【PHP/PHB/PHD78NQ03LTN沟道增强模式音响场效晶体管版本01 - 2001年11月14】,IC型号PHB78NQ03LT,PHB78NQ03LT PDF资料,PHB78NQ03LT经销商,ic,电子元器件-51电子网

PHP/PHB/PHD78NQ03LT

N沟道增强模式音响场效晶体管

版本01 - 2001年11月14日

产品数据

1.产品廓

1.1说明

N沟道逻辑电平连接的场效电源在一个塑料包装使用的晶体管

的TrenchMOS 技术。

产品可用性：

PHP78NQ03LT在SOT78 （ TO- 220AB ）

PHB78NQ03LT在SOT404 （D

-Pak ）

PHD78NQ03LT在SOT428 （ D- PAK ）。

1.2产品特点

低通态电阻

快速开关

1.3应用

电脑主板

DC到DC转换

1.4快速参考数据

= 25 V

合计

= 93 W (

= 25

°C)

= 75 A (

= 25

°C)

DSON

= 9 m (

= 25

°C)

2.管脚信息

表1：

针

穿针 - SOT78 ， SOT404 ， SOT428简化的概括和符号

描述

栅极（G ）

漏极（四）

源极（S ）

安装基座

连接到

漏极（四）

MBK106

简化的轮廓

符号

[1]

MBK116

MBK091

MBB076

顶视图

1 2 3

SOT78 （ TO- 220AB ）

[1]

SOT404 （D

-Pak ）

SOT428 （ D- PAK ）

这是无法接受的连接的SOT404或SOT428封装管脚2 。

飞利浦半导体

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N沟道增强模式音响场效晶体管

3.极限值

表2：

极限值

按照绝对最大额定值系统（ IEC 60134 ）。

符号参数

DGR

GSM

漏极 - 源极电压（直流）

漏极 - 栅极电压（直流）

栅极 - 源极电压（直流）

栅源电压

漏电流（ DC ）

≤

脉冲;

占空比25％ ;牛逼

≤

150

°C

= 25

°C;

= 5 V;

图2

和

= 100

°C;

= 5 V;

图2

= 25

°C;

= 10 V

= 100

°C;

= 10 V

合计

英镑

峰值漏极电流

总功耗

储存温度

工作结温

源（二极管的正向）直流（DC ）笔

= 25

°C

峰源（二极管正向）电流T

= 25

°C;

脉冲;吨

≤

= 25

°C;

脉冲;吨

≤

科幻gure 3

= 25

°C;

图1

条件

= 25 175

°C

= 25 175

°C;

= 20 k

民

最大

±15

±20

228

+175

228

单位

°C

源极 - 漏极二极管

9397 750 08916

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2 14

飞利浦半导体

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N沟道增强模式音响场效晶体管

120

PDER

(%)

03aa16

120

DER

(%)

03aa24

100

150

200

TMB （ C）

100

150

200

TMB （ C）

合计

DER

----------------------

100%

合计

(

25 C

)

DER

-------------------

100%

(

25 C

)

看图1，归一化的总功耗为

功能安装基座的温度。

图2.归连续漏极电流为

功能安装基座的温度。

103

03aaa175

(A)

导通电阻= VDS / ID

TP = 10微秒

102

100 s

1毫秒

10毫秒

100毫秒

VDS （ V）

102

= 25

°C;

是单一脉冲。

图3.安全工作区;连续和峰值漏电流与漏 - 源极电压的函数。

9397 750 08916

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3 14

飞利浦半导体

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N沟道增强模式音响场效晶体管

4.热特性

表3：

日（ J- MB ）

号（j -a）的

热特性

条件

图4

垂直静止空气中; SOT78封装

安装在印刷电路板;最低限度

足迹; SOT404和SOT428封装

数值单位

1.6

K / W

从结点到安装热阻

BASE

从结点到环境的热阻

符号参数

4.1瞬态热阻抗

第Z （ J- MB ）

（K / W）

03ag18

= 0.5

0.2

0.1

10-1

0.05

0.02

单脉冲

10-2

10-5

10-4

10-3

10-2

10-1

TP （多个）

图4.瞬态从结的热阻抗，以安装基座的脉冲持续时间的函数。

9397 750 08916

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4 14

飞利浦半导体

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5.特点

表4：

特征

= 25

C除非另有规定ED 。

符号参数

静态特性

（ BR ） DSS

漏源击穿电压

= 0.25毫安; V

= 0 V

= 25

°C

55 °C

GS （ TH）

门源阈值电压

= 1毫安; V

= V

;

图9

= 25

°C

= 175

°C

55 °C

DSS

漏极 - 源极漏电流

= 25 V; V

= 0 V

= 25

°C

= 175

°C

GSS

DSON

栅极 - 源极漏电流

漏源导通电阻

±15

V; V

= 0 V

= 5 V ;我

= 25 A;

图7

和

= 25

°C

= 175

°C

= 10 V ;我

= 25 A;

= 25

°C

动态特性

G（ TOT ）

国际空间站

OSS

RSS

D（上）

D（关闭）

正向跨导

总栅极电荷

栅极 - 源电荷

栅极 - 漏极（米勒）电荷

输入电容

输出电容

反向传输电容

导通延迟时间

开启上升时间

打开-O FF延迟时间

关断下降时间

源极 - 漏极（二极管的正向）电压余

= 25 A; V

= 0 V;

图12

反向恢复时间

恢复电荷

= 20 A;的dI

/ DT =

100

A / μs的; V

= 25 V

= 15 V ;我

= 25 A; V

= 10 V;

= 5.6

;

阻性负载

= 0 V; V

= 25 V ; F = 1兆赫;

图11

= 25 V ;我

= 50 A

= 50 A; V

= 15 V; V

= 5 V;

图13

4.8

4.2

389

156

0.95

5.6

130

1.2

7.65

11.5

20.7

13.5

24.3

0.05

500

100

0.5

1.5

2.3

条件

民

典型值

最大

单位

1074 -

源极 - 漏极二极管

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5 14

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