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半导体
技术参数
保护便携式电子产品的应用。
阴极标记
B
1
PG05HSUSC
单线TVS二极管的ESD
保护便携式电子产品
G
特点
350
瓦峰值脉冲功率（ TP = 8 / 20μ
s)
“瞬间
保护数据线
IEC 61000-4-2 （ ESD ） 15千伏（空气） ，具有8kV（接触）
IEC 61000-4-4 （ EFT ） 40A （ TP = 5 / 50ns的）
IEC 61000-4-5 （闪电） 24A （ TP = 8 / 20μ
s)
小
包用于在便携式电子设备中使用。
适用
替代的ESD多层压敏电阻
保护应用。
●保护
在I / O或电源线。
ULOW
钳位电压。
ULOW
漏电流。
K
E
A
H
2
D
J
C
I
暗淡
A
B
C
M
M
D
E
F
G
H
I
J
K
MILLIMETERS
_
2.50 + 0.1
_ 0.05
1.25 +
_
0.90 + 0.05
0.30+0.06/-0.04
_
1.70 + 0.05
MIN 0.17
_
0.126 + 0.03
0~0.1
1.0 MAX
_
0.15 + 0.05
_
0.4 + 0.05
2 +4/-2
4~6
1.阳极
2.阴极
应用
·细胞
电话手机及配件。
●微处理器
基于设备。
个人
数字助理（PDA ）
·笔记本电脑，
台式机， &服务器。
便携式
仪器仪表。
寻呼机
外设。
L
M
南加州大学
记号
最大额定值（ TA = 25 ℃ ）
特征
峰值脉冲功率（ TP = 8 / 20μ
s)
峰值脉冲电流（ TP = 8 / 20μ
s)
工作温度
储存温度
符号
P
PK
I
PP
T
j
T
英镑
等级
350
24
-55½150
-55½150
单位
W
A
℃
℃
2
1
阴极标记
2
1
5H
型号名称
电气特性（Ta = 25℃）
特征
相反的立场-O FF电压
反向击穿电压
反向漏电流
钳位电压
结电容
符号
V
RWM
V
BR
I
R
V
C
C
J
I
t
=1mA
V
RWM
=5V
I
PP
= 5A ， TP = 8 / 20μ
s
I
PP
= 24A ， TP = 8 / 20μ
s
V
R
= 0V ， F = 1MHz的
测试条件
-
分钟。
-
6
-
-
-
-
典型值。
-
-
-
-
-
-
马克斯。
5
-
10
9.8
V
14.5
350
pF
单位
V
V
μ
A
2008 .9 .11
版本号： 2
F
LOT号
L
1/2
PG05HSUSC
非重复性峰值脉冲功率与脉冲时间
功率降额曲线
110
额定功率或I
PP
(%)
100
90
80
70
60
50
40
30
20
10
0
0
25
50
75
10
峰值脉冲功率P
PP
（ kW）的
1
峰值脉冲功率
8/20us
0.1
平均功率
0.01
0.1
1
10
100
1k
100
125
150
脉冲宽度TP （微秒）
周围温度Ta （℃）
脉冲波形
110
峰值脉冲电流I
PP
(%)
100
90
80
70
60
50
40
30
20
10
0
0
5
10
15
时间（μs ）
20
25
30
波形
参数：
tr=8s
td=20s
e
-t
C
J
- V
R
400
电容C
J
（PF ）
300
200
td=lpp/2
100
0
0
1
2
3
4
5
反向电压V
R
（伏）
2008 .9 .11
版本号： 2
2/2
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厂家
批号
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封装
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    -
    -
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    -
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