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PH16030L
N沟道的TrenchMOS 逻辑电平FET
版本01 - 2005年2月24日
产品数据表
1.产品廓
1.1概述
逻辑电平N沟道增强型场效应晶体管（ FET）在一个塑料
封装采用的TrenchMOS 技术。
1.2产品特点
s
逻辑电平阈值
s
SO8等效面积足迹
s
低热阻
s
低栅极电荷。
1.3应用
s
的DC- DC转换器
s
便携式电器。
1.4快速参考数据
s
V
DS
≤
30 V
s
R
DSON
≤
16.9 m
s
I
D
≤
38 A
s
Q
gd
= 2.9 NC （典型值） 。
2.管脚信息
表1：
针
1, 2, 3
4
mb
钉扎
描述
来源
门
安装底座;地连接到漏
mb
D
简化的轮廓
符号
G
mbb076
S
1 2 3 4
SOT669 （ LFPAK ）
飞利浦半导体
PH16030L
N沟道的TrenchMOS 逻辑电平FET
3.订购信息
表2：
订购信息
包
名字
PH16030L
LFPAK
描述
塑料单端表面贴装封装; 4引线
VERSION
SOT669
类型编号
4.极限值
表3：
极限值
按照绝对最大额定值系统（ IEC 60134 ） 。
符号参数
V
DS
V
DGR
V
GS
I
D
I
DM
P
合计
T
英镑
T
j
I
S
I
SM
漏极 - 源极电压（直流）
漏极 - 栅极电压（直流）
栅极 - 源极电压（直流）
漏电流（ DC ）
峰值漏极电流
总功耗
储存温度
结温
源（二极管的正向）直流（DC ）笔
mb
= 25
°C
峰源（二极管正向）电流T
mb
= 25
°C;
脉冲;吨
p
≤
10
s
非钳位感性负载;我
D
= 21 A;
t
p
= 0.1毫秒; V
DD
≤
25 V ;
GS
= 50
;
V
GS
= 10 V ;开始在T
j
= 25
°C
T
mb
= 25
°C;
V
GS
= 10 V;
图2
和
3
T
mb
= 100
°C;
V
GS
= 10 V;
图2
T
mb
= 25
°C;
脉冲;吨
p
≤
10
s;
科幻gure 3
T
mb
= 25
°C;
图1
条件
25
°C ≤
T
j
≤
150
°C
25
°C ≤
T
j
≤
150
°C;
R
GS
= 20 k
民
-
-
-
-
-
-
-
55
55
-
-
-
最大
30
30
±15
38
24
100
41.6
+150
+150
38
100
44
单位
V
V
V
A
A
A
W
°C
°C
A
A
mJ
源极 - 漏极二极管
雪崩耐用性
E
DS （ AL ）S
非重复性的漏极 - 源极
雪崩能量
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版本01 - 2005年2月24日
2 12
飞利浦半导体
PH16030L
N沟道的TrenchMOS 逻辑电平FET
120
P
DER
(%)
80
03aa15
120
I
DER
(%)
03aa23
80
40
40
0
0
50
100
150
T
mb
(°C)
200
0
0
50
100
150
200
T
mb
(°C)
P
合计
P
DER
=
----------------------
×
100
%
-
P
°
合计
(
25 C
)
I
D
I
DER
=
-------------------
×
100
%
I
°
D
(
25 C
)
看图1，归一化的总功耗为
的安装基座温度功能
10
3
I
D
(A)
10
2
性限R
DSON
= V
DS
/ I
D
图2.归连续漏极电流为
的安装基座温度功能
003aaa746
t
p
= 10
s
100
s
10
DC
1毫秒
10毫秒
100毫秒
1
10
-1
1
10
V
DS
(V)
10
2
T
mb
= 25
°C;
I
DM
是单脉冲; V
GS
= 10 V
图3.安全工作区;连续和峰值漏电流与漏源电压的函数
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N沟道的TrenchMOS 逻辑电平FET
5.热特性
表4：
R
日（ J- MB ）
热特性
条件
民
-
典型值
-
最大
3
单位
K / W
从结热阻安装基座
图4
符号参数
10
Z
日（ J- MB ）
（K / W）
δ =
0.5
1
0.2
0.1
0.05
10
-1
0.02
P
003aaa747
单脉冲
δ
=
t
p
T
t
p
T
t
10
-2
10
-5
10
-4
10
-3
10
-2
10
-1
1
t
p
(s)
10
图4.瞬态结点作为脉冲持续时间的函数热阻安装基座
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PH16030L
N沟道的TrenchMOS 逻辑电平FET
6.特性
表5：
特征
T
j
= 25
°
C除非另有规定ED 。
符号
V
（ BR ） DSS
参数
漏源击穿电压
条件
I
D
= 250
A;
V
GS
= 0 V
T
j
= 25
°C
T
j
=
55 °C
V
GS （ TH）
门源阈值电压
I
D
= 1毫安; V
DS
= V
GS
;
图9
和
10
T
j
= 25
°C
T
j
= 150
°C
T
j
=
55 °C
I
DSS
漏极 - 源极漏电流
V
DS
= 30 V; V
GS
= 0 V
T
j
= 25
°C
T
j
= 150
°C
I
GSS
R
DSON
栅极 - 源极漏电流
漏源导通电阻
V
GS
=
±15
V; V
DS
= 0 V
V
GS
= 10 V ;我
D
= 15 A;
图6
和
8
T
j
= 25
°C
T
j
= 150
°C
V
GS
= 4.5 V ;我
D
= 15 A;
图6
和
8
动态特性
Q
G（ TOT ）
Q
gs
Q
gs1
Q
gs2
Q
gd
V
高原
Q
G（ TOT ）
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
C
国际空间站
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
V
SD
t
rr
Q
r
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
预-V
GS （ TH）
栅极 - 源电荷
后-V
GS （ TH）
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极（米勒）电荷
高原电压
总栅极电荷
输入电容
输出电容
反向传输电容
输入电容
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
源极 - 漏极（二极管的正向）电压余
S
= 15 A; V
GS
= 0 V;
图13
反向恢复时间
恢复电荷
I
S
= 15 A;迪
S
/ DT =
100
A / μs的; V
GS
= 0 V;
V
R
= 30 V
V
GS
= 0 V; V
DS
= 0 V ; F = 1 MHz的
V
DS
= 15 V ;
L
= 1
;
V
GS
= 4.5 V;
R
G
= 5.6
I
D
= 0 ; V
DS
= 0 V; V
GS
= 4.5 V
V
GS
= 0 V; V
DS
= 12 V ; F = 1兆赫;
图14
I
D
= 15 A; V
DS
= 12 V; V
GS
= 4.5 V;
图11
和
12
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
8.2
2.3
0.9
1.4
2.9
2.6
6.7
680
280
135
9
18
16
33
0.86
34
12
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
1.2
-
-
nC
nC
nC
nC
nC
V
nC
pF
pF
pF
pF
ns
ns
ns
ns
V
ns
nC
-
-
-
14.1
24
18.8
16.9
28.7
23.5
m
m
m
-
-
-
-
-
-
1
100
100
A
A
nA
1
0.6
-
1.5
-
-
2
-
2.2
V
V
V
30
27
-
-
-
-
V
V
民
典型值
最大
单位
静态特性
1090 -
源极 - 漏极二极管
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