PH3855L
N沟道的TrenchMOS逻辑电平FET
牧师02 - 2009年2月24日
产品数据表
1.产品廓
1.1概述
逻辑电平N沟道增强型场效应晶体管（ FET）在一个塑料
包装用的TrenchMOS技术。本产品的设计和合格的使用
计算，通信，消费电子和唯一的工业应用。
1.2特点和优点
适用于逻辑电平栅极驱动
来源
1.3应用
12 V及24 V负载
的DC- DC转换器
通用开关电源
电机，灯具和螺线管
1.4快速参考数据
表1中。
V
DS
I
D
P
合计
快速参考
条件
T
mb
= 25 ℃; V
GS
= 5 V;
SEE
图3 ;
SEE
图1
T
mb
= 25°C ;看
图2
民
-
-
-
典型值
-
-
-
最大
55
24
50
单位
V
A
W
漏 - 源电压
j
≥
25 ℃;牛逼
j
≤
175 °C
漏电流
总功率
耗散
栅极 - 漏极电荷
符号参数
动态特性
Q
GD
V
GS
= 5 V ;我
D
= 15 A;
V
DS
= 44 V ;牛逼
j
= 25 °C;
SEE
图11
V
GS
= 10 V ;我
D
= 15 A;
T
j
= 25°C ;看
图9 ;
SEE
图10
-
5.5
-
nC
静态特性
R
DSON
漏源
导通状态电阻
-
32
36
m
恩智浦半导体
PH3855L
N沟道的TrenchMOS逻辑电平FET
2.管脚信息
表2中。
针
1
2
3
4
mb
S
S
S
G
D
管脚信息
符号
描述
来源
来源
来源
门
安装底座;连接
漏
mbb076
简化的轮廓
mb
图形符号
D
G
S
1 2 3 4
SOT669
（ LFPAK ）
3.订购信息
表3中。
订购信息
类型编号
包
名字
描述
PH3855L
LFPAK
塑料单端表面安装封装（ LFPAK ） ; 4引线
VERSION
SOT669
4.极限值
表4 。
符号
V
DS
V
DGR
V
GS
I
D
I
DM
P
合计
T
英镑
T
j
I
S
I
SM
E
DS （ AL ）S
极限值
参数
漏源电压
漏极 - 栅极电压
栅源电压
漏电流
峰值漏极电流
总功耗
储存温度
结温
源出电流
峰源电流
T
mb
= 25 °C
t
p
≤
10微秒;脉冲;牛逼
mb
= 25 °C
V
GS
= 5 V ;牛逼
mb
= 100 ℃;看
图1
V
GS
= 5 V ;牛逼
mb
= 25°C ;看
图3 ;
SEE
图1
t
p
≤
10微秒;脉冲;牛逼
mb
= 25°C ;看
科幻gure 3
T
mb
= 25°C ;看
图2
条件
T
j
≥
25 ℃;牛逼
j
≤
175 °C
T
j
≥
25 ℃;牛逼
j
≤
175 ℃;
GS
= 20 k
民
-
-
-15
-
-
-
-
-55
-55
-
-
-
最大
55
55
15
17.2
24
45
50
175
175
24
45
40
单位
V
V
V
A
A
A
W
°C
°C
A
A
mJ
按照绝对最大额定值系统（ IEC 60134 ） 。
源极 - 漏极二极管
雪崩耐用性
不重复
V
GS
= 10 V ;牛逼
J（下INIT ）
= 25°C ;我
D
= 30 A; V
SUP
≤
55 V;
漏源雪崩
GS
= 50
;
松开;吨
p
= 0.04毫秒
能源
PH3855L_2
NXP B.V. 2009保留所有权利。
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牧师02 - 2009年2月24日
2 12
PH3855L
N沟道的TrenchMOS 逻辑电平FET
版本01 - 2005年1月26日
产品数据表
1.产品廓
1.1概述
逻辑电平N沟道增强型场效应晶体管（ FET）在一个塑料
封装采用的TrenchMOS 技术。
1.2产品特点
s
逻辑电平阈值
s
表面贴装封装。
1.3应用
s
的DC- DC转换器
s
电机，灯具，电磁阀
s
通用开关电源
s
12 V及24 V负载。
1.4快速参考数据
s
V
DS
≤
55 V
s
R
DSON
≤
36 m
s
I
D
≤
24 A
s
Q
gd
= 5.5 NC （典型值） 。
2.管脚信息
表1：
针
1, 2, 3
4
mb
钉扎
描述
来源
门
安装底座;
地连接到漏
mb
简化的轮廓
符号
D
G
mbb076
S
1
2
3
4
顶视图
SOT669 （ LFPAK ）
飞利浦半导体
PH3855L
N沟道的TrenchMOS 逻辑电平FET
3.订购信息
表2：
订购信息
包
名字
PH3855L
LFPAK
描述
塑料单端表面贴装封装; 4引线
VERSION
SOT669
类型编号
4.极限值
表3：
极限值
按照绝对最大额定值系统（ IEC 60134 ） 。
符号参数
V
DS
V
DGR
V
GS
I
D
I
DM
P
合计
T
英镑
T
j
I
S
I
SM
漏极 - 源极电压（直流）
漏极 - 栅极电压（直流）
栅极 - 源极电压（直流）
漏电流（ DC ）
峰值漏极电流
总功耗
储存温度
结温
源（二极管的正向）直流（DC ）笔
mb
= 25
°C
峰源（二极管正向）电流T
mb
= 25
°C;
脉冲;吨
p
≤
10
s
非钳位感性负载;我
D
= 30 A;
t
p
= 0.04毫秒; V
DD
≤
55 V ;
GS
= 50
;
V
GS
= 10 V ;开始在T
j
= 25
°C
T
mb
= 25
°C;
V
GS
= 5 V;
图2
和
3
T
mb
= 100
°C;
V
GS
= 5 V;
图2
T
mb
= 25
°C;
脉冲;吨
p
≤
10
s;
科幻gure 3
T
mb
= 25
°C;
图1
条件
25
°C ≤
T
j
≤
175
°C
25
°C ≤
T
j
≤
175
°C;
R
GS
= 20 k
民
-
-
-
-
-
-
-
55
55
-
-
-
最大
55
55
±15
24
17.2
45
50
+175
+175
24
45
40
单位
V
V
V
A
A
A
W
°C
°C
A
A
mJ
源极 - 漏极二极管
雪崩耐用性
E
DS （ AL ）S
非重复性的漏极 - 源极
雪崩能量
9397 750 13925
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版本01 - 2005年1月26日
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飞利浦半导体
PH3855L
N沟道的TrenchMOS 逻辑电平FET
120
P
DER
(%)
80
03aa16
120
I
DER
(%)
80
03aa24
40
40
0
0
50
100
150
T
mb
(
°
C)
200
0
0
50
100
150
200
T
mb
(°C)
P
合计
P
DER
=
------------------------
×
100
%
P
°
合计
(
25 C
)
I
D
I
DER
=
--------------------
×
100
%
-
I
°
D
(
25 C
)
看图1，归一化的总功耗为
功能安装基座的温度。
10
2
性限R
DSON
= V
DS
/ I
D
I
D
(A)
图2.归连续漏极电流为
功能安装基座的温度。
03ar86
t
p
= 10
s
100
s
DC
1毫秒
10毫秒
1
100毫秒
10
10
-1
1
10
V
DS
(V)
10
2
T
mb
= 25
°C;
I
DM
是单脉冲; V
GS
= 5 V
图3.安全工作区;连续和峰值漏电流与漏 - 源极电压的函数。
9397 750 13925
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3 12
飞利浦半导体
PH3855L
N沟道的TrenchMOS 逻辑电平FET
5.热特性
表4：
R
日（ J- MB ）
热特性
条件
民
-
典型值
-
最大
3
单位
K / W
从结热阻安装基座
图4
符号参数
10
Z
日（ J- MB ）
（K / W）
δ
= 0.5
1
0.2
0.1
0.05
0.02
10
-1
03ar87
单脉冲
P
δ
=
t
p
T
t
p
T
t
10
-2
10
-5
10
-4
10
-3
10
-2
10
-1
t
p
(s)
1
图4.瞬态从结的热阻抗，以安装基座的脉冲持续时间的函数。
9397 750 13925
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4 12
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