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PF0311
MOS FET功率放大器模块VHF频段
ADE - 208-104B ( Z)
3 。版
1996年7月
应用
VHF频段150 174兆赫
特点
小型封装: 30
×
10
×
5.9 mm
高效率: 50 %典型值
低功耗控制电流:0.5 mA最大
管脚配置
RF -J
5
1
2
3
4
1 :引脚
2: V
PC
3: V
DD
4 :噘
5 : GND (法兰)
PF0311
内部框图及外围电路
G
GND
Pin1
Pin2
V
PC
Pin3
V
DD
Pin4
G
GND
Z1
C1
FB1
C3
C4
FB2
C2
Z2
V
PC
V
DD
C1 = C2 = 0.01
F
(陶瓷贴片电容)
C3 = C4 = 10
F
(铝电解电容器)
FB =铁氧体磁珠BL01RN1 - A62-001 (制造商: MURATA )或同等学历
Z1 = Z2 = 50
(微带线)
绝对最大额定值
( TC = 25 ° C)
电源电压
电源电流
PC电压
输入功率
工作温度
储存温度
符号
V
DD
I
DD
V
PC
TC ( OP )
TSTG
等级
17
3
7
100
-30到+100
-40到+110
单位
V
A
V
mW
°C
°C
2
PF0311
电气特性
( TC = 25 ° C)
频带
排水截止电流
总有效率
二阶谐波失真
3次谐波失真
第四谐波失真
输入VSWR
输出功率(1)
输出功率(2)
负载VSWR容差
(1)
负载VSWR容差
(2)
稳定性
符号
f
I
DS
η
T
第二H.D.
第三H.D.
4 H.D.
电压驻波比(上)
的Pout (1)
的Pout (2)
150
45
6.8
2
典型值
55
–25
–35
–40
1.5
7.5
3
最大
174
100
–15
–25
–30
3.0
单位
兆赫
A
%
dBc的
dBc的
dBc的
W
W
PIN = 20毫瓦,V
DD
= 9.6 V,
V
PC
= 6 V ,R
L
= RG = 50
PIN = 20毫瓦,V
DD
= 6 V,
V
PC
= 5.5 V ,R
L
= RG = 50
PIN = 20毫瓦,V
DD
= 15 V,
6.5 W, (在V
PC
控制) ,
输出VSWR = 6 : 1所有阶段
PIN = 20毫瓦,V
DD
= 9.6 V,
6.5 W, (在V
PC
控制) ,
输出VSWR = 20 : 1所有阶段
PIN = 20毫瓦,V
DD
= 6至15伏,
6.5 W, (在V
PC
控制) ,
输出VSWR = 3 : 1的所有阶段,
测试条件
V
DD
= 17 V, V
PC
= 0 V,
R
L
= RG = 50
,
PIN = 20毫瓦,V
DD
= 9.6 V,
噘嘴= 6.5 W(在V
PC
控制) ,
R
L
= RG = 50
,
TC = 25°C
没有退化
没有退化
无寄生振荡
机械特性
扭矩搞砸了散热片法兰
散热器法兰经尺码:S
测量条件
M2.6螺栓
规格
1.53.5千克厘米
S=0
+0.1/–0 mm
S
3
PF0311
特性曲线
V
PC
,
η
T
,电压驻波比(中)与频率的关系
3
7
PIN = 20毫瓦
V
DD
= 9.6 V
噘嘴= 6.5 W
70
η
T
60
效率
η
T
(%)
效率
η
T
(%)
6
2.5
PC电压V
PC
(V)
V.S.W.R. (中)
5
50
2
4
V
PC
40
1.5
3
V
SWRin
30
1
2
150
156
162
频率f( MHz)的
168
20
174
噘嘴,
η
T
,电压驻波比(中)与频率的关系
3
12
PIN = 20毫瓦
V
DD
= 9.6 V
V
PC
= 6 V
70
10
额定功率Pout (W)的
2.5
V.S.W.R. (中)
η
T
60
8
50
2
6
V
SWRin
4
40
1.5
30
1
2
150
156
162
频率f( MHz)的
168
20
174
4
PF0311
噘嘴,
η
T
与引脚( 1 )
12
F = 150 MHz的
V
DD
= 9.6 V
V
PC
= 6 V
η
T
8
6
40
50
70
10
额定功率Pout (W)的
60
效率
η
T
(%)
效率
η
T
(%)
4
30
2
0
6
12
18
24
输入功率Pin (MW )
20
30
噘嘴,
η
T
与引脚( 2 )
12
F = 174 MHz的
V
DD
= 9.6 V
V
PC
= 6 V
η
T
70
10
额定功率Pout (W)的
60
8
50
6
40
4
30
2
0
6
12
18
24
输入功率Pin (MW )
20
30
5
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