ）
PHB108NQ03LT在SOT404 （D
2
-Pak ）
PHD108NQ03LT在SOT428 （ D- PAK ） 。
1.2产品特点
s
兼容逻辑电平
s
极低的通态电阻
1.3应用
s
DC到DC转换
s
开关电源
1.4快速参考数据
s
V
DS
= 25 V
s
P
合计
= 180 W
s
I
D
= 75 A
s
R
DSON
≤
6 m
2.管脚信息
表1：
针
1
2
3
mb
穿针 - SOT78 ， SOT404 ， SOT428 ，简化的外形和符号
描述
栅极（G ）
漏极（四）
源极（S ）
安装基座
连接到
漏极（四）
2
1
MBK106
简化的轮廓
[1]
mb
mb
mb
符号
d
g
s
MBB076
2
1
3
MBK116
3
MBK091
顶视图
1 2 3
SOT78 （ TO- 220AB ）
[1]
SOT404 （D
2
-Pak ）
SOT428 （ D- PAK ）
这是无法接受的连接的SOT404或SOT428封装管脚2 。
飞利浦半导体
PHP/PHB/PHD108NQ03LT
的TrenchMOS 逻辑电平FET
3.极限值
表2：
极限值
按照绝对最大额定值系统（ IEC 60134 ） 。
符号参数
V
DS
V
DGR
I
D
V
GS
I
DM
P
合计
T
英镑
T
j
I
S
I
SM
漏极 - 源极电压（直流）
漏极 - 栅极电压（直流）
漏电流（ DC ）
栅源电压
峰值漏极电流
总功耗
储存温度
结温
源（二极管的正向）直流（DC ）笔
mb
= 25
°C
峰源（二极管正向）电流T
mb
= 25
°C;
脉冲;吨
p
≤
10
s
非钳位感性负载;我
D
= 43 A;
t
p
= 0.25毫秒; V
DD
≤
15 V ;
GS
= 50
;
V
GS
= 10 V ;起始物为
j
= 25
°C
T
mb
= 25
°C;
脉冲;吨
p
≤
10
s;
科幻gure 3
T
mb
= 25
°C;
图1
条件
25
°C ≤
T
j
≤
175
o
C
25
°C ≤
T
j
≤
175
o
℃;
GS
= 20 k
T
mb
= 25
°C;
V
GS
= 5 V;
图2
和
3
T
mb
= 100
°C;
V
GS
= 5 V;
图2
和
3
民
-
-
-
-
-
-
-
55
55
-
-
-
最大
25
25
75
60
±20
108
180
+175
+175
75
108
180
单位
V
V
A
A
V
A
W
°C
°C
A
A
mJ
源极 - 漏极二极管
雪崩耐用性
E
DS （ AL ）S
非重复性的漏极 - 源极
雪崩能量
9397 750 10159
皇家飞利浦电子有限公司2002年版权所有。
产品数据
牧师02 - 2002年9月11日
2 14
飞利浦半导体
PHP/PHB/PHD108NQ03LT
的TrenchMOS 逻辑电平FET
120
PDER
(%)
80
03aa16
120
伊德尔
(%)
80
03aa24
40
40
0
0
50
100
150
200
TMB （ ° C）
0
0
50
100
150
200
TMB （ ° C）
P
合计
P
DER
=
----------------------
×
100%
-
P
°
合计
(
25 C
)
V
GS
≥
5 V
I
D
I
DER
=
-------------------
×
100%
I
°
D
(
25 C
)
看图1，归一化的总功耗为
功能安装基座的温度。
图2.归连续漏极电流为
功能安装基座的温度。
103
ID
(A)
003aaa190
限制导通电阻= VDS / ID
TP = 10
s
102
100
s
DC
10
1毫秒
10毫秒
1
1
10
VDS （ V）
102
T
mb
= 25
°C;
I
DM
是单脉冲
图3.安全工作区;连续和峰值漏电流与漏 - 源极电压的函数。
9397 750 10159
皇家飞利浦电子有限公司2002年版权所有。
产品数据
牧师02 - 2002年9月11日
3 14
飞利浦半导体
PHP/PHB/PHD108NQ03LT
的TrenchMOS 逻辑电平FET
4.热特性
表3：
R
日（ J- MB ）
R
号（j -a）的
热特性
条件
最小典型最大单位
-
-
-
-
-
60
75
50
0.8
-
-
-
K / W
K / W
K / W
K / W
从结热阻安装基座
图4
从结点到环境的热阻
SOT78
SOT428
SOT404和SOT428
垂直静止空气中
SOT428最低足迹;
安装在PCB上
SOT404最低足迹;
安装在PCB上
符号参数
4.1瞬态热阻抗
1
第Z （ J- MB ）
（K / W）
δ
= 0.5
003aaa191
0.2
10-1
0.1
0.05
0.02
单脉冲
P
δ
=
tp
T
tp
T
10-2
10-5
10-4
10-3
10-2
10-1
t
TP （多个）
1
图4.瞬态从结的热阻抗，以安装基座的脉冲持续时间的函数。
9397 750 10159
皇家飞利浦电子有限公司2002年版权所有。
产品数据
牧师02 - 2002年9月11日
4 14
PHP/PHB/PHD108NQ03LT
的TrenchMOS 逻辑电平FET
牧师02 - 2002年9月11日
产品数据
1.产品廓
1.1说明
在一个塑料封装，使用N沟道增强型音响场效晶体管
的TrenchMOS 技术。
产品可用性：
PHP108NQ03LT在SOT78 （ TO- 220AB ）
PHB108NQ03LT在SOT404 （D
2
-Pak ）
PHD108NQ03LT在SOT428 （ D- PAK ） 。
1.2产品特点
s
兼容逻辑电平
s
极低的通态电阻
1.3应用
s
DC到DC转换
s
开关电源
1.4快速参考数据
s
V
DS
= 25 V
s
P
合计
= 180 W
s
I
D
= 75 A
s
R
DSON
≤
6 m
2.管脚信息
表1：
针
1
2
3
mb
穿针 - SOT78 ， SOT404 ， SOT428 ，简化的外形和符号
描述
栅极（G ）
漏极（四）
源极（S ）
安装基座
连接到
漏极（四）
2
1
MBK106
简化的轮廓
[1]
mb
mb
mb
符号
d
g
s
MBB076
2
1
3
MBK116
3
MBK091
顶视图
1 2 3
SOT78 （ TO- 220AB ）
[1]
SOT404 （D
2
-Pak ）
SOT428 （ D- PAK ）
这是无法接受的连接的SOT404或SOT428封装管脚2 。
飞利浦半导体
PHP/PHB/PHD108NQ03LT
的TrenchMOS 逻辑电平FET
3.极限值
表2：
极限值
按照绝对最大额定值系统（ IEC 60134 ） 。
符号参数
V
DS
V
DGR
I
D
V
GS
I
DM
P
合计
T
英镑
T
j
I
S
I
SM
漏极 - 源极电压（直流）
漏极 - 栅极电压（直流）
漏电流（ DC ）
栅源电压
峰值漏极电流
总功耗
储存温度
结温
源（二极管的正向）直流（DC ）笔
mb
= 25
°C
峰源（二极管正向）电流T
mb
= 25
°C;
脉冲;吨
p
≤
10
s
非钳位感性负载;我
D
= 43 A;
t
p
= 0.25毫秒; V
DD
≤
15 V ;
GS
= 50
;
V
GS
= 10 V ;起始物为
j
= 25
°C
T
mb
= 25
°C;
脉冲;吨
p
≤
10
s;
科幻gure 3
T
mb
= 25
°C;
图1
条件
25
°C ≤
T
j
≤
175
o
C
25
°C ≤
T
j
≤
175
o
℃;
GS
= 20 k
T
mb
= 25
°C;
V
GS
= 5 V;
图2
和
3
T
mb
= 100
°C;
V
GS
= 5 V;
图2
和
3
民
-
-
-
-
-
-
-
55
55
-
-
-
最大
25
25
75
60
±20
108
180
+175
+175
75
108
180
单位
V
V
A
A
V
A
W
°C
°C
A
A
mJ
源极 - 漏极二极管
雪崩耐用性
E
DS （ AL ）S
非重复性的漏极 - 源极
雪崩能量
9397 750 10159
皇家飞利浦电子有限公司2002年版权所有。
产品数据
牧师02 - 2002年9月11日
2 14
飞利浦半导体
PHP/PHB/PHD108NQ03LT
的TrenchMOS 逻辑电平FET
120
PDER
(%)
80
03aa16
120
伊德尔
(%)
80
03aa24
40
40
0
0
50
100
150
200
TMB （ ° C）
0
0
50
100
150
200
TMB （ ° C）
P
合计
P
DER
=
----------------------
×
100%
-
P
°
合计
(
25 C
)
V
GS
≥
5 V
I
D
I
DER
=
-------------------
×
100%
I
°
D
(
25 C
)
看图1，归一化的总功耗为
功能安装基座的温度。
图2.归连续漏极电流为
功能安装基座的温度。
103
ID
(A)
003aaa190
限制导通电阻= VDS / ID
TP = 10
s
102
100
s
DC
10
1毫秒
10毫秒
1
1
10
VDS （ V）
102
T
mb
= 25
°C;
I
DM
是单脉冲
图3.安全工作区;连续和峰值漏电流与漏 - 源极电压的函数。
9397 750 10159
皇家飞利浦电子有限公司2002年版权所有。
产品数据
牧师02 - 2002年9月11日
3 14
飞利浦半导体
PHP/PHB/PHD108NQ03LT
的TrenchMOS 逻辑电平FET
4.热特性
表3：
R
日（ J- MB ）
R
号（j -a）的
热特性
条件
最小典型最大单位
-
-
-
-
-
60
75
50
0.8
-
-
-
K / W
K / W
K / W
K / W
从结热阻安装基座
图4
从结点到环境的热阻
SOT78
SOT428
SOT404和SOT428
垂直静止空气中
SOT428最低足迹;
安装在PCB上
SOT404最低足迹;
安装在PCB上
符号参数
4.1瞬态热阻抗
1
第Z （ J- MB ）
（K / W）
δ
= 0.5
003aaa191
0.2
10-1
0.1
0.05
0.02
单脉冲
P
δ
=
tp
T
tp
T
10-2
10-5
10-4
10-3
10-2
10-1
t
TP （多个）
1
图4.瞬态从结的热阻抗，以安装基座的脉冲持续时间的函数。
9397 750 10159
皇家飞利浦电子有限公司2002年版权所有。
产品数据
牧师02 - 2002年9月11日
4 14
QQ：2880707522 复制
