PHP/PHB110NQ08T
N沟道的TrenchMOS 标准水平FET
版本01 - 2004年3月29日
产品数据
1.产品廓
1.1说明
N沟道增强型网络场效电源在一个塑料包装使用的晶体管
的TrenchMOS 技术。
1.2产品特点
s
标准电平阈值
s
极低的通态电阻。
1.3应用
s
电机，灯具，电磁阀
s
的DC- DC转换器
s
不间断电源
s
一般工业应用。
1.4快速参考数据
s
V
DS
≤
75 V
s
P
合计
≤
230 W
s
I
D
≤
75 A
s
R
DSON
≤
9 m.
2.管脚信息
表1：
1
2
3
mb
钉扎 - SOT78 （ TO- 220AB ）和SOT404 （D
2
-PAK ） ，简化的外形和符号
简化的轮廓
[1]
引脚说明
栅极（G ）
漏极（四）
源极（S ）
安装底座;
连接到
漏极（四）
符号
mb
d
mb
g
s
MBB076
2
1
MBK106
3
MBK116
1 2 3
SOT78 （ TO- 220AB ）
[1]
SOT404 （D
2
-Pak ）
这是无法接受的连接到SOT404封装的管脚2 。
飞利浦半导体
PHP/PHB110NQ08T
N沟道的TrenchMOS 标准水平FET
3.订购信息
表2：
订购信息
包
名字
PHP110NQ08T
PHB110NQ08T
TO-220AB
D
2
-PAK
描述
塑料单端表面贴装封装; 3引线（ 1铅裁剪）
VERSION
SOT404
塑料单端封装;散热器安装; 1安装孔; 3引线SOT78
类型编号
4.极限值
表3：
极限值
按照绝对最大额定值系统（ IEC 60134 ） 。
符号参数
V
DS
V
DGR
V
GS
I
D
I
DM
P
合计
T
英镑
T
j
I
S
I
SM
漏极 - 源极电压（直流）
漏极 - 栅极电压（直流）
栅极 - 源极电压（直流）
漏电流（ DC ）
峰值漏极电流
总功耗
储存温度
结温
源（二极管的正向）直流（DC ）笔
mb
= 25
°C
峰源（二极管正向）电流T
mb
= 25
°C;
脉冲;吨
p
≤
10
s
非钳位感性负载;我
D
= 75 A;
t
p
= 0.15毫秒; V
DD
≤
75 V ;
GS
= 50
;
V
GS
= 10 V ;起始物为
j
= 25
°C
T
mb
= 25
°C;
V
GS
= 10 V;
图2
和
3
T
mb
= 100
°C;
V
GS
= 10 V;
图2
T
mb
= 25
°C;
脉冲;吨
p
≤
10
s;
科幻gure 3
T
mb
= 25
°C;
图1
条件
25
°C ≤
T
j
≤
175
°C
25
°C ≤
T
j
≤
175
°C;
R
GS
= 20 k
民
-
-
-
-
-
-
-
55
55
-
-
-
最大
75
75
±20
75
75
240
230
+175
+175
75
240
560
单位
V
V
V
A
A
A
W
°C
°C
A
A
mJ
源极 - 漏极二极管
雪崩耐用性
E
DS （ AL ）S
非重复性的漏极 - 源极
雪崩能量
9397 750 12927
皇家飞利浦电子股份有限公司2004版权所有。
产品数据
版本01 - 2004年3月29日
2 13
飞利浦半导体
PHP/PHB110NQ08T
N沟道的TrenchMOS 标准水平FET
120
PDER
(%)
80
03aa16
120
伊德尔
(%)
80
03ap74
40
40
0
0
50
100
150
200
TMB （
°
C)
0
0
50
100
150
200
TMB （ ° C）
P
合计
P
DER
=
----------------------
×
100%
-
P
°
合计
(
25 C
)
I
D
I
DER
=
-------------------
×
100%
I
°
D
(
25 C
)
看图1，归一化的总功耗为
功能安装基座的温度。
图2.归连续漏极电流为
功能安装基座的温度。
103
ID
(A)
03ap76
限制导通电阻= VDS / ID
TP = 10
s
102
1毫秒
10毫秒
DC
10
100毫秒
1s
1
1
10
102
VDS （ V）
103
T
mb
= 25
°C;
I
DM
是单脉冲; V
GS
= 10 V.
图3.安全工作区;连续和峰值漏电流与漏 - 源极电压的函数。
9397 750 12927
皇家飞利浦电子股份有限公司2004版权所有。
产品数据
版本01 - 2004年3月29日
3 13
飞利浦半导体
PHP/PHB110NQ08T
N沟道的TrenchMOS 标准水平FET
5.热特性
表4：
R
日（ J- MB ）
R
号（j -a）的
热特性
条件
民
-
-
-
典型值
-
60
50
最大
0.65
-
-
单位
K / W
K / W
K / W
从结热阻安装基座
图4
从结点到环境的热阻
SOT78
SOT404
垂直静止空气中
安装在印刷电路
板;最小的足迹;
垂直在静止空气中。
符号参数
5.1瞬态热阻抗
1
第Z （ J- MB ）
（K / W）
δ
= 0.5
03ap75
0.2
10-1
0.1
0.05
0.02
P
单脉冲
δ
=
tp
T
tp
T
10-2
10-4
10-3
10-2
10-1
t
TP （多个）
1
图4.瞬态从结的热阻抗，以安装基座的脉冲持续时间的函数。
9397 750 12927
皇家飞利浦电子股份有限公司2004版权所有。
产品数据
版本01 - 2004年3月29日
4 13
PHB110NQ08T
N沟道的TrenchMOS标准水平FET
牧师02 - 2009年10月12日
产品数据表
1.产品廓
1.1概述
标准电平N沟道增强型场效应晶体管（ FET）在一个塑料
包装用的TrenchMOS技术。本产品的设计和合格的使用
计算，通信，消费电子和唯一的工业应用。
1.2特点和优点
低导通损耗是由于低
导通状态电阻
适用于标准水平栅极驱动
来源
1.3应用
的DC- DC转换器
一般工业应用
电机，灯具和螺线管
不间断电源
1.4快速参考数据
表1中。
V
DS
I
D
P
合计
快速参考
条件
T
mb
= 25 ℃; V
GS
= 10 V;
SEE
图1
和
3
T
mb
= 25°C ;看
图2
民
-
-
-
典型值
-
-
-
最大
75
75
230
单位
V
A
W
漏 - 源电压
j
≥
25 ℃;牛逼
j
≤
175 °C
漏电流
总功率
耗散
栅极 - 漏极电荷
符号参数
动态特性
Q
GD
V
GS
= 10 V ;我
D
= 25 A;
V
DS
= 60 V ;牛逼
j
= 25 °C;
SEE
图11
V
GS
= 10 V ;我
D
= 25 A;
T
j
= 25°C ;看
图9
和
10
-
48.2
-
nC
静态特性
R
DSON
漏源
导通状态电阻
-
7.7
9
m
恩智浦半导体
PHB110NQ08T
N沟道的TrenchMOS标准水平FET
2.管脚信息
表2中。
针
1
2
3
mb
管脚信息
符号
G
D
S
D
描述
门
漏
来源
安装底座;连接
漏
2
1
3
[1]
简化的轮廓
mb
图形符号
D
G
mbb076
S
SOT404 （ D2PAK ）
[1]
这是无法接受对销2的连接。
3.订购信息
表3中。
订购信息
包
名字
PHB110NQ08T
D2PAK
描述
塑料单端表面安装封装（ D2PAK ） ; 3引线（ 1
铅裁剪）
VERSION
SOT404
类型编号
4.极限值
表4 。
符号
V
DS
V
DGR
V
GS
I
D
I
DM
P
合计
T
英镑
T
j
I
S
I
SM
E
DS （ AL ）S
极限值
参数
漏源电压
漏极 - 栅极电压
栅源电压
漏电流
峰值漏极电流
总功耗
储存温度
结温
源出电流
峰源电流
T
mb
= 25 °C
t
p
≤
10微秒;脉冲;牛逼
mb
= 25 °C
V
GS
= 10 V ;牛逼
mb
= 100 ℃;看
图1
V
GS
= 10 V ;牛逼
mb
= 25°C ;看
图1
和
3
t
p
≤
10微秒;脉冲;牛逼
mb
= 25°C ;看
科幻gure 3
T
mb
= 25°C ;看
图2
条件
T
j
≥
25 ℃;牛逼
j
≤
175 °C
T
j
≥
25 ℃;牛逼
j
≤
175 ℃;
GS
= 20 k
民
-
-
-20
-
-
-
-
-55
-55
-
-
-
最大
75
75
20
75
75
440
230
175
175
75
440
560
单位
V
V
V
A
A
A
W
°C
°C
A
A
mJ
按照绝对最大额定值系统（ IEC 60134 ） 。
源极 - 漏极二极管
雪崩耐用性
不重复
V
GS
= 10 V ;牛逼
J（下INIT ）
= 25°C ;我
D
= 75 A; V
SUP
≤
75 V;
漏源雪崩松开;吨
p
= 0.15毫秒;
GS
= 50
能源
PHB110NQ08T_2
NXP B.V. 2009保留所有权利。
产品数据表
牧师02 - 2009年10月12日
2 12
QQ：2881677436 复制
