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PHP112N06T ; PHB112N06T
N沟道增强模式音响场效晶体管
版本01 - 2001年3月7日
产品speci fi cation
1.描述
N沟道增强型网络场效电源在一个塑料包装使用的晶体管
的TrenchMOS
1
技术。
产品可用性：
PHP112N06T在SOT78 （ TO- 220AB ）
PHB112N06T在SOT404 （D
2
-PAK ） 。
2.特点
s
快速开关
s
极低的通态电阻。
3.应用
s
通用开关
s
开关模式电源。
c
4.管脚信息
c
表1：
针
1
2
3
mb
钉扎 - SOT78和SOT404 ，简化的外形和符号
描述
栅极（G ）
漏极（四）
源极（S ）
安装底座;
连接到
漏极（四）
1
MBK106
简化的轮廓
mb
mb
符号
[1]
d
g
2
3
MBK116
MBB076
s
1 2 3
SOT78 （ TO- 220AB ）
[1]
1.
SOT404 （D
2-
PAK ）
这是无法接受的连接到SOT404封装的管脚2 。
的TrenchMOS是皇家飞利浦电子公司的商标。
飞利浦半导体
PHP112N06T ; PHB112N06T
N沟道增强模式音响场效晶体管
5.快速参考数据
表2：
符号
V
DS
I
D
P
合计
T
j
R
DSON
快速参考数据
参数
漏极 - 源极电压（直流）
漏电流（ DC ）
总功耗
结温
漏源导通电阻
T
j
= 25
°C;
V
GS
= 10 V ;我
D
= 25 A
条件
T
j
= 25 175
°C
T
mb
= 25
°C;
V
GS
= 10 V
T
mb
= 25
°C
典型值
7.2
最大
55
75
200
175
8
单位
V
A
W
°C
m
6.极限值
表3 ：限制值
按照绝对最大额定值系统（ IEC 60134 ） 。
符号
V
DS
V
DGR
V
GS
I
D
参数
漏极 - 源极电压（直流）
漏极 - 栅极电压（直流）
栅极 - 源极电压（直流）
漏电流（ DC ）
T
mb
= 25
°C;
V
GS
= 10 V
图2
和
3
T
mb
= 100
°C;
V
GS
= 10 V
图2
和
3
I
DM
P
合计
T
英镑
T
j
I
S
I
SM
峰值漏极电流
总功耗
储存温度
工作结温
源（二极管正向）电流
（DC）的
峰源（二极管正向）
当前
非重复性雪崩能量
T
mb
= 25
°C
T
mb
= 25
°C;
脉冲;吨
p
≤
10
s
T
mb
= 25
°C;
脉冲;吨
p
≤
10
s;
科幻gure 3
T
mb
= 25
°C;
图1
条件
T
j
= 25 175
°C
T
j
= 25 175
°C;
R
GS
= 20 k
民
55
55
最大
55
55
±20
75
52.5
400
200
175
175
75
400
单位
V
V
V
A
A
A
W
°C
°C
A
A
源极 - 漏极二极管
雪崩耐用性
E
AS
非钳位感性负载;
I
AS
= 60 A;牛逼
p
= 0.1毫秒; V
DD
≤
25 V;
R
GS
= 50
;
V
GS
= 5 V ;开始
T
j
= 25
°C;
图4
360
mJ
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产品speci fi cation
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PHP112N06T ; PHB112N06T
N沟道增强模式音响场效晶体管
120
PDER
(%)
100
03aa16
03aa24
120
I
DER
(%)
100
80
80
60
60
40
40
20
20
0
0
25
50
75
100
125
150
175
200
TMB （℃ ）
0
0
25
50
75
100
125
150
175 200
o
TMB （ C）
P
合计
P
DER
=
----------------------
×
100%
P
°
合计
(
25 C
)
V
GS
≥
10 V
I
D
I
DER
=
------------------
×
100%
-
I
°
D
(
25 C
)
看图1，归一化的总功耗为
功能安装基座的温度。
图2.归连续漏极电流为
功能安装基座的温度。
102
003aaa080
103
ID
(A)
102
导通电阻= VDS / ID
003aaa069
TP =
1
s
10
s
100
s
1毫秒
IAS
(A)
25℃
10
TJ前雪崩= 150摄氏度
10
P
δ
=
tp
T
DC
10毫秒
0.1 s
tp
t
T
1
10
VDS （ V）
102
10-3
10-2
10-1
1
TP MS
10
1
1
T
mb
= 25
°C;
I
DM
是单一脉冲。
非钳位感性负载; V
DD
≤
15 V ;
GS
= 50
;
V
GS
= 5 V ;起始物为
j
= 25
°C
150
°C.
图3.安全工作区;连续和峰值漏极
电流与漏 - 源极电压的函数。
图4.非重复性雪崩耐用电流
由于脉冲持续时间的函数。
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N沟道增强模式音响场效晶体管
7.热特性
表4：
符号
R
日（ J- MB ）
R
号（j -a）的
热特性
参数
条件
价值
0.75
60
50
单位
K / W
K / W
K / W
从结点到安装热阻
图5
BASE
从结点到环境的热阻
SOT78封装;垂直静止空气中
SOT404封装;安装在
印刷电路板;最低限度
足迹。
7.1瞬态热阻抗
003aaa070
10
第Z （ J- MB ）
（K / W）
1
δ
= 0.5
0.2
10-1
0.1
0.05
0.02
单脉冲
10-2
tp
t
T
P
δ
=
tp
T
10-3
10-7
10-6
10-5
10-4
10-3
10-2
10-1
1
TP （多个）
10
图5.瞬态结点的一个函数的热阻抗，以安装基座
脉冲持续时间。
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8.特点
表5 ：性质
T
j
= 25
°
C除非另有规定编
符号
V
（ BR ） DSS
V
GS （ TH）
参数
漏源击穿
电压
条件
I
D
= 250
A;
V
GS
= 0 V
民
55
典型值
最大
单位
V
静态特性
栅源阈值电压I
D
= 1毫安; V
DS
= V
GS
;
图10
T
j
= 25
°C
T
j
= 175
°C
2.0
1.0
3.0
0.05
2
4.0
10
500
100
V
V
A
A
nA
I
DSS
漏极 - 源极漏电流
V
GS
= 0 V; V
DS
= 55 V
T
j
= 25
°C
T
j
= 175
°C
I
GSS
R
DSON
栅极 - 源极漏电流
漏极 - 源极导通状态
阻力
V
DS
= 0 V; V
GS
=
±20
V
V
GS
= 10 V ;我
D
= 25 A;
图8
和
9
T
j
= 25
o
C
T
j
= 175
°C
7.2
87
24
29
3264
720
389
24
94
100
80
0.85
65
0.17
8.0
16
4352
863
533
36
141
140
112
1.2
m
m
nC
nC
nC
pF
pF
pF
ns
ns
ns
ns
V
ns
C
动态特性
Q
G（ TOT ）
Q
gs
Q
gd
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
V
SD
t
rr
Q
r
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极（米勒）电荷
输入电容
输出电容
反向传输电容
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
源极 - 漏极（二极管的正向）
电压
反向恢复时间
恢复电荷
I
S
= 25 A; V
GS
= 0 V;
图14
I
S
= 75 A;
dI
S
/ DT =
100
A / μs的;
V
GS
= -10 V; V
R
= 30 V
V
DD
= 30 V ;
D
= 1.2
;
V
GS
= 5 V ;
G
= 10
V
GS
= 0 V; V
DS
= 25 V;
F = 1兆赫;
图13
I
D
= 50 A; V
DD
= 44 V;
V
GS
= 10 V;
图15
源极 - 漏极二极管
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