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分立半导体
数据表
PHC20512
加强互补
模式
MOS晶体管
产品speci fi cation
取代1997年的数据06月19日
在分离式半导体， SC13b文件
1997年10月22日
飞利浦半导体
产品speci fi cation
互补增强模式
MOS晶体管
特点
高速开关
无二次击穿
极低的通态电阻。
应用
电机和驱动器
电源管理
同步整流。
描述
一个N沟道和一个P沟道增强型
MOS管采用8引脚塑料SOT96-1 （ SO8 ）
封装。
小心
该器件采用防静电包装中提供。
栅源输入必须加以保护，防止静电
运输或装卸过程中排出。
1
4
s1
手册， halfpage
PHC20512
钉扎 - SOT96-1 （ SO8 ）
针
1
2
3
4
5
6
7
8
符号
s
1
g
1
s
2
g
2
d
2
d
2
d
1
d
1
描述
源1
门1
源2
门2
排水2
排水2
排水1
排水1
d1 d1
5
d2 d2
8
MAM118
g1
s2
g2
Fig.1简化外形和符号。
快速参考数据
符号
每通道
V
DS
漏极 - 源极电压（直流）
N沟道
P沟道
V
SD
源极 - 漏极二极管正向电压
N沟道
P沟道
V
GS
V
gsth
栅极 - 源极电压（直流）
门源阈值电压
N沟道
P沟道
I
D
漏电流（ DC ）
N沟道
P沟道
R
DSON
漏源导通电阻
N沟道
P沟道
P
合计
总功耗
V
GS
= 10 V ;我
D
= 3.2 A
V
GS
=
10
V I
D
=
2
A
T
s
= 80
°C
0.05
0.12
3.5
W
V
DS
= V
GS ;
I
D
= 1毫安
V
DS
= V
GS
; I
D
=
1
mA
T
s
= 80
°C
6.4
4
A
A
1
1
2.8
2.8
V
V
I
S
= 1.25 A
I
S
=
1.25
A
1
1.3
±20
V
V
V
30
30
V
V
参数
条件
分钟。
马克斯。
单位
1997年10月22日
2
飞利浦半导体
产品speci fi cation
互补增强模式
MOS晶体管
极限值
按照绝对最大额定值系统（ IEC 134 ） 。
符号
每通道
V
DS
漏极 - 源极电压（直流）
N沟道
P沟道
V
GS
I
D
栅极 - 源极电压（直流）
漏电流（ DC ）
N沟道
P沟道
I
DM
峰值漏极电流
N沟道
P沟道
P
合计
总功耗
T
s
= 80
°C;
注3
T
AMB
= 25
°C;
注4
T
AMB
= 25
°C;
注5
T
AMB
= 25
°C;
注6
T
英镑
T
j
I
S
储存温度
工作结温
T
s
= 80
°C
注2
注2
65
65
T
s
= 80
°C;
注1
参数
条件
分钟。
PHC20512
马克斯。
单位
30
30
±20
6.4
4
25
16
3.5
2.6
1.1
1.5
+150
+150
V
V
V
A
A
A
A
W
W
W
W
°C
°C
源极 - 漏极二极管
源电流（ DC）的
N沟道
P沟道
I
SM
峰值脉冲电流源
N沟道
P沟道
笔记
1. T
s
是在漏极引线的焊接点的温度。
2.脉冲宽度和占空比限制的最高结温。
每个MOS晶体管3.最大允许耗散。这两个设备可以被加载到3.5W的同时。
每个MOS晶体管4最大允许耗散。器件安装在印刷电路板用的R
TH A- TP
（环境，以配合点）的27.5 K / W 。
每个MOS晶体管5.最大允许耗散。器件安装在印刷电路板用的R
TH A- TP
（环境，以配合点） 90 K / W 。
如果只有一个MOS晶体管的功耗6.最大允许耗散。器件安装在印刷电路板与
的R
TH A- TP
（环境，以配合点） 90 K / W 。
3.5
2.6
14
10
A
A
A
A
1997年10月22日
3
飞利浦半导体
产品speci fi cation
互补增强模式
MOS晶体管
PHC20512
手册， halfpage
8
MGG340
手册， halfpage
10
2
MGG341
P合计
(W)
6
ID
(A)
10
(1)
TP =
10
s
100
s
tp
T
1毫秒
10毫秒
4
1
2
P
δ
=
tp
0
0
50
100
TS （ ° C）
150
10
1 1
10
T
1
t
10
100毫秒
DC
VDS （ V）
10
2
δ
= 0.01; T
s
= 80
°C.
(1) R
DSON
限制。
图2功率降额曲线。
图3 SOAR ; N型沟道。
10
2
手册， halfpage
ID
(A)
10
(1)
MBH587
TP =
10
s
100
s
1毫秒
1
P
δ
=
tp
T
10毫秒
tp
t
T
10
1 1
10
100毫秒
DC
10
VDS （ V）
10
2
1
δ
= 0.01; T
s
= 80
°C.
(1) R
DSON
限制。
图4 SOAR ; P沟道。
1997年10月22日
4
飞利浦半导体
产品speci fi cation
互补增强模式
MOS晶体管
热特性
符号
R
第j个-S
参数
热阻结到焊接点
PHC20512
价值
20
单位
K / W
特征
T
j
= 25
°C
除非另有规定ED 。
符号
每通道
V
（ BR ） DSS
漏源击穿电压
N沟道
P沟道
V
gsth
门源阈值电压
N沟道
P沟道
I
DSS
漏极 - 源极漏电流
N沟道
P沟道
I
GSS
栅极漏电流
N沟道
P沟道
R
DSON
漏源导通电阻
N沟道
P沟道
C
国际空间站
输入电容
N沟道
P沟道
C
OSS
输出电容
N沟道
P沟道
C
RSS
反向传输电容
N沟道
P沟道
Q
G
总栅极电荷
N沟道
P沟道
Q
GS
栅极 - 源电荷
N沟道
P沟道
V
GS
= 10 V; V
DD
= 15 V ;我
D
= 3.2 A
V
GS
=
10
V; V
DD
=
15
V ;我
D
=
2
A
1
1
nC
nC
V
GS
= 10 V; V
DD
= 15 V ;我
D
= 3.2 A
V
GS
=
10
V; V
DD
=
15
V ;我
D
=
2
A
15
13
nC
nC
V
GS
= 0; V
DS
= 24 V ; F = 1 MHz的
V
GS
= 0; V
DS
=
24
V ; F = 1 MHz的
100
100
pF
pF
V
GS
= 0; V
DS
= 24 V ; F = 1 MHz的
V
GS
= 0; V
DS
=
24
V ; F = 1 MHz的
200
200
pF
pF
V
GS
= 0; V
DS
= 24 V ; F = 1 MHz的
V
GS
= 0; V
DS
=
24
V ; F = 1 MHz的
450
450
pF
pF
V
GS
= 4.5 V ;我
D
= 1.6 A
V
GS
= 10 V ;我
D
= 3.2 A
V
GS
=
4.5
V ;我
D
=
1
A
V
GS
=
10
V ;我
D
=
2
A
0.1
0.05
0.25
0.12
V
GS
= 0; V
DS
= 24 V
V
GS
= 0; V
DS
=
24
V
V
GS
=
±20
V; V
DS
= 0
±100
±100
nA
nA
100
100
nA
nA
V
GS
= V
DS
; I
D
= 1毫安
V
GS
= V
DS
; I
D
=
1
mA
1
1
2.8
2.8
V
V
V
GS
= 0; I
D
= 10
A
V
GS
= 0; I
D
=
10 A
30
30
V
V
参数
条件
分钟。
典型值。马克斯。单位
1997年10月22日
5
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