电动
热特性
特征
峰值反向电流
峰值正向电压
热阻
符号
测试条件
I
RM
V
RM
= V
RRM ，
TJ = 125°C
V
FM
I
FM
= 30A ， TJ = 25°C
RTH （J -C ）结到管壳（总）
最大值。
5
1.06
0.70
* 1值每1臂
单位
mA
V
° C / W
晶闸管的一部分（ 1模）
最大额定值
参数
重复峰值断态电压
非重复峰值断态电压
反向重复峰值电压
非重复峰值反向电压
符号
V
DRM
V
帝斯曼
V
RRM
V
RSM
GRADE
PGH308
单位
V
V
最大额定
价值
800
900
800
900
参数
浪涌通态电流
我平方吨
导通电流的爆击率
峰值功率门
平均功耗门
栅极峰值电流
峰值栅极电压
栅极峰值反向电压
I
TSM
I
2
t
的di / dt
P
GM
P
G（ AV ）
I
GM
V
GM
V
RGM
条件
50赫兹正弦半波， 1PULSE
不重复
2毫秒至10毫秒
V
D
=2/3V
DRM
, I
TM
=2 I
O
， TJ = 125°C
I
G
=的200mA，双
G
/dt=0.2A/s
单位
A
A
2
s
A / μs的
W
W
A
V
V
400
800
100
5
1
2
10
5
电动
热特性
特征
峰值断态电流
峰值反向电流
峰值通态电压
栅极电流触发
符号
I
DM
I
RM
V
TM
I
GT
测试条件
V
DM
= V
DRM ，
TJ = 125°C
V
RM
= V
RRM ，
TJ = 125°C
I
TM
= 90A ， TJ = 25°C
Tj=-40°C
V
D
=6V,I
T
= 1A TJ = 25℃
Tj=125°C
Tj=-40°C
V
D
=6V,I
T
= 1A TJ = 25℃
Tj=125°C
V
D
=2/3V
DRM
Tj=125°C
V
D
=2/3V
DRM
Tj=125°C
I
TM
=I
O
,V
D
=2/3V
DRM
的dv / dt = 20V / μs的，V
R
=100V
-di / DT = 20A / μs的， TJ = 125°C
V
D
=2/3V
DRM
Tj=125°C
I
G
=的200mA，双
G
/dt=0.2A/s
Tj=25°C
Tj=25°C
结到外壳
最大值。
单位
分钟。典型值。马克斯。
10
mA
10
mA
1.32
V
200
百毫安
50
4
V
2.5
2
0.25
V
500
V / μs的
150
6
2
4
90
40
s
s
s
s
mA
1.45
° C / W
栅极电压触发
门非触发电压
断态电压临界上升率
打开-O FF时间
开启时间
延迟时间
上升时间
闭锁电流
保持电流
热阻
V
GT
V
GD
dv / dt的
tq
TGT
td
tr
I
L
I
H
RTH （J -C ）
在所有的导通周期的。目前，主要的
开关器件，如MOSFET和IGBT ，
由电压驱动，但晶闸管是电流 -
驱动装置。请记住这个事实时，
你设计的栅极触发电路的晶闸管。
I
T
e
门极触发电流
e
门
当前
栅极电流导通晶闸管
晶闸管2 ，行为作为开关
—
控股
目前，与擎住电流
2-1 ，维持电流
一旦晶闸管导通，导通状态就会维持
tained只要阳极电流大于一个CER的大
泰恩值。换句话说，晶闸管关断
当阳极电流减小到一定值。
在“一定的电流”是维持电流，并
这PGH308 （ 30A 800V ）是70毫安典型的
25℃.
（请参阅
个人数据。 ）现在，让我们
看到在实际的保持电流的影响
电路。
阳极电流减小。
I
T
晶闸管关断时，阳极电流BE-
下面来保持电流。
最小阳极电流可以维持导通
状态处于闭锁电流。例如，典型的
PGH308 （ 30A 800V ）的闭锁电流90毫安
（25℃).
脉冲栅极电流
时间
阳极电流
闭锁电流
晶闸管关断
因为缓慢上升
阳极电流。
保持电流
晶闸管
关闭。
时间
时间
ON
关闭
闭锁电流
如果晶闸管不能被打开或开启状态可能
不能够保持，增加栅极的脉冲宽度
或尝试多门脉冲。双方保持电流
和闭锁电流是温度依赖性的，
和它们成为低温较大。
在25 ℃相比，它们的两倍左右lar-
蒙古包在-40 ℃ 。
保持电流
假设脉冲触发电流被施加
只有一次。 ，晶闸管被导通，但是，如果
负载电阻和阳极 - 阴极电压变为
零，阳极电流完全下降到低于
保持电流。即，正电压后
将被施加到阳极，但是，晶闸管
保持关断状态，只要栅极电流会
再次应用。
2-2 。擎住电流
假设，由于缓慢的阳极电流的上升，
之前，在当前没有达到一定的水平
栅极电流被终止，晶闸管关断。它
得出结论，去除栅极电流后，在
5
晶闸管
■回路図电路
30A平均800伏
■外½寸法図OUTLINE DRAWING
G
K
＋4
PGH308
（単½Dimension：mm）
坚果
R5
AC1
AC2
AC3
6
二极管桥&晶闸管総合定格·特性部分
■最大定格最大额定值
項目
参数
平均出力電流
平均整流输出电流
動½接合温度範囲
工作结温范围
保存温度範囲
存储温度范围
絶縁耐圧
隔离电压
ベース部
MOUNTING
締付トルク
主端子部
安装力矩
终奌站
ゲート端子部
栅极端子
記号
符号
I
0
（AV）
T
jw
T
英镑
V
ISO
端子 - ベース间， AC1分间
终端基地， AC1min 。
サーマルコンパウンド塗布
脂润滑
条件
条件
三相全波整流T
c
＝80℃
3相全波整流
定格値
马克斯。额定值
30
40＋125
40＋125
2000
M5
M4
─
2.42.8
1.21.6
─
単½
单位
A
℃
℃
V
N×M个
N×M个
N×M个
F
■热特性热特性
項目
参数
接触熱抵抗
热阻
质量大约重量...约80克
記号
符号
R
th
（ C-F ）
条件
条件
ケースフィン間
（トータル）
，サーマルコンパウンド塗布
案例鳍，总计，脂
特性値（最大）
最大值
0.1
単½
单位
℃/W
サ
イ
リ
ス
タ
モ
ジ
ュ
ー
ル
ダイオードブリッジ部（6素子）
■最大定格最大额定值
項目
参数
二极管电桥的一部分（ 6dies ）
耐圧クラス等级
PGH308
800
900
条件
条件
50Hz正弦半波，１サイクル，非くり返し
半正弦波， 1PULSE ，不重复
２10ms
定格値
马克斯。额定值
400
800
400
記号
符号
V
RRM
V
RSM
記号
符号
＊1
＊1
I
FSM
I
2
t
f
単½
单位
V
V
単½
单位
A
A
2
s
Hz
くり返しピーク逆電圧
＊1
反向重复峰值电压
非くり返しピーク逆電圧
＊1
非重复峰值反向电压
項目
参数
サージ順電流
正向电流浪涌
電流二乗時間積
我平方吨
許容周波数
允许的工作频率
.＊1：１アーム½りの値Value Per 1 Arm.
─ 272 ─
■电気的特性电气特性
項目
参数
ピーク逆電流
峰值反向电流
ピーク順電圧
峰值正向电压
熱抵抗
热阻
＊1
＊1
記号
符号
I
RM
V
FM
R
th
（J -C ）
条件
条件
T
j
=125℃，V
RM
=V
RRM
T
j
= 25℃，I
FM
=30A
接合部ケース間（トータル）
结到管壳，总
特性値（最大）
最大值
5
1.06
0.70
単½
单位
mA
V
℃/W
＊1：１アーム½りの値Value Per 1 Arm.
サイリスタ部（1素子）
晶闸管的一部分（ 1die ）
耐圧クラス等级
PGH308
800
900
800
900
条件
条件
50Hz正弦半波，１サイクル，非くり返し
半正弦波， 1PULSE ，不重复
２10ms
V
D
=2/3V
DRM
，I
TM
=2 I
O
，T
j
＝125℃
I
G
=200mA，di
G
/dt=0.2A/ s
μ
定格値
马克斯。额定值
400
800
100
5
1
2
10
5
■最大定格最大额定值
項目
参数
くり返しピークオフ電圧
重复峰值断态电压
非くり返しピークオフ電圧
非重复峰值断态电压
くり返しピーク逆電圧
反向重复峰值电压
非くり返しピーク逆電圧
非重复峰值反向电压
項目
参数
サージオン電流
浪涌通态电流
電流二乗時間積
我平方吨
臨界オン電流上昇率
导通电流上升率的关键
ピークゲート電力損失
峰值功率门
平均ゲート電力損失
平均功耗门
ピークゲート電流
栅极峰值电流
ピークゲート電圧
峰值栅极电压
ピークゲート逆電圧
栅极峰值反向电压
記号
符号
V
DRM
V
帝斯曼
V
RRM
V
RSM
記号
符号
I
TSM
I
2
t
的di / dt
P
GM
P
（AV）
G
I
GM
V
GM
V
RGM
単½
单位
V
V
V
V
単½
单位
A
A
2
s
A / S
μ
W
W
A
V
V
■电気的特性电气特性
項目
参数
ピークオフ電流
峰值断态电流
ピークオン電圧
峰值通态电压
トリガゲート電流
栅极电流触发
トリガゲート電圧
栅极电压触发
非トリガゲート電圧
门非触发电压
臨界オフ電圧上昇率
断态电压临界上升率
ターンオフ時間
打开-O FF时间
ターンオン時間
开启时间
遅れ時間
延迟时间
立上がり時間
上升时间
ラッチング電流
闭锁电流
保持電流
保持电流
熱抵抗
热阻
記号
符号
I
DM
条件
条件
T
j
=125℃，V
DM
=V
DRM
特性値（最大）
最大值
最小
標準
最大
分钟。
典型值。
马克斯。
単½
单位
mA
10
─
V
TM
I
GT
T
j
=25℃，I
TM
=90A
V
D
=6V，I
T
=1A
T
j
=40℃
T
j
= 25℃
T
j
= 125℃
T
j
=40℃
T
j
= 25℃
T
j
= 125℃
0.25
500
150
6
T
j
=25℃，V
D
=2/3V
DRM
，I
TM
=3 I
O
I
G
=200mA，di
G
/dt=0.2A/ s
μ
2
4
T
j
=25℃
T
j
=25℃
接合部ケース間
结到外壳
90
70
1.32
200
100
50
4.0
2.5
2.0
V
mA
mA
mA
V
V
V
V
V / S
μ
μ
s
μ
s
μ
s
μ
s
mA
mA
V
GT
V
GD
dv / dt的
t
q
t
gt
t
d
t
r
I
L
I
H
R
th
（J -C ）
V
D
=6V，I
T
=1A
T
j
=125℃，V
D
=2/3V
DRM
T
j
=125℃，V
D
=2/3V
DRM
T
j
=125℃，I
TM
=I
O
，V
D
=2/3V
DRM
的dv / dt = 20V /秒，
R
=100V，
μ V
-di / DT = 20A /秒
μ
1.45
℃/W
─ 273 ─
QQ：2881677436 复制
