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位置：首页 > IC型号导航 > 首字符P型号页 > 首字符P的型号第1016页 > PF1010DF8
半导体
技术参数
对于EMI滤波和ESD保护。
PF1010DF8
硅平面型二极管
F
E
4
特点
EMI / RFI滤波。
ESD保护符合IEC 61000-4-2第4级。
低插入损耗。
良好的衰减高频信号。
低钳位电压。
低的操作和泄漏电流。
在一个封装四个要素
D
B
A
G
1
H
GND焊盘
I
8
5
H
顶视图
暗淡
A
B
C
D
E
F
G
H
I
底部视图
MILLIMETERS
_
2.0
+
0.05
_
2.0
+
0.05
_
0.75
+
0.05
_
0.2
+
0.02
0.5
_
0.23
+
0.05
_
0.35
+
0.05
_
0.05
1.2
+
_
0.6
+
0.05
C
应用
手机手机。
射频通讯设备。
SIDE VIEW
1,8 ：过滤器通道1
2,7 ：过滤器通道2
3,6 ：过滤器频道3
4,5 ：过滤器4通道
最大额定值（ TA = 25
特征
功耗
工作温度
储存温度
)
符号
P
D
T
j
T
英镑
等级
300
-55 150
-55 150
单位
mW
DFN-8
等效电路
FILTERn *
100
FILTERn *
10pF
10pF
GND
电气特性（ TA = 25
特征
相反的立场-O FF电压
反向击穿电压
反向漏电流
截止频率
衰减频率
阻力
电容
符号
V
RWM
V
BR
I
R
f
3dB
f
25dB
R
C
)
测试条件
-
I
t
=1mA
V
RWM
=3V
V
R
= 0V ，Z
来源
=50 , Z
负载
=50
V
R
= 0V ，Z
来源
=50 , Z
负载
=50
之间的输入和输出
V
R
= 2.5V ，之间的I / O引脚与GND
分钟。
-
6
-
-
800
-
-
典型值。
-
-
-
150
-
100
20
马克斯。
5
-
0.1
-
3,000
-
-
pF
单位
V
V
A
兆赫
兆赫
2006. 8. 8
版本号： 2
1/2
PF1010DF8
C
J
- V
R
25
5
0
插入损耗（dB ）
20
15
10
5
0
-5
-10
-15
-20
-25
-30
-35
-40
1
2
3
4
5
-45
1
10
S
21
- f
电容CJ （PF ）
100
1000
6000
反向电压VR （ V）
频率（MHz）
2006. 8. 8
版本号： 2
2/2
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    -
    -
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