【飞利浦半导体产品speci fi cation的TrenchMOS 晶体管标准水平FET概述N沟道增】,IC型号PHB50N06T,PHB50N06T PDF资料,PHB50N06T经销商,ic,电子元器件-51电子网

飞利浦半导体

产品speci fi cation

的TrenchMOS 晶体管

标准水平FET

概述

N沟道增强模式

标准级场效应功率

晶体管在一个塑料外壳

适合于表面安装。运用

“沟”技术设备

具有非常低的导通电阻

并拥有完整的齐纳二极管捐赠

ESD保护高达2kV的。这是

旨在用于直流 - 直流

转换器和通用

开关应用。

PHB50N06T

快速参考数据

符号

合计

DS （ ON）

参数

漏源电压

漏电流（ DC ）

总功耗

结温

漏极 - 源极导通状态

阻力

= 10 V

马克斯。

125

175

单位

钉扎 - SOT404

针

门

漏

来源

漏

描述

引脚配置

符号

极限值

按照绝对最大系统（ IEC 134 ）极限值

符号

DGR

±V

合计

英镑

, T

参数

漏源电压

漏极 - 栅极电压

栅源电压

漏电流（ DC ）

漏极电流（脉冲峰值）

总功耗

存储&工作温度

条件

= 20 k

= 25 C

= 100 C

= 25 C

分钟。

- 55

马克斯。

200

125

175

单位

ESD限值

符号

参数

静电放电电容

电压，所有引脚

条件

人体模型

（ 100 pF的， 1.5千欧）

分钟。

马克斯。

单位

热阻

符号

日J- MB

日J-一

参数

热阻结到

安装底座

热阻结到

环境

条件

最小的足迹， FR4

板

典型值。

马克斯。

1.2

单位

K / W

1997年11月

启1.100

飞利浦半导体

产品speci fi cation

的TrenchMOS 晶体管

标准水平FET

静态特性

= 25 ° C除非另有说明

符号

（ BR ） DSS

GS （ TO ）

DSS

GSS

±V

（ BR ） GSS

DS （ ON）

参数

漏源击穿

电压

栅极阈值电压

零栅极电压漏极电流

门源漏电流

条件

= 0 V ;我

= 0.25毫安;

= -55C

= V

; I

= 1毫安

= 175C

= -55C

= 55 V; V

= 0 V;

±10

V; V

= 0 V

= 175C

分钟。

2.0

1.0

典型值。

3.0

0.05

0.02

PHB50N06T

马克斯。

4.0

4.4

500

单位

栅极 - 源极击穿电压I

±1

毫安;

漏极 - 源极导通状态

= 10 V ;我

= 25 A

阻力

动态特性

= 25 ° C除非另有说明

符号

G（ TOT ）

国际空间站

OSS

RSS

D ON

D OFF

参数

正向跨导

总栅极电荷

栅极 - 源电荷

栅极 - 漏极（米勒）电荷

输入电容

输出电容

反馈电容

导通延迟时间

开启上升时间

打开-O FF延迟时间

关断下降时间

内部排水电感

内部源极电感

条件

= 25 V ;我

= 25 A

= 50 A; V

= 44 V; V

= 10 V

分钟。

典型值。

1100

280

130

2.5

7.5

马克斯。

1500

340

180

单位

= 0 V; V

= 25 V ; F = 1 MHz的

= 30 V ;我

= 25 A;

= 10 V ;

= 10

阻性负载

从排的上边缘测量

标签，模具中心

从源极引脚测

焊接点源焊盘

反向二极管极限值和特性

= 25 ° C除非另有说明

符号

DRM

参数

连续反向漏

当前

脉冲反向漏电流

二极管的正向电压

反向恢复时间

反向恢复电荷

条件

分钟。

= 25 A; V

= 0 V

= 40 A; V

= 0 V

= 40 A; - 二

/ DT = 100 A / μs的;

= -10 V; V

= 30 V

典型值。

0.95

1.0

0.07

马克斯。

200

1.2

单位

1997年11月

启1.100

飞利浦半导体

产品speci fi cation

的TrenchMOS 晶体管

标准水平FET

雪崩限值

符号

DSS

参数

漏源不重复

非钳位电感关断

能源

条件

= 40 A; V

≤

25 V;

= 10 V ;

= 50

;

= 25 C

分钟。

典型值。

PHB50N06T

马克斯。

单位

1997年11月

启1.100

飞利浦半导体

产品speci fi cation

的TrenchMOS 晶体管

标准水平FET

PHB50N06T

120

110

100

PD ％

归一化功率降额

瞬态热阻抗，第Z （K / W）

0.5

0.2

0.1

0.05

0.02

0.1

0.01

80 100

TMB / C

120

140

160

180

0.001

10us

1ms

脉冲宽度TP （多个）

0.1s

10s

图1 。归一化的功率耗散。

PD ％ = 100

D 25 C

= F （T

)

ID％

归一化电流降额

图4 。瞬态热阻抗。

日J- MB

= F（T） ;参数D = T

100

ID / A

120

110

100

VGS / V =

8.5

8.0

7.5

7.0

6.5

6.0

5.5

5.0

4.5

VSD / V

80 100

TMB / C

120

140

160

180

图2 。正常化的连续漏极电流。

ID％ = 100

D 25 C

= F （T

） ;条件： V

≥

5 V

图5 。典型的输出特性，T

= 25 C.

= F（V

） ;参数V

RDS （ ON） /毫欧

VGS / V =

6.5

1000

ID / A

7524-55

RDS （ ON）= VDS / ID

100

TP = 10我们

100美

1毫秒

10毫秒

100毫秒

VDS / V

100

1000

ID / A

如图3所示。安全工作区。牛逼

= 25 C

＆放大器;我

= F（V

); I

单脉冲;参数t

图6 。典型通态电阻，T

= 25 C.

DS （ ON）

= F（我

） ;参数V

1997年11月

启1.100

飞利浦半导体

产品speci fi cation

的TrenchMOS 晶体管

标准水平FET

PHB50N06T

100

ID / A

VGS （ TO ） / V

马克斯。

BUK759-60

典型值。

分钟。

TJ / C = 175

VGS / V

-100

-50

TJ / C

100

150

200

图7 。典型的传输特性。

= F（V

） ;条件： V

= 25 V ;参数T

图10 。栅极阈值电压。

GS （ TO ）

= F （T

） ;条件：我

= 1毫安; V

= V

亚阈值传导

1E-01

GFS / S

1E-02

典型值

98%

1E-03

1E-04

1E-05

ID / A

100

1E-06

图8 。典型的跨导，T

= 25 C.

= F（我

） ;条件： V

= 25 V

BUK959-60

图11 。亚阈值漏电流。

= F（V

GS ）

;条件：T已

= 25 ℃; V

= V

2.5

RDS（ON） normlised到25degC

2.5

数千pF的

1.5

0.5

-100

-50

TMB /摄氏度

100

150

200

0.01

0.1

VDS / V

100

图9 。正常化漏极 - 源极导通电阻。

一 - R的

DS （ ON）

DS （ ON） 25 C

= F （T

); I

= 25 A; V

= 5 V

图12 。典型的电容，C

国际空间站

, C

OSS

, C

RSS

C = F（V

） ;条件： V

= 0 V ; F = 1 MHz的

1997年11月

启1.100

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联系人：何小姐

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