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PH4025L
N沟道的TrenchMOS逻辑电平FET
版本01 - 2007年8月22日
产品数据表
1.产品廓
1.1概述
逻辑电平N沟道增强型场效应晶体管（ FET）在一个塑料
包装用的TrenchMOS技术。
1.2产品特点
I
逻辑电平阈值
I
在直流 - 直流最佳的使用
转换器
I
100 % R
G
经过测试
I
无铅封装
I
非常低的开关和传导
损失
I
100 ％的耐用性测试
1.3应用
I
的DC- DC转换器
I
稳压器
I
开关模式电源
I
PC主板
1.4快速参考数据
I
V
DS
≤
25 V
I
R
DSON
≤
4.0 m
I
I
D
≤
99 A
I
Q
GD
= 5 NC （典型值）
2.管脚信息
表1中。
针
1, 2, 3
4
mb
钉扎
描述
源极（S ）
栅极（G ）
安装底座;连接到漏极（D）的
mb
D
简化的轮廓
符号
G
mbb076
S
1 2 3 4
SOT669 （ LFPAK ）
恩智浦半导体
PH4025L
N沟道的TrenchMOS逻辑电平FET
3.订购信息
表2中。
订购信息
包
名字
PH4025L
LFPAK
描述
塑料单端表面安装封装（ LFPAK ） ; 4引线
VERSION
SOT669
类型编号
4.极限值
表3中。
极限值
按照绝对最大额定值系统（ IEC 60134 ） 。
符号参数
V
DS
V
DGR
V
GS
I
D
I
DM
P
合计
T
英镑
T
j
I
S
I
SM
漏源电压
漏极 - 栅极电压（直流）
栅源电压
漏电流
峰值漏极电流
总功耗
储存温度
结温
源出电流
峰源电流
T
mb
= 25
°C
T
mb
= 25
°C;
脉冲;吨
p
≤
10
s
非钳位感性负载;我
D
= 56 A;
t
p
= 0.16毫秒; V
DS
≤
25 V ;
GS
= 50
;
V
GS
= 10 V ;开始在T
j
= 25
°C
T
mb
= 25
°C;
V
GS
= 10 V ;看
图2
和
3
T
mb
= 100
°C;
V
GS
= 10 V ;看
图2
T
mb
= 25
°C;
脉冲;吨
p
≤
10
s;
SEE
科幻gure 3
T
mb
= 25
°C;
SEE
图1
条件
25
°C ≤
T
j
≤
150
°C
25
°C ≤
T
j
≤
150
°C;
R
GS
= 20 k
民
-
-
-
-
-
-
-
55
55
-
-
-
最大
25
25
±20
99
67.5
300
46.4
+150
+150
52
208
150
单位
V
V
V
A
A
A
W
°C
°C
A
A
mJ
源极 - 漏极二极管
雪崩耐用性
E
DS （ AL ）S
非重复性的漏极 - 源极
雪崩能量
PH4025L_1
NXP B.V. 2007年保留所有权利。
产品数据表
版本01 - 2007年8月22日
2 12
恩智浦半导体
PH4025L
N沟道的TrenchMOS逻辑电平FET
120
P
DER
(%)
80
003aab937
120
I
DER
(%)
80
003aab555
40
40
0
0
50
100
150
T
mb
(°C)
200
0
0
50
100
150
T
j
(°C)
200
P
合计
P
DER
=
-----------------------
×
100
%
-
P
合计
(
25°C
)
看图1，归一化的总功耗为
的安装基座温度功能
10
3
I
D
(A)
10
2
性限R
DSON
= V
DS
/ I
D
I
D
I
DER
=
-------------------
×
100
%
-
I
D
(
25°C
)
图2.归连续漏极电流为
的安装基座温度功能
003aab720
t
p
= 10
s
100
s
10
1毫秒
10毫秒
DC
100毫秒
1
10
1
10
1
1
10
V
DS
(V)
10
2
T
mb
= 25
°C
图3.安全工作区;连续和峰值漏电流与漏源电压的函数
PH4025L_1
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恩智浦半导体
PH4025L
N沟道的TrenchMOS逻辑电平FET
5.热特性
表4 。
R
日（ J- MB ）
热特性
条件
民
-
典型值
-
最大
2
单位
K / W
从结热阻安装基座见
图4
符号参数
10
Z
日（ J- MB ）
（K / W）
δ =0.5
1
0.2
0.1
0.05
10
1
0.02
单脉冲
t
p
10
2
10
5
T
10
4
10
3
10
2
10
1
1
P
003aab721
δ
=
t
p
T
t
10
t
p
(s)
图4.瞬态结点作为脉冲持续时间的函数热阻安装基座
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恩智浦半导体
PH4025L
N沟道的TrenchMOS逻辑电平FET
6.特性
表5 。
特征
T
j
= 25
°
C除非另有规定ED 。
符号参数
静态特性
V
（ BR ） DSS
漏源击穿
电压
I
D
= 250
A;
V
GS
= 0 V
T
j
= 25
°C
T
j
=
55 °C
V
GS （ TH）
门源阈值电压
I
D
= 1毫安; V
DS
= V
GS
;看
图9
和
10
T
j
= 25
°C
T
j
= 150
°C
T
j
=
55 °C
I
DSS
漏极漏电流
V
DS
= 25 V; V
GS
= 0 V
T
j
= 25
°C
T
j
= 150
°C
I
GSS
R
G
R
DSON
栅极漏电流
栅极电阻
漏极 - 源极导通状态
阻力
V
GS
=
±16
V; V
DS
= 0 V
F = 1 MHz的
V
GS
= 10 V ;我
D
= 25 A;看
图6
和
8
T
j
= 25
°C
T
j
= 150
°C
V
GS
= 4.5 V ;我
D
= 25 A;看
图6
和
8
动态特性
Q
G（ TOT ）
Q
GS
Q
GS1
Q
GS2
Q
GD
V
GS （ PL ）
Q
G（ TOT ）
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
C
国际空间站
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
V
SD
t
rr
Q
r
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
预-V
GS （ TH）
栅极 - 源电荷
后-V
GS （ TH）
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
栅源电压平台
总栅极电荷
输入电容
输出电容
反向传输电容
输入电容
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
源 - 漏电压
反向恢复时间
恢复电荷
I
S
= 25 A; V
GS
= 0 V ;看
图13
I
S
= 25 A;迪
S
/ DT =
100
A / μs的; V
GS
= 0 V;
V
R
= 20 V
V
GS
= 0 V; V
DS
= 0 V ; F = 1 MHz的
V
DS
= 12 V ;
L
= 0.5
;
V
GS
= 4.5 V;
R
G
= 5.6
I
D
= 0 ; V
DS
= 0 V; V
GS
= 4.5 V
V
GS
= 0 V; V
DS
= 12 V ; F = 1兆赫;
SEE
图14
I
D
= 25 A; V
DS
= 12 V; V
GS
= 4.5 V;
SEE
图11
和
12
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
21.3
8.8
5.3
3.4
5
2.8
1.35
2601
645
287
2973
28.3
52
35
24
0.8
38
11
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
1.3
-
-
nC
nC
nC
nC
nC
V
nC
pF
pF
pF
pF
ns
ns
ns
ns
V
ns
nC
-
-
-
3.4
5.4
5.1
4.0
6.4
6.2
m
m
m
-
-
-
-
-
-
-
0.48
1
100
100
-
A
A
nA
1.3
0.8
-
1.7
-
-
2.15
-
2.6
V
V
V
25
22.5
-
-
-
-
V
V
条件
民
典型值
最大
单位
源极 - 漏极二极管
PH4025L_1
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