【PHP73N06T ; PHB73N06TN沟道增强模式音响场效晶体管版本01 - 2001年3月1】,IC型号PHB73N06T,PHB73N06T PDF资料,PHB73N06T经销商,ic,电子元器件-51电子网

PHP73N06T ; PHB73N06T

N沟道增强模式音响场效晶体管

版本01 - 2001年3月12日

产品speci fi cation

1.描述

N沟道增强型网络场效电源在一个塑料包装使用的晶体管

的TrenchMOS

技术。

产品可用性：

PHP73N06T在SOT78 （ TO- 220AB ）

PHB73N06T在SOT404 （D

-PAK ）。

2.特点

快速开关

极低的通态电阻。

3.应用

通用开关

开关模式电源。

4.管脚信息

表1：

针

钉扎 - SOT78和SOT404 ，简化的外形和符号

描述

栅极（G ）

漏极（四）

源极（S ）

安装底座;

连接到

漏极（四）

MBK106

简化的轮廓

符号

[1]

MBK116

MBB076

1 2 3

SOT78 （ TO- 220AB ）

[1]

SOT404 （D

PAK ）

这是无法接受的连接到SOT404封装的管脚2 。

的TrenchMOS是皇家飞利浦电子公司的商标。

飞利浦半导体

PHP73N06T ; PHB73N06T

N沟道增强模式音响场效晶体管

5.快速参考数据

表2：

合计

DSON

快速参考数据

条件

= 25 175

°C

= 25

°C;

= 10 V

= 25

°C

= 25

°C;

= 10 V ;我

= 25 A

典型值

最大

149

175

单位

°C

漏极 - 源极电压（直流）

漏电流（ DC ）

总功耗

结温

漏源导通电阻

符号参数

6.极限值

表3 ：限制值

按照绝对最大额定值系统（ IEC 60134 ）。

符号参数

DGR

漏极 - 源极电压（直流）

漏极 - 栅极电压（直流）

栅极 - 源极电压（直流）

漏电流（ DC ）

= 25

°C;

= 10 V;

图2

和

= 100

°C;

= 10 V;

图2

和

合计

英镑

峰值漏极电流

总功耗

储存温度

工作结温

源（二极管的正向）直流（DC ）笔

= 25

°C

峰源（二极管正向）电流T

= 25

°C;

脉冲;吨

≤

非重复性雪崩能量

非钳位感性负载;我

= 50 A;

= 0.1毫秒; V

≤

25 V ;

= 50

;

= 5 V ;起始物为

= 25

°C;

图4

= 25

°C;

脉冲;吨

≤

科幻gure 3

= 25

°C;

图1

条件

= 25 175

°C

= 25 175

°C;

= 20 k

民

最大

±20

266

166

175

266

125

单位

°C

源极 - 漏极二极管

雪崩耐用性

9397 750 08107

产品speci fi cation

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2 14

飞利浦半导体

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N沟道增强模式音响场效晶体管

120

PDER

(%)

100

03aa16

03aa24

120

DER

(%)

100

125

150

175

200

TMB （℃ ）

100

125

150

175 200

TMB （ C）

合计

DER

----------------------

100%

合计

(

25 C

)

≥

5 V

DER

------------------

100%

(

25 C

)

看图1，归一化的总功耗为

功能安装基座的温度。

003aaa083

图2.归连续漏极电流为

功能安装基座的温度。

102

IAS

(A)

003aaa085

103

(A)

102

导通电阻= VDS / ID

TP =

100

1毫秒

10毫秒

100毫秒

TP =

25℃

10 1

特区

TJ前雪崩= 150摄氏度

VDS （ V）

102

10-3

10-2

10-1

TP MS

= 25

°C;

是单脉冲

非钳位感性负载; V

≤

25 V ;

= 50

;

= 5 V ;起始物为

= 25

°C

150

°C

图3.安全工作区;连续和峰值漏极

电流与漏 - 源极电压的函数。

图4.非重复性雪崩耐用电流

由于脉冲持续时间的函数。

9397 750 08107

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7.热特性

表4：

符号

日（ J- MB ）

号（j -a）的

热特性

参数

条件

价值

0.9

单位

K / W

从结点到安装热阻

图5

BASE

从结点到环境的热阻

SOT78封装;垂直静止空气中

SOT404封装;安装在

印刷电路板;最低限度

足迹。

7.1瞬态热阻抗

= 0.5

第Z （ J- MB ）

（K / W）

10-1

0.5

0.2

0.1

0.05

0.02

10-2

单脉冲

003aaa084

10-3

10-7

10-6

10-5

10-4

10-3

10-2

10-1

TP （多个）

图5.瞬态结点的一个函数的热阻抗，以安装基座

脉冲持续时间。

9397 750 08107

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8.特点

表5 ：性质

= 25

C除非另有规定编

符号参数

静态特性

（ BR ） DSS

漏源击穿电压

GS （ TH）

门源阈值电压

= 250

= 0 V

= 1毫安; V

= V

;

图10

= 25

°C

= 175

°C

DSS

漏极 - 源极漏电流

= 55 V; V

= 0 V

= 25

°C

= 175

°C

GSS

DSON

栅极 - 源极漏电流

漏源导通电阻

±20

V; V

= 0 V

= 10 V ;我

= 25 A;

图8

和

= 25

= 175

°C

动态特性

G（ TOT ）

国际空间站

OSS

RSS

D（上）

D（关闭）

总栅极电荷

栅极 - 源电荷

栅极 - 漏极（米勒）电荷

输入电容

输出电容

反向传输电容

导通延迟时间

上升时间

打开-O FF延迟时间

下降时间

源极 - 漏极（二极管的正向）电压余

= 25 A; V

= 0 V;

图14

反向恢复时间

恢复电荷

= 73 A;

/ DT =

100

A / μs的;

V; V

= 30 V

= 30 V ;

= 1.2

;

= 5 V ;

= 10

= 0 V; V

= 25 V;

F = 1兆赫;

图13

= 50 A; V

= 44 V;

= 10 V;

图15

1848

421

231

0.85

0.12

2464

506

317

119

1.2

0.05

500

100

条件

民

典型值

最大

单位

源极 - 漏极二极管

9397 750 08107

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5 14

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SOT404TO-

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