飞利浦半导体
PH20100S
N沟道的TrenchMOS 标准水平FET
3.订购信息
表2：
订购信息
包
名字
PH20100S
LFPAK
描述
塑料单端表面安装封装（飞利浦版本LFPAK ） ;
4引线
VERSION
SOT669
类型编号
4.极限值
表3：
极限值
按照绝对最大额定值系统（ IEC 60134 ） 。
符号参数
V
DS
V
GS
I
D
I
DM
P
合计
T
英镑
T
j
I
S
I
SM
漏极 - 源极电压（直流）
栅极 - 源极电压（直流）
漏电流（ DC ）
峰值漏极电流
总功耗
储存温度
结温
源（二极管的正向）直流（DC ）笔
mb
= 25
°C
峰源（二极管正向）电流T
mb
= 25
°C;
脉冲;吨
p
≤
10
s
非钳位感性负载;我
D
= 12 A;
t
p
= 0.3毫秒; V
DD
≤
100 V; V
GS
= 10 V;
开始在T
j
= 25
°C
T
mb
= 25
°C;
V
GS
= 10 V;
图2
和
3
T
mb
= 100
°C;
V
GS
= 10 V;
图2
T
mb
= 25
°C;
脉冲;吨
p
≤
10
s;
科幻gure 3
T
mb
= 25
°C
条件
25
°C ≤
T
j
≤
150
°C
民
-
-
-
-
-
-
55
55
-
-
-
最大
100
±20
34.3
21.6
137
62.5
+150
+150
52
137
250
单位
V
V
A
A
A
W
°C
°C
A
A
mJ
源极 - 漏极二极管
雪崩耐用性
E
DS （ AL ）S
非重复性的漏极 - 源极
雪崩能量
9397 750 13698
皇家飞利浦电子股份有限公司2004版权所有。
产品数据表
牧师02 - 2004年8月17日
2 12
飞利浦半导体
PH20100S
N沟道的TrenchMOS 标准水平FET
120
P
DER
(%)
80
03aa15
120
I
DER
(%)
03aa23
80
40
40
0
0
50
100
150
T
mb
(°C)
200
0
0
50
100
150
200
T
mb
(°C)
P
合计
P
DER
=
----------------------
×
100%
-
P
°
合计
(
25 C
)
I
D
I
DER
=
-------------------
×
100%
I
°
D
(
25 C
)
看图1，归一化的总功耗为
功能安装基座的温度。
10
3
I
D
(A)
10
2
限制导通电阻= VDS / ID
图2.归连续漏极电流为
功能安装基座的温度。
003aaa406
10
DC
1
TP = 10
s
100
s
1毫秒
10毫秒
100毫秒
10
-1
1
10
10
2
V
DS
(V)
10
3
T
mb
= 25
°C;
I
DM
是单脉冲; V
GS
= 10 V
图3.安全工作区;连续和峰值漏电流与漏 - 源极电压的函数。
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N沟道的TrenchMOS 标准水平FET
5.热特性
表4：
R
日（ J- MB ）
热特性
条件
民
-
典型值
-
最大
2
单位
K / W
从结热阻安装基座
图4
符号参数
5.1瞬态热阻抗
10
Z
日（ J- MB ）
（K / W）
δ
= 0.5
0.2
0.1
0.05
0.02
单脉冲
t
p
T
t
P
δ
=
t
p
T
003aaa407
1
10
-1
10
-2
10
-5
10
-4
10
-3
10
-2
10
-1
t
p
(s)
1
图4.瞬态从结的热阻抗，以安装基座的脉冲持续时间的函数。
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N沟道的TrenchMOS 标准水平FET
3.订购信息
表2：
订购信息
包
名字
PH20100S
LFPAK
描述
塑料单端表面安装封装（飞利浦版本LFPAK ） ;
4引线
VERSION
SOT669
类型编号
4.极限值
表3：
极限值
按照绝对最大额定值系统（ IEC 60134 ） 。
符号参数
V
DS
V
GS
I
D
I
DM
P
合计
T
英镑
T
j
I
S
I
SM
漏极 - 源极电压（直流）
栅极 - 源极电压（直流）
漏电流（ DC ）
峰值漏极电流
总功耗
储存温度
结温
源（二极管的正向）直流（DC ）笔
mb
= 25
°C
峰源（二极管正向）电流T
mb
= 25
°C;
脉冲;吨
p
≤
10
s
非钳位感性负载;我
D
= 12 A;
t
p
= 0.3毫秒; V
DD
≤
100 V; V
GS
= 10 V;
开始在T
j
= 25
°C
T
mb
= 25
°C;
V
GS
= 10 V;
图2
和
3
T
mb
= 100
°C;
V
GS
= 10 V;
图2
T
mb
= 25
°C;
脉冲;吨
p
≤
10
s;
科幻gure 3
T
mb
= 25
°C
条件
25
°C ≤
T
j
≤
150
°C
民
-
-
-
-
-
-
55
55
-
-
-
最大
100
±20
34.3
21.6
137
62.5
+150
+150
52
137
250
单位
V
V
A
A
A
W
°C
°C
A
A
mJ
源极 - 漏极二极管
雪崩耐用性
E
DS （ AL ）S
非重复性的漏极 - 源极
雪崩能量
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120
P
DER
(%)
80
03aa15
120
I
DER
(%)
03aa23
80
40
40
0
0
50
100
150
T
mb
(°C)
200
0
0
50
100
150
200
T
mb
(°C)
P
合计
P
DER
=
----------------------
×
100%
-
P
°
合计
(
25 C
)
I
D
I
DER
=
-------------------
×
100%
I
°
D
(
25 C
)
看图1，归一化的总功耗为
功能安装基座的温度。
10
3
I
D
(A)
10
2
限制导通电阻= VDS / ID
图2.归连续漏极电流为
功能安装基座的温度。
003aaa406
10
DC
1
TP = 10
s
100
s
1毫秒
10毫秒
100毫秒
10
-1
1
10
10
2
V
DS
(V)
10
3
T
mb
= 25
°C;
I
DM
是单脉冲; V
GS
= 10 V
图3.安全工作区;连续和峰值漏电流与漏 - 源极电压的函数。
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5.热特性
表4：
R
日（ J- MB ）
热特性
条件
民
-
典型值
-
最大
2
单位
K / W
从结热阻安装基座
图4
符号参数
5.1瞬态热阻抗
10
Z
日（ J- MB ）
（K / W）
δ
= 0.5
0.2
0.1
0.05
0.02
单脉冲
t
p
T
t
P
δ
=
t
p
T
003aaa407
1
10
-1
10
-2
10
-5
10
-4
10
-3
10
-2
10
-1
t
p
(s)
1
图4.瞬态从结的热阻抗，以安装基座的脉冲持续时间的函数。
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N沟道的TrenchMOS标准水平FET
牧师03 - 2009年2月2日
产品数据表
1.产品廓
1.1概述
标准电平N沟道增强型场效应晶体管（ FET）在一个塑料
包装用的TrenchMOS技术。本产品的设计和合格的使用
计算，通信，消费电子和唯一的工业应用。
1.2特点和优点
更高的运行功率因低
热阻
低导通损耗是由于低
导通状态电阻
由于要求低的简单栅极驱动
栅极充电电流
1.3应用
的DC- DC转换器
开关模式电源
1.4快速参考数据
表1中。
V
DS
I
D
P
合计
快速参考
条件
T
mb
= 25 ℃; V
GS
= 10 V;
SEE
图2 ;
SEE
图1
T
mb
= 25 °C
民
-
-
-
典型值
-
-
-
最大
100
34.3
62.5
单位
V
A
W
漏 - 源电压
j
≥
25 ℃;牛逼
j
≤
150 °C
漏电流
总功率
耗散
栅极 - 漏极电荷
符号参数
动态特性
Q
GD
V
GS
= 10 V ;我
D
= 20 A;
V
DS
= 50 V ;牛逼
j
= 25 °C;
SEE
图11
V
GS
= 10 V ;我
D
= 10 A;
T
j
= 25°C ;看
图8 ;
SEE
图9
-
8.9
-
nC
静态特性
R
DSON
漏源
导通状态电阻
-
19
23
m
恩智浦半导体
PH20100S
N沟道的TrenchMOS标准水平FET
2.管脚信息
表2中。
针
1
2
3
4
mb
S
S
S
G
D
管脚信息
符号
描述
来源
来源
来源
门
安装底座;连接
漏
mbb076
简化的轮廓
mb
图形符号
D
G
S
1 2 3 4
SOT669
（ LFPAK ）
3.订购信息
表3中。
订购信息
类型编号
包
名字
描述
PH20100S
LFPAK
塑料单端表面安装封装（ LFPAK ） ; 4引线
VERSION
SOT669
4.极限值
表4 。
符号
V
DS
V
GS
I
D
极限值
参数
漏源电压
栅源电压
漏电流
V
GS
= 10 V ;牛逼
mb
= 100 ℃;看
图2
V
GS
= 10 V ;牛逼
mb
= 25°C ;看
图2 ;
SEE
图1
I
DM
P
合计
T
英镑
T
j
I
S
I
SM
E
DS （ AL ）S
峰值漏极电流
总功耗
储存温度
结温
源出电流
峰源电流
T
mb
= 25 °C
t
p
≤
10微秒;脉冲;牛逼
mb
= 25 °C
t
p
≤
10微秒;脉冲;牛逼
mb
= 25°C ;看
图1
T
mb
= 25 °C
条件
T
j
≥
25 ℃;牛逼
j
≤
150 °C
民
-
-20
-
-
-
-
-55
-55
-
-
-
最大
100
20
21.6
34.3
137
62.5
150
150
52
137
250
单位
V
V
A
A
A
W
°C
°C
A
A
mJ
按照绝对最大额定值系统（ IEC 60134 ） 。
源极 - 漏极二极管
雪崩耐用性
不重复
V
GS
= 10 V ;牛逼
J（下INIT ）
= 25°C ;我
D
= 12 A; V
SUP
≤
100 V;
漏源雪崩松开;吨
p
0.3毫秒
能源
PH20100S_3
NXP B.V. 2009保留所有权利。
产品数据表
牧师03 - 2009年2月2日
2 12
QQ：2880707522 复制
