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I
.--
-EM
_--
an
AMP
公司
线性功率晶体管, 40W
850
- 1450兆赫
特点
l
l
l
l
l
l
l
l
NPN硅微波功率晶体管
共发射极配置
宽带AB类操作
相互交叉的几何
扩散发射极镇流电阻器
黄金金属化系统
内部输入和输出阻抗匹配
全封闭金属/陶瓷封装
Absolute'tiaximum
我的参数
1集电极BaseVoltage
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流(峰值)
总功耗
结温
储存温度
热阻
(
Ratinas在25℃下
/符号(
V,,,
VES
V
EBO
‘c
PTO :
TJ
牛逼ST0
8JC
1
等级
56
56
3.0
5.6
175
200
-55到+200
1.0
1台
I
v
V
v
A
W
“C
“C
“氯-W
除非
CT- IERVISE
指出。
TCLERANCES
1
I
it
.060’.002
(1521.05)
f
: NCH : ZOO5
:M ! LIHETERS
T,13MM,
-
电气特性
我的参数
集电极 - 发射极击穿电压
集电极 - 发射极漏电流
集电极 - 基极击穿电压
发射极 - 基极击穿电压
正向直流电流增益
输入功率
CollectorCurrent
输入回波损耗
饱和输出功率
负载不匹配公差
负载不匹配公差
在25℃下
(符号
BV ,,,
BV ,,,
BVEBO
1分钟
56
1最大1单位1
-
5.0
V
mA
V
V
-
w
A
我, = 50毫安
V ,, = 2A V
我, = 50毫安
我, = 1 0毫安
V ,, = 5.0 V , 1 , = 0.5 A
测试条件
56
3.0
15
5.5
-
-
-
100
8.8
3.75
h
FE
P,N
‘c
RL
太平洋标准时间
VSWR -T
VSWR -T
V ,, = 28 V,I ,, = 12 mA时, PO ,, = 42 W, F = 1450 MHz的
V ,, = 28 V , I&
2毫安, PO , ? 42 W, F = L450兆赫
-
-
典型确保最佳的设备阻抗
F(兆赫)
850
Z, (N )
950
1050
1150
1250
1350
1450
特定网络阳离子主题
2.0 - j3.6
2.4 - j2.5
3.1 - il.8
3.5 - il.9
3.3 - j2.4
2.5 - j2.4
1.7-j1.8
to
没有变化
1.4 - j0.5
1.2-jO.l
通知。
PH0814-40
无线双极功率晶体管
40W , 850-960MHz , 24V
特点
NPN硅微波功率晶体管
共发射极配置
宽带AB类操作
相互交叉的几何
扩散发射极镇流电阻器
黄金金属化系统
内部输入和输出阻抗匹配
全封闭金属/陶瓷封装
M / A- COM产品
发布 - 启示录07.07
外形绘图
1
绝对最大额定值在25℃
参数
符号
等级
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
总功耗
结温
储存温度
热阻
V
CBO
V
CES
V
EBO
I
C
P
合计
T
J
T
英镑
θ
JC
56
56
3.0
5.6
175
200
-55 + 200
单位
V
V
V
A
W
°C
°C
° C / W
注:(除非另有规定)
1.公差: ±英寸, 0.005 “ (毫米± 0.13毫米)
1.0
电气规格在25℃
参数
符号
集电极 - 发射极击穿电压
集电极 - 发射极漏电流
集电极 - 基极击穿电压
发射极 - 基极击穿电压
正向直流电流增益
输入功率
集电极电流
输入回波损耗
饱和输出功率
负载不匹配公差
负载不匹配公差
F(兆赫)
850
950
1050
1150
1250
1350
1450
Z
IN
()
2.0 - j3.6
2.4 - j2.5
3.1 - j1.8
3.5 - j1.9
3.3 - j2.4
2.5 - j2.4
1.7 - j1.8
BV
CES
I
CES
BV
CBO
BV
EBO
h
FE
P
IN
I
C
RL
P
SAT
56
-
56
3.0
15
5.5
-
10
50
-
-
最大
-
5.0
-
-
100
8.8
3.75
-
-
3.1
1.5:1
单位
V
mA
V
V
-
W
A
dB
W
-
-
I
C
= 50毫安
V
CE
= 28V
I
C
= 50毫安
I
B
= 10毫安
测试条件
V
CE
= 5.0V ,我
C
= 0.5 A
V
CC
= 28V , IC
Q
= 12毫安, P
OUT
= 42 W, F = 1450MHz
V
CC
= 28V , IC
Q
= 12毫安, P
OUT
= 42 W, F = 1450MHz
V
CC
= 28V , IC
Q
= 12毫安, P
OUT
= 42 W, F = 1450MHz
V
CC
= 28V , IC
Q
= 12 mA时, F = 1450MHz
V
CC
= 28V , IC
Q
= 12毫安, P
OUT
= 42 W, F = 1450MHz
V
CC
= 28V , IC
Q
= 12毫安, P
OUT
= 42 W, F = 850MHz的
VSWR -T
IMD
3
Z
OF
()
3.0 - j4.9
2.3 - j3.1
2.0 - j2.0
1.8 - j1.4
1.7 - j0.9
1.4 - j0.5
1.2 - j0.1
典型确保最佳的设备阻抗
1
高级:
数据表包含有关产品M / A - COM技术解决方案的信息
北美
电话: 800.366.2266 /传真: 978.366.2266
正在考虑发展。性能是基于目标的规格,仿真结果,
欧洲
联系电话: 44.1908.574.200 /传真: 44.1908.574.300
和/或原型的测量。致力于发展无法得到保证。
亚洲/太平洋地区
联系电话: 81.44.844.8296 /传真: 81.44.844.8298
初步:
数据表包含有关产品M / A- COM技术信息
访问www.macomtech.com额外的数据表和产品信息。
解决方案正在开发。性能是基于工程测试。规格
典型的。机械轮廓已定。工程样品和/或测试数据可以是可用的。
M / A - COM技术解决方案公司及其附属公司保留作出正确的
致力于生产数量难以保证。
更改产品( S)或信息包含在此恕不另行通知。
PH0814-40
无线双极功率晶体管
40W , 850-1450MHz , 28V
特点
NPN硅微波功率晶体管
共发射极配置
宽带AB类操作
相互交叉的几何
扩散发射极镇流电阻器
黄金金属化系统
内部输入和输出阻抗匹配
全封闭金属/陶瓷封装
M / A- COM产品
发布 - 启示录02.11
外形绘图
1
绝对最大额定值在25℃
参数
符号
等级
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
总功耗
结温
储存温度
热阻
V
CBO
V
CES
V
EBO
I
C
P
合计
T
J
T
英镑
θ
JC
56
56
3.0
5.6
175
200
-55 + 200
单位
V
V
V
A
W
°C
°C
° C / W
注:(除非另有规定)
1.公差: ±英寸, 0.005 “ (毫米± 0.13毫米)
1.0
电气规格在25℃
参数
符号
集电极 - 发射极击穿电压
集电极 - 发射极漏电流
集电极 - 基极击穿电压
发射极 - 基极击穿电压
正向直流电流增益
输入功率
集电极电流
输入回波损耗
饱和输出功率
负载不匹配公差
负载不匹配公差
F(兆赫)
850
950
1050
1150
1250
1350
1450
Z
IN
()
2.0 - j3.6
2.4 - j2.5
3.1 - j1.8
3.5 - j1.9
3.3 - j2.4
2.5 - j2.4
1.7 - j1.8
BV
CES
I
CES
BV
CBO
BV
EBO
h
FE
P
IN
I
C
RL
P
SAT
56
-
56
3.0
15
5.5
-
10
50
-
-
最大
-
5.0
-
-
100
8.8
3.75
-
-
3.1
1.5:1
单位
V
mA
V
V
-
W
A
dB
W
-
-
I
C
= 50毫安
V
CE
= 28V
I
C
= 50毫安
I
B
= 10毫安
测试条件
V
CE
= 5.0V ,我
C
= 0.5 A
V
CC
= 28V , IC
Q
= 12毫安, P
OUT
= 42 W, F = 1450MHz
V
CC
= 28V , IC
Q
= 12毫安, P
OUT
= 42 W, F = 1450MHz
V
CC
= 28V , IC
Q
= 12毫安, P
OUT
= 42 W, F = 1450MHz
V
CC
= 28V , IC
Q
= 12 mA时, F = 1450MHz
V
CC
= 28V , IC
Q
= 12毫安, P
OUT
= 42 W, F = 1450MHz
V
CC
= 28V , IC
Q
= 12毫安, P
OUT
= 42 W, F = 850MHz的
VSWR -T
IMD
3
Z
OF
()
3.0 - j4.9
2.3 - j3.1
2.0 - j2.0
1.8 - j1.4
1.7 - j0.9
1.4 - j0.5
1.2 - j0.1
典型确保最佳的设备阻抗
1
高级:
数据表包含有关产品M / A - COM技术解决方案的信息
北美
电话: 800.366.2266 /传真: 978.366.2266
正在考虑发展。性能是基于目标的规格,仿真结果,
欧洲
联系电话: 44.1908.574.200 /传真: 44.1908.574.300
和/或原型的测量。致力于发展无法得到保证。
亚洲/太平洋地区
联系电话: 81.44.844.8296 /传真: 81.44.844.8298
初步:
数据表包含有关产品M / A- COM技术信息
访问www.macomtech.com额外的数据表和产品信息。
解决方案正在开发。性能是基于工程测试。规格
典型的。机械轮廓已定。工程样品和/或测试数据可以是可用的。
M / A - COM技术解决方案公司及其附属公司保留作出正确的
致力于生产数量难以保证。
更改产品( S)或信息包含在此恕不另行通知。
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    电话:0755-82780082
    联系人:杨小姐
    地址:深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

    PH0814-40
    -
    -
    -
    -
    终端采购配单精选

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电话:0755-23609091
联系人:苏先生
地址:福田区华强广场C座8F
PH0814-40
PHILIPS/飞利浦
18+
148
TO-59
原装正品进口现货,高价回收电子库存13729230450
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电话:0755-82533156 82710336
联系人:朱经理、张小姐
地址:深圳市福田区华强北上步工业区501栋11楼1109-1110室
PH0814-40
M/A-COM
19+
15000
十年专营,供应原装正品!热卖现货!
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联系人:林先生
地址:深圳市福田区华强北街道佳和潮流前线商场负一楼1A236
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M/A-COM
24+
32883
NA
公司现货,全新原厂原装正品!
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联系人:陈泽强
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MA/COM
2443+
23000
一级代理专营,原装现货,价格优势
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电话:0755-83376489 83376282 83376549 83600718
联系人:销售部
地址:广东省深圳市深圳南山区科技园产学研楼706
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25+
NA
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电话:010-62962871、62104931、 62106431、62104891、62104791
联系人:何小姐
地址:海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1008室
PH0814-40
M/A-COM专营微波射频
22+
32570
全新原装正品/质量有保证
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电话:13910052844(微信同步)
联系人:刘先生
地址:北京市海淀区增光路27号院增光佳苑2号楼1单元1102室
PH0814-40
√ 欧美㊣品
▲10/11+
9205
贴◆插
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联系人:刘经理
地址:北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1008
PH0814-40
M/A-COM专营微波射频
22+
32570
全新原装正品/质量有保证
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电话:13910052844(微信同步)
联系人:刘先生
地址:北京市海淀区增光路27号2-1-1102
PH0814-40
√ 欧美㊣品
▲10/11+
8584
贴◆插
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▲10/11+
9747
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