初步
PFM21030
规范
2110至70年兆赫， 30W ， 2级功率模块
增强模式横向的MOSFET
这种多用途的UMTS模块提供出色的线性度和效率
封装类型：表面贴装
一个低成本的表面贴装型封装。该PFM21030包括两个阶段
PN ： PFM21030SM
扩增，随着内部检测FET的是在同一的
硅芯片作为射频器件。这些热耦合感应场效应管
简化的整个放大器的偏压温度补偿的任务。
该模块包括RF输入，级间和输出匹配元件。
所需的最佳操作的源和负载阻抗
模块要高得多（和更简单的实现）比硅无与伦比
类似表现的LDMOS晶体管。
所述表面安装封装体基体典型地焊接到一个常规
通过对孔接地和热沉PCB焊盘与数组
模块。优化内部结构支持低FET
通道温度进行可靠操作。
套餐类型：法兰
PN ： PFM21030F
27分贝GAIN
30瓦峰值输出功率
内部跟踪场效应管
（为提高偏置控制）
WCDMA性能
5瓦的平均输出电平
18 ％的功率附加效率
-45 dBc的ACPR
模块示意图
模块基板
Q1模架
门1
在RF
Q1
领导
输入
MATCH
产量
MATCH
输入
MATCH
Q2模架
Q2
产量
MATCH
排水2
RF OUT
领导
S1
S2
S1感
门2
S2感
领导
领导
领导
D1
领导
注：此外，还有并联连接的所有导线250K欧姆的电阻，以增强ESD保护。
分页： 13 1
规格如有变更，恕不另行通知。美国专利No.6,822,321
http://www.cree.com/
第3版
PFM21030
电气规格
参数
民
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
工作频率
收益
增益压缩在
噘嘴= 30瓦
增益平坦度超过任何
30 MHz带宽
从线性偏差
相过任何30
MHz带宽
群时延
ACPR与WCDMA
铺= 5 W
在效率
WCDMA协议，
铺= 5 W
效率@ 30W
CW输出
DC漏极供电
电压
操作
温度范围
（基础体温）
增益变化对比
温度
输出不匹配
应力
稳定性
西塔jc的（信道）
静态电流
一） Q1
B） Q2
跟踪FET
外围率
一） STG 1轨道
B） STG 2轨道
ESD保护
一）人体模型
B）机型号
2110
25
-
-
-
-
-40
17
范围
典型值
-
26.7
1.3
±
0.1
±
1.0
3.5
-44
19
40
单位
最大
2170
30
2.0
±
0.3
±
2.0
3.8
-
-
-
30
+115
-
30
-
2.1
兆赫
dB
dB
dB
°
纳秒
dBc的
%
%
伏
°C
分贝/°C的
瓦
CW
dBc的
° C / W
mA
mA
%
%
注： 1 。
评论
CW脉冲压缩测量
(12
微秒
脉冲， 120
微秒
期间， 10％的
占空比）。
包括延迟测试夹具（ 0.6
纳秒） 。
注3.请参阅应用程序数据
性能与其它协议。
注3 。
24
-40
-
-
-60
-
27
-
-0.033
-
-
-
80
240
3.0
1.7
测试对于符合射频
规格为27 V.
测试对于符合射频
规格为25
°C.
偏置静态电流保持恒定。
驻波比10 ：1，所有的相位角。没有
退化的输出功率&前
经过测试。
0<Pout<44.8 dBm的连续波，3： 1的VSWR
西塔JC是输出设备。验证
带红外扫描。注2 。
这些DC的静态电流典型
产生最佳的水平
线性的CDMA协议。
检测FET的电流的比率，相对于射频
FET的电流。比是： STG 1 ：33： 1;
STG 2 ： 58 ：感&射频场效应管1门
是DC连接。测量RF无
信号存在。
一） 2000V ， 100 pF的， 1500欧姆
B） 400V ， 200 pF的，零欧姆
MIL-STD 883E ，方法为3015人
人体模型和机械模型。
17
18
1级
M3类
分页： 13 2
规格如有变更，恕不另行通知。美国专利No.6,822,321
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第2版
PFM21030
电气规格（续）
最大额定值
等级
19
DC漏极供电
A）漏 - 源极电压（V
GS
= 0）时，D1 & D2
&轨道D1 &轨道D2
B）正常运行（ AB类操作）
直流电源门
一）栅极 - 源极电压（V
DS
=0)
正常操作（ AB类操作）
RF输入功率
最大功率耗散（T
≤
+85
°C)
一）减免上述85
°C
基础体温。
最大通道工作温度
存储温度范围
符号
V
DS
V
D_SUPPLY
V
G_SUPPLY
P
IN
P
总
T
CH
T
英镑
V
GS
价值
+50
+30
-0.5<V
GS
<+15
0<V
GS
<+6
+25
65
-0.7
+200
-40到+150
单位
直流电压
直流电压
直流电压
直流电压
DBM
瓦
瓦/°C的
°C
°C
20
21
22
23
24
建议信号源和负载阻抗
阻抗
标称源
阻抗
优化运行
额定负载
阻抗
优化运行
18.3 – j0.1
单位
欧
评论
匹配最佳的线性度和增益平坦度。阻抗
从模块输入引线寻找到输入匹配
电路。参考平面为0.105英寸的的输入端
模块。
匹配下的WCDMA协议最佳效率。
阻抗是从模块输出引线寻找到
输出匹配电路。参考平面为0.105英寸的
模块的输出端， 。
23.7 + j3.8
欧
特定网络阳离子注意事项：
1）该模块被安装在一个测试夹具与外部匹配元件，用于所有的测试。静态电流偏置
条件下的CDMA协议的适用于最低ACPR 。电源电压为所有测试是
27伏直流。测试是在25
°C
除非另有规定ED 。
2 ）的Theta JC是衡量一个安装包（基地）的温度85
°C,
并用10瓦的CW输出。
3 ）噘= 5瓦的平均水平; WCDMA协议：
（ 3GPP测试模型1 ， 64 DPCH ）。
.
ACPR条件： 5.00 MHz偏移， 3.84MHz的带宽（峰值因数= 11 dB为单位） 。
4）检测FET是按比例缩放的版本的主RF场效应管，从电隔离的细胞在RF的端部形成
结构。根据周边当前尺度（阈值电压偏移量小于
±150
毫伏之间
相邻的器件）。 RF &意识FET栅极和源DC连接。水渠是DC隔离。信息S1 S2 &
是DC连接到感FET的漏极1 & 2.源连接到封装基地。感FET是
从RF信号电隔离。
第13 3
规格如有变更，恕不另行通知。美国专利No.6,822,321
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第2版
PFM21030
典型的模块性能
T=+25
°C,
除非另有说明。数据是用于在测试夹具与外部匹配元件模块。请参见以下
页面测试夹具的细节。
典型的小信号增益与频率的关系
28
典型的CW 2音互调与输出功率
-10
IM3L
IM3U
IM5L
IM5U
IM7L
-40
-50
-60
-70
27
29
31
33
35
37
39
41
43
IM7U
互调抑制（ DBC）
2050
2110
2170
2230
2290
2350
27
-20
-30
增益（dB ）
26
25
24
23
1990
频率（MHz）
平均输出功率（dBm ）
典型输入&输出回波损耗VS频率。
0
典型增益&效率与CW输出功率
28
27
收益
45
40
-2
-4
回波损耗（分贝）
-6
增益（dB ）
产量
25
24
23
效率
30
25
20
15
10
32
33
34
35
36
37
38
39
40
41
42
43
44
45
46
-8
-1 0
输入
-1 2
22
-1 4
21
-1 6
2 0 5 0
2 0 8 0
2 1 1 0
2 1 4 0
2 1 7 0
2 2 0 0
2 2 3 0
输出功率（dBm ）
频率（MHz）
注：以上数据是最初的原型装置。向工厂咨询最新数据。
第13 4
规格如有变更，恕不另行通知。美国专利No.6,822,321
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第2版
效率（％）
26
35
PFM21030
PFM21030SM封装外形
PFM21030F封装外形
第13个5
规格如有变更，恕不另行通知。美国专利No.6,822,321
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初步
PFM21030
规范
2110至70年兆赫， 30W ， 2级功率模块
增强模式横向的MOSFET
这种多用途的UMTS模块提供出色的线性度和效率
封装类型：表面贴装
一个低成本的表面贴装型封装。该PFM21030包括两个阶段
PN ： PFM21030SM
扩增，随着内部检测FET的是在同一的
硅芯片作为射频器件。这些热耦合感应场效应管
简化的整个放大器的偏压温度补偿的任务。
该模块包括RF输入，级间和输出匹配元件。
所需的最佳操作的源和负载阻抗
模块要高得多（和更简单的实现）比硅无与伦比
类似表现的LDMOS晶体管。
所述表面安装封装体基体典型地焊接到一个常规
通过对孔接地和热沉PCB焊盘与数组
模块。优化内部结构支持低FET
通道温度进行可靠操作。
套餐类型：法兰
PN ： PFM21030F
27分贝GAIN
30瓦峰值输出功率
内部跟踪场效应管
（为提高偏置控制）
WCDMA性能
5瓦的平均输出电平
18 ％的功率附加效率
-45 dBc的ACPR
模块示意图
模块基板
Q1模架
门1
在RF
Q1
领导
输入
MATCH
产量
MATCH
输入
MATCH
Q2模架
Q2
产量
MATCH
排水2
RF OUT
领导
S1
S2
S1感
门2
S2感
领导
领导
领导
D1
领导
注：此外，还有并联连接的所有导线250K欧姆的电阻，以增强ESD保护。
分页： 13 1
规格如有变更，恕不另行通知。美国专利No.6,822,321
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PFM21030
电气规格
参数
民
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
工作频率
收益
增益压缩在
噘嘴= 30瓦
增益平坦度超过任何
30 MHz带宽
从线性偏差
相过任何30
MHz带宽
群时延
ACPR与WCDMA
铺= 5 W
在效率
WCDMA协议，
铺= 5 W
效率@ 30W
CW输出
DC漏极供电
电压
操作
温度范围
（基础体温）
增益变化对比
温度
输出不匹配
应力
稳定性
西塔jc的（信道）
静态电流
一） Q1
B） Q2
跟踪FET
外围率
一） STG 1轨道
B） STG 2轨道
ESD保护
一）人体模型
B）机型号
2110
25
-
-
-
-
-40
17
范围
典型值
-
26.7
1.3
±
0.1
±
1.0
3.5
-44
19
40
单位
最大
2170
30
2.0
±
0.3
±
2.0
3.8
-
-
-
30
+115
-
30
-
2.1
兆赫
dB
dB
dB
°
纳秒
dBc的
%
%
伏
°C
分贝/°C的
瓦
CW
dBc的
° C / W
mA
mA
%
%
注： 1 。
评论
CW脉冲压缩测量
(12
微秒
脉冲， 120
微秒
期间， 10％的
占空比）。
包括延迟测试夹具（ 0.6
纳秒） 。
注3.请参阅应用程序数据
性能与其它协议。
注3 。
24
-40
-
-
-60
-
27
-
-0.033
-
-
-
80
240
3.0
1.7
测试对于符合射频
规格为27 V.
测试对于符合射频
规格为25
°C.
偏置静态电流保持恒定。
驻波比10 ：1，所有的相位角。没有
退化的输出功率&前
经过测试。
0<Pout<44.8 dBm的连续波，3： 1的VSWR
西塔JC是输出设备。验证
带红外扫描。注2 。
这些DC的静态电流典型
产生最佳的水平
线性的CDMA协议。
检测FET的电流的比率，相对于射频
FET的电流。比是： STG 1 ：33： 1;
STG 2 ： 58 ：感&射频场效应管1门
是DC连接。测量RF无
信号存在。
一） 2000V ， 100 pF的， 1500欧姆
B） 400V ， 200 pF的，零欧姆
MIL-STD 883E ，方法为3015人
人体模型和机械模型。
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1级
M3类
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规格如有变更，恕不另行通知。美国专利No.6,822,321
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电气规格（续）
最大额定值
等级
19
DC漏极供电
A）漏 - 源极电压（V
GS
= 0）时，D1 & D2
&轨道D1 &轨道D2
B）正常运行（ AB类操作）
直流电源门
一）栅极 - 源极电压（V
DS
=0)
正常操作（ AB类操作）
RF输入功率
最大功率耗散（T
≤
+85
°C)
一）减免上述85
°C
基础体温。
最大通道工作温度
存储温度范围
符号
V
DS
V
D_SUPPLY
V
G_SUPPLY
P
IN
P
总
T
CH
T
英镑
V
GS
价值
+50
+30
-0.5<V
GS
<+15
0<V
GS
<+6
+25
65
-0.7
+200
-40到+150
单位
直流电压
直流电压
直流电压
直流电压
DBM
瓦
瓦/°C的
°C
°C
20
21
22
23
24
建议信号源和负载阻抗
阻抗
标称源
阻抗
优化运行
额定负载
阻抗
优化运行
18.3 – j0.1
单位
欧
评论
匹配最佳的线性度和增益平坦度。阻抗
从模块输入引线寻找到输入匹配
电路。参考平面为0.105英寸的的输入端
模块。
匹配下的WCDMA协议最佳效率。
阻抗是从模块输出引线寻找到
输出匹配电路。参考平面为0.105英寸的
模块的输出端， 。
23.7 + j3.8
欧
特定网络阳离子注意事项：
1）该模块被安装在一个测试夹具与外部匹配元件，用于所有的测试。静态电流偏置
条件下的CDMA协议的适用于最低ACPR 。电源电压为所有测试是
27伏直流。测试是在25
°C
除非另有规定ED 。
2 ）的Theta JC是衡量一个安装包（基地）的温度85
°C,
并用10瓦的CW输出。
3 ）噘= 5瓦的平均水平; WCDMA协议：
（ 3GPP测试模型1 ， 64 DPCH ）。
.
ACPR条件： 5.00 MHz偏移， 3.84MHz的带宽（峰值因数= 11 dB为单位） 。
4）检测FET是按比例缩放的版本的主RF场效应管，从电隔离的细胞在RF的端部形成
结构。根据周边当前尺度（阈值电压偏移量小于
±150
毫伏之间
相邻的器件）。 RF &意识FET栅极和源DC连接。水渠是DC隔离。信息S1 S2 &
是DC连接到感FET的漏极1 & 2.源连接到封装基地。感FET是
从RF信号电隔离。
第13 3
规格如有变更，恕不另行通知。美国专利No.6,822,321
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PFM21030
典型的模块性能
T=+25
°C,
除非另有说明。数据是用于在测试夹具与外部匹配元件模块。请参见以下
页面测试夹具的细节。
典型的小信号增益与频率的关系
28
典型的CW 2音互调与输出功率
-10
IM3L
IM3U
IM5L
IM5U
IM7L
-40
-50
-60
-70
27
29
31
33
35
37
39
41
43
IM7U
互调抑制（ DBC）
2050
2110
2170
2230
2290
2350
27
-20
-30
增益（dB ）
26
25
24
23
1990
频率（MHz）
平均输出功率（dBm ）
典型输入&输出回波损耗VS频率。
0
典型增益&效率与CW输出功率
28
27
收益
45
40
-2
-4
回波损耗（分贝）
-6
增益（dB ）
产量
25
24
23
效率
30
25
20
15
10
32
33
34
35
36
37
38
39
40
41
42
43
44
45
46
-8
-1 0
输入
-1 2
22
-1 4
21
-1 6
2 0 5 0
2 0 8 0
2 1 1 0
2 1 4 0
2 1 7 0
2 2 0 0
2 2 3 0
输出功率（dBm ）
频率（MHz）
注：以上数据是最初的原型装置。向工厂咨询最新数据。
第13 4
规格如有变更，恕不另行通知。美国专利No.6,822,321
http://www.cree.com/
第2版
效率（％）
26
35
PFM21030
PFM21030SM封装外形
PFM21030F封装外形
第13个5
规格如有变更，恕不另行通知。美国专利No.6,822,321
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