PH8230E
的TrenchMOS 增强型逻辑电平FET
M3D748
牧师02 - 2003年4月29日
产品数据
1.产品廓
1.1说明
N沟道增强型网络场效电源在一个塑料包装使用的晶体管
的TrenchMOS 技术。
产品可用性：
PH8230E在SOT669 （ LFPAK ） 。
1.2产品特点
s
低热阻
s
低栅极驱动电流
s
SO8等效面积足迹
s
低通态电阻。
1.3应用
s
的DC- DC转换器
s
便携式电器
s
开关模式电源
s
笔记本电脑等。
1.4快速参考数据
s
V
DS
≤
30 V
s
P
合计
≤
62.5 W
s
I
D
≤
67 A
s
R
DSON
≤
8.2 m
2.管脚信息
表1：
针
1,2,3
4
mb
钢钉 - SOT669 （ LFPAK ） ，简化的外形和符号
描述
源极（S ）
mb
d
简化的轮廓
符号
栅极（G ）
安装底座;
连接到漏极（D）
g
s
MBB076
1
2
3
4
MBL286
顶视图
SOT669 （ LFPAK ）
飞利浦半导体
PH8230E
的TrenchMOS 增强型逻辑电平FET
3.极限值
表2 ：极限参数
按照绝对最大额定值系统（ IEC 60134 ） 。
符号参数
V
DS
V
GS
I
D
I
DM
P
合计
T
英镑
T
j
I
S
I
SM
漏极 - 源极电压（直流）
栅极 - 源极电压（直流）
漏电流（ DC ）
峰值漏极电流
总功耗
储存温度
结温
源（二极管的正向）直流（DC ）笔
mb
= 25
°C
峰源（二极管正向）电流T
mb
= 25
°C;
脉冲;吨
p
≤
10
s
非钳位感性负载;我
D
= 33.9 A;
t
p
= 0.15毫秒; V
DD
=
30 V; V
GS
= 10 V;
起始物为
j
= 25
°C
T
mb
= 25
°C;
V
GS
= 10 V;
图2
和
3
T
mb
= 100
°C;
V
GS
= 10 V;
图2
T
mb
= 25
°C;
脉冲;吨
p
≤
10
s;
科幻gure 3
T
mb
= 25
°C;
图1
条件
25
°C ≤
T
j
≤
150
°C
民
-
-
-
-
-
-
55
55
-
-
-
最大
30
±20
67
42
268
62.5
+150
+150
52
150
115
单位
V
V
A
A
A
W
°C
°C
A
A
mJ
源极 - 漏极二极管
雪崩耐用性
E
DS （ AL ）S
非重复性的漏极 - 源极
雪崩能量
9397 750 11388
皇家飞利浦电子有限公司2003年版权所有。
产品数据
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飞利浦半导体
PH8230E
的TrenchMOS 增强型逻辑电平FET
120
PDER
(%)
80
03aa15
120
伊德尔
(%)
80
03aa23
40
40
0
0
50
100
150
200
TMB （
°
C)
0
0
50
100
150
200
TMB （
°
C)
P
合计
P
DER
=
----------------------
×
100%
-
P
°
合计
(
25 C
)
V
GS
≥
10 V
I
D
I
DER
=
-------------------
×
100%
I
°
D
(
25 C
)
看图1，归一化的总功耗为
功能安装基座的温度。
图2.归连续漏极电流为
功能安装基座的温度。
103
ID
(A)
102
003aaa369
限制导通电阻= VDS / ID
TP = 10
s
100
s
1毫秒
10
DC
10毫秒
100毫秒
1
10-1
10-1
1
10
VDS （ V）
102
T
mb
= 25
°C;
I
DM
是单脉冲; V
GS
= 10 V
图3.安全工作区;连续和峰值漏电流与漏 - 源极电压的函数。
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飞利浦半导体
PH8230E
的TrenchMOS 增强型逻辑电平FET
4.热特性
表3：
R
日（ J- MB ）
热特性
条件
最小典型最大单位
-
-
2
K / W
从结热阻安装基座
图4
符号参数
4.1瞬态热阻抗
10
第Z （ J- MB ）
（K / W）
003aaa370
δ
= 0.5
1
0.2
0.1
0.05
0.02
单脉冲
P
δ
=
tp
T
tp
T
10-1
10-4
10-3
10-2
10-1
TP （多个）
t
1
图4.瞬态从结的热阻抗，以安装基座的脉冲持续时间的函数。
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PH8230E
N沟道的TrenchMOS 增强型逻辑电平FET
M3D748
牧师03 - 2004年3月2日
产品数据
1.产品廓
1.1说明
N沟道增强型网络场效电源在一个塑料包装使用的晶体管
的TrenchMOS 技术。
1.2产品特点
s
低热阻
s
低栅极驱动器
s
SO8等效面积足迹
s
低通态电阻。
1.3应用
s
的DC- DC转换器
s
便携式电器
s
开关模式电源
s
笔记本电脑等。
1.4快速参考数据
s
V
DS
≤
30 V
s
P
合计
≤
62.5 W
s
I
D
≤
67 A
s
R
DSON
≤
8.2 m
2.管脚信息
表1：
针
1,2,3
4
mb
钢钉 - SOT669 （ LFPAK ） ，简化的外形和符号
描述
源极（S ）
mb
d
简化的轮廓
符号
栅极（G ）
安装底座;
连接到漏极（D）
g
s
MBB076
1
2
3
4
MBL286
顶视图
SOT669 （ LFPAK ）
飞利浦半导体
PH8230E
N-二channelTrenchMOS 增强型逻辑电平FET
3.订购信息
表2：
订购信息
包
名字
PH8230E
LFPAK
描述
塑料单端表面贴装封装; 4引线
VERSION
SOT669
类型编号
4.极限值
表3 ：限制值
按照绝对最大额定值系统（ IEC 60134 ） 。
符号参数
V
DS
V
GS
I
D
I
DM
P
合计
T
英镑
T
j
I
S
I
SM
漏极 - 源极电压（直流）
栅极 - 源极电压（直流）
漏电流（ DC ）
峰值漏极电流
总功耗
储存温度
结温
源（二极管的正向）直流（DC ）笔
mb
= 25
°C
峰源（二极管正向）电流T
mb
= 25
°C;
脉冲;吨
p
≤
10
s
非钳位感性负载;我
D
= 33.9 A;
t
p
= 0.15毫秒; V
DD
= 30 V; V
GS
= 10 V;
起始物为
j
= 25
°C
T
mb
= 25
°C;
V
GS
= 10 V;
图2
和
3
T
mb
= 100
°C;
V
GS
= 10 V;
图2
T
mb
= 25
°C;
脉冲;吨
p
≤
10
s;
科幻gure 3
T
mb
= 25
°C;
图1
条件
25
°C ≤
T
j
≤
150
°C
民
-
-
-
-
-
-
55
55
-
-
-
最大
30
±20
67
42
268
62.5
+150
+150
52
150
115
单位
V
V
A
A
A
W
°C
°C
A
A
mJ
源极 - 漏极二极管
雪崩耐用性
E
DS （ AL ）S
非重复性的漏极 - 源极
雪崩能量
9397 750 12946
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PH8230E
N-二channelTrenchMOS 增强型逻辑电平FET
120
PDER
(%)
80
03aa15
120
伊德尔
(%)
80
03aa23
40
40
0
0
50
100
150
200
TMB （
°
C)
0
0
50
100
150
200
TMB （
°
C)
P
合计
P
DER
=
----------------------
×
100%
-
P
°
合计
(
25 C
)
V
GS
≥
10 V
I
D
I
DER
=
-------------------
×
100%
I
°
D
(
25 C
)
看图1，归一化的总功耗为
功能安装基座的温度。
图2.归连续漏极电流为
功能安装基座的温度。
103
ID
(A)
102
003aaa369
限制导通电阻= VDS / ID
TP = 10
s
100
s
1毫秒
10
DC
10毫秒
100毫秒
1
10-1
10-1
1
10
VDS （ V）
102
T
mb
= 25
°C;
I
DM
是单脉冲; V
GS
= 10 V
图3.安全工作区;连续和峰值漏电流与漏 - 源极电压的函数。
9397 750 12946
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PH8230E
N-二channelTrenchMOS 增强型逻辑电平FET
5.热特性
表4：
R
日（ J- MB ）
热特性
条件
最小典型最大单位
-
-
2
K / W
从结热阻安装基座
图4
符号参数
5.1瞬态热阻抗
10
第Z （ J- MB ）
（K / W）
003aaa370
δ
= 0.5
1
0.2
0.1
0.05
0.02
单脉冲
10-1
10-4
10-3
10-2
10-1
TP （多个）
1
P
δ
=
tp
T
tp
T
t
图4.瞬态从结的热阻抗，以安装基座的脉冲持续时间的函数。
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PH8230E
N-二channelTrenchMOS 增强型逻辑电平FET
6.特性
表5 ：性质
T
j
= 25
°
C除非另有规定ED 。
符号参数
静态特性
V
（ BR ） DSS
漏源击穿电压
V
GS （ TH）
门源阈值电压
I
D
= 250
A;
V
GS
= 0 V
I
D
= 1毫安; V
DS
= V
GS
;
图9
T
j
= 25
°C
T
j
= 150
°C
I
DSS
漏极 - 源极漏电流
V
DS
= 30 V; V
GS
= 0 V
T
j
= 25
°C
T
j
= 150
°C
I
GSS
R
DSON
栅极 - 源极漏电流
漏源导通电阻
V
GS
=
±20
V; V
DS
= 0 V
V
GS
= 10 V ;我
D
= 10 A;
图7
和
8
T
j
= 25
°C
T
j
= 150
°C
V
GS
= 4.5 V ;我
D
= 10 A;
图8
动态特性
Q
G（ TOT ）
Q
gs
Q
gd
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
V
SD
t
rr
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极（米勒）电荷
输入电容
输出电容
反向传输电容
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
源极 - 漏极（二极管的正向）电压余
S
= 10 A; V
GS
= 0 V;
图12
反向恢复时间
I
S
= 20 A;的dI
S
/ DT =
100
A / μs的; V
DS
= 20 V
V
GS
= 0 V
V
DD
= 10 V ;我
D
= 10 A; V
GS
= 4.5 V ;
G
= 4.7
V
GS
= 0 V; V
DS
= 10 V ; F = 1兆赫;
图11
I
D
= 20 A; V
DD
= 10 V; V
GS
= 5 V;
图13
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
14
5.7
5
527
235
28
44
33
21
0.85
38
-
-
-
-
-
-
-
-
-
1.2
-
nC
nC
nC
pF
pF
pF
ns
ns
ns
ns
V
ns
-
-
-
7.6
13
11
8.2
14
13.2
m
m
m
-
-
-
0.06
-
20
1
500
100
A
A
nA
1
0.5
1.7
-
2.5
-
V
V
30
-
-
V
条件
民
典型值
最大
单位
1400 -
源极 - 漏极二极管
9397 750 12946
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产品数据
牧师03 - 2004年3月2日
5 12
PH8230E
N沟道的TrenchMOS逻辑电平FET
牧师04 - 2009年11月17日
产品数据表
1.产品廓
1.1概述
逻辑电平N沟道增强型场效应晶体管（ FET）在一个塑料
包装用的TrenchMOS技术。本产品的设计和合格的使用
计算，通信，消费电子和唯一的工业应用。
1.2特点和优点
更高的运行功率因低
热阻
低导通损耗是由于低
导通状态电阻
由于要求低的简单栅极驱动
栅极电荷
1.3应用
的DC- DC转换器
笔记本电脑
便携式设备
开关模式电源
1.4快速参考数据
表1中。
V
DS
I
D
P
合计
快速参考
条件
T
mb
= 25 ℃; V
GS
= 10 V;
SEE
图1
和
3
T
mb
= 25°C ;看
图2
民
-
-
-
典型值
-
-
-
最大
30
67
62.5
单位
V
A
W
漏 - 源电压
j
≥
25 ℃;牛逼
j
≤
150 °C
漏电流
总功率
耗散
栅极 - 漏极电荷
符号参数
动态特性
Q
GD
V
GS
= 5 V ;我
D
= 20 A; V
DS
10 V;
T
j
= 25°C ;看
图11
V
GS
= 10 V ;我
D
= 10 A;
T
j
= 25°C ;看
图9
和
10
-
5
-
nC
静态特性
R
DSON
漏源
导通状态电阻
-
7.6
8.2
m
恩智浦半导体
PH8230E
N沟道的TrenchMOS逻辑电平FET
2.管脚信息
表2中。
针
1
2
3
4
mb
S
S
S
G
D
管脚信息
符号
描述
来源
来源
来源
门
安装底座;连接
漏
mbb076
简化的轮廓
mb
图形符号
D
G
S
1 2 3 4
SOT669 （ LFPAK ）
3.订购信息
表3中。
订购信息
包
名字
PH8230E
LFPAK
描述
塑料单端表面安装封装（ LFPAK ） ; 4引线
VERSION
SOT669
类型编号
4.极限值
表4 。
符号
V
DS
V
GS
I
D
I
DM
P
合计
T
英镑
T
j
I
S
I
SM
E
DS （ AL ）S
极限值
参数
漏源电压
栅源电压
漏电流
峰值漏极电流
总功耗
储存温度
结温
源出电流
峰源电流
T
mb
= 25 °C
t
p
≤
10微秒;脉冲;牛逼
mb
= 25 °C
V
GS
= 10 V ;牛逼
mb
= 100 ℃;看
图1
V
GS
= 10 V ;牛逼
mb
= 25°C ;看
图1
和
3
t
p
≤
10微秒;脉冲;牛逼
mb
= 25°C ;看
科幻gure 3
T
mb
= 25°C ;看
图2
条件
T
j
≥
25 ℃;牛逼
j
≤
150 °C
民
-
-20
-
-
-
-
-55
-55
-
-
-
最大
30
20
42
67
268
62.5
150
150
52
150
115
单位
V
V
A
A
A
W
°C
°C
A
A
mJ
按照绝对最大额定值系统（ IEC 60134 ） 。
源极 - 漏极二极管
雪崩耐用性
不重复
V
GS
= 10 V ;牛逼
J（下INIT ）
= 25°C ;我
D
= 33.9 A; V
SUP
= 30 V;
漏源雪崩牛逼
p
= 0.15毫秒;松开
能源
PH8230E_4
NXP B.V. 2009保留所有权利。
产品数据表
牧师04 - 2009年11月17日
2 12
QQ：2880707522 复制
