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分立半导体
数据表
PHC21025
加强互补
模式的MOS晶体管
产品speci fi cation
取代1994年11月数据
在分离式半导体， SC13b文件
1997年6月20日
飞利浦半导体
产品speci fi cation
加强互补
模式的MOS晶体管
特点
高速开关
无二次击穿
非常低的导通电阻。
应用
电机和驱动器
电源管理
同步整流。
描述
一个N沟道和一个P沟道增强型
MOS管采用8引脚塑料SOT96-1 （ SO8 ）
封装。
小心
1
手册， halfpage
PHC21025
钉扎 - SOT96-1 （ SO8 ）
针
1
2
3
4
5
6
7
8
符号
s
1
g
1
s
2
g
2
d
2
d
2
d
1
d
1
描述
源1
门1
源2
门2
排水2
排水2
排水1
排水1
d1 d1
5
d2 d2
8
该器件采用防静电包装中提供。
栅源输入必须加以保护，防止静电
运输或装卸过程中排出。
4
s1
g1
s2
g2
MAM118
Fig.1简化外形和符号。
快速参考数据
符号
每通道
V
DS
漏极 - 源极电压（直流）
N沟道
P沟道
V
SD
源极 - 漏极二极管正向电压
N沟道
P沟道
V
GSO
V
gsth
栅极 - 源极电压（直流）
门源阈值电压
N沟道
P沟道
I
D
漏电流（ DC ）
N沟道
P沟道
R
DSON
漏源导通电阻
N沟道
P沟道
P
合计
1997年6月20日
总功耗
V
GS
= 10 V ;我
D
= 2.2 A
V
GS
=
10
V ;我
D
=
1
A
T
s
= 80
°C
2
0.1
0.25
2
W
3.5
2.3
A
A
V
DS
= V
GS ;
I
D
= 1毫安
V
DS
= V
GS
; I
D
=
1
mA
1
1
2.8
2.8
I
S
= 1.25 A
I
S
=
1.25
A
漏极开路
1.2
1.6
±20
V
V
V
V
V
V
30
30
V
V
参数
条件
分钟。
马克斯。
单位
飞利浦半导体
产品speci fi cation
加强互补
模式的MOS晶体管
极限值
按照绝对最大额定值系统（ IEC 134 ） 。
符号
每通道
V
DS
漏极 - 源极电压（直流）
N沟道
P沟道
V
GSO
I
D
栅极 - 源极电压（直流）
漏电流（ DC ）
N沟道
P沟道
I
DM
峰值漏极电流
N沟道
P沟道
P
合计
总功耗
T
s
= 80
°C;
注2
T
AMB
= 25
°C;
注3
T
AMB
= 25
°C;
注4
T
AMB
= 25
°C;
注5
T
英镑
T
j
I
S
储存温度
工作结温
T
s
≤
80
°C
注1
注1
65
漏极开路
T
s
≤
80
°C
参数
条件
分钟。
PHC21025
马克斯。
单位
30
30
±20
3.5
2.3
14
10
2
2
1
1.3
+150
150
V
V
V
A
A
A
A
W
W
W
W
°C
°C
源极 - 漏极二极管
源电流（ DC）的
N沟道
P沟道
I
SM
峰值脉冲电流源
N沟道
P沟道
笔记
1，脉冲宽度和占空比限制的最高结温。
每个MOS晶体管2.最大允许耗散。这两个设备可以被加载到2 W的同时。
每个MOS晶体管3.最大允许耗散。器件安装在印刷电路板用的R
TH A- TP
（环境，以配合点）的27.5 K / W 。
每个MOS晶体管4最大允许耗散。器件安装在印刷电路板用的R
TH A- TP
（环境，以配合点） 90 K / W 。
如果只有一个MOS晶体管的功耗5.最大允许耗散。器件安装在印刷电路板与
的R
TH A- TP
（环境，以配合点） 90 K / W 。
1.5
1.25
6
5
A
A
A
A
1997年6月20日
3
飞利浦半导体
产品speci fi cation
加强互补
模式的MOS晶体管
PHC21025
2.5
手册， halfpage
P合计
(W)
2.0
MLB836
10
手册， halfpage
ID
(A)
10
(1)
TP =
10
s
2
MLB833 - 1
1.5
1
1.0
1毫秒
P
δ
= T
tp
DC
0.1 s
0.5
10
1
tp
0
0
50
100
150
牛逼S（
o
C)
200
t
T
10
2
10
1
1
10
V
DS
(V)
10
2
δ
= 0.01.
T
s
= 80
°C.
(1) R
DSON
限制。
图2功率降额曲线。
图3 SOAR ; N型沟道。
10
手册， halfpage
ID
(A)
10
(1)
TP =
10
s
1
P
10
1
2
MBE155
1毫秒
δ
= T
tp
DC
0.1 s
tp
T
10
2
1
t
10
1
10
V
DS
(V)
10
2
δ
= 0.01.
T
s
= 80
°C.
(1) R
DSON
限制。
图4 SOAR ; P沟道。
1997年6月20日
4
飞利浦半导体
产品speci fi cation
加强互补
模式的MOS晶体管
热特性
符号
R
第j个-S
参数
热阻结到焊接点
价值
35
PHC21025
单位
K / W
特征
T
j
= 25
°C
除非另有规定ED 。
符号
每通道
V
（ BR ） DSS
漏源击穿电压
N沟道
P沟道
V
gsth
门源阈值电压
N沟道
P沟道
I
DSS
漏极 - 源极漏电流
N沟道
P沟道
I
GSS
栅极漏电流
N沟道
P沟道
I
DON
通态漏电流
N沟道
P沟道
R
DSON
漏源导通电阻
N沟道
P沟道
y
fs
正向转移导纳
N沟道
P沟道
C
国际空间站
输入电容
N沟道
P沟道
C
OSS
输出电容
N沟道
P沟道
V
GS
= 0; V
DS
= 20V; F = 1 MHz的
V
GS
= 0; V
DS
=
20
V ; F = 1 MHz的
140
140
pF
pF
V
GS
= 0; V
DS
= 20V; F = 1 MHz的
V
GS
= 0; V
DS
=
20
V ; F = 1 MHz的
250
250
pF
pF
V
DS
= 20V;我
D
= 2.2 A
V
DS
=
20
V ;我
D
=
1
A
2
1
4.5
2
S
S
V
GS
= 4.5 V ;我
D
= 1 A
V
GS
= 10 V ;我
D
= 2.2 A
V
GS
=
4.5
V ;我
D
=
0.5 A
V
GS
=
10
V ;我
D
=
1
A
0.11
0.08
0.33
0.22
0.2
0.1
0.4
0.25
V
GS
= 10 V; V
DS
= 1 V
V
GS
= 4.5 V; V
DS
= 5 V
V
GS
=
10
V; V
DS
=
1
V
V
GS
=
4.5
V; V
DS
=
5
V
3.5
2
2.3
1
A
A
A
A
V
GS
= 0; V
DS
= 24 V
V
GS
= 0; V
DS
=
24
V
V
GS
=
±20
V; V
DS
= 0
±100
±100
nA
nA
100
100
nA
nA
V
GS
= V
DS
; I
D
= 1毫安
V
GS
= V
DS
; I
D
=
1
mA
1
1
2.8
2.8
V
V
V
GS
= 0; I
D
= 10
A
V
GS
= 0; I
D
=
10 A
30
30
V
V
参数
条件
分钟。
典型值。
MAX 。 UNIT
1997年6月20日
5
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