飞利浦半导体
产品speci fi cation
低电容ESD翻两番
保护阵列
特点
四条线单向ESD保护或
的3条线的双向ESD保护
反向隔离电压： 3.3和5 V
低电容二极管
超低漏电流
超小型SOT665表面贴装封装
ESD保护>20千伏
IEC 61000-4-2 ; 4级（ ESD ） ; 15千伏（空气）或
8千伏（接触） 。
应用
手机及配件
便携式电子产品
计算机及外设
通信系统
音频和视频设备。
记号
类型编号
PESD3V3L4UW
PESD5V0L4UW
订购信息
包
类型编号
名字
PESD3V3L4UW
PESD5V0L4UW
描述
塑料表面贴装封装; 5线索
标识代码
A2
A1
1
2
3
手册， halfpage
PESDxL4UW系列
描述
低电容四倍的ESD保护阵列中五
垫SOT665超小塑料封装设计
保护多达四个传输或数据线
静电放电（ ESD ）损坏。
钉扎
针
1
2
3
4
5
阴极1
共阳极
阴极2
阴极3
阴极4
描述
5
4
5
4
1
2
3
MDB678
Fig.1简化外形（ SOT665 ）和符号。
VERSION
SOT665
2004年4月06
2
飞利浦半导体
产品speci fi cation
低电容ESD翻两番
保护阵列
极限值
按照绝对最大额定值系统（ IEC 60134 ） 。
符号
I
pp
参数
峰值脉冲电流
PESD3V3L4UW
PESD5V0L4UW
P
pp
I
FSM
I
ZSM
峰值脉冲功率
非重复性峰值正向
当前
非重复性峰值反向
当前
PESD3V3L4UW
PESD5V0L4UW
P
合计
P
ZSM
T
英镑
T
j
ESD
总功耗
非重复性峰值反向
功耗
储存温度
结温
静电放电
T
AMB
= 25
°C;
注3
t
p
= 1毫秒;方波脉冲;见图4
8/20
s;
注1和2
t
p
= 1毫秒;方波脉冲
t
p
= 1毫秒;方波脉冲
条件
8/20
s;
注1和2
PESDxL4UW系列
分钟。
3
马克斯。
单位
A
A
W
A
2.5
30
3.5
65
IEC 61000-4-2 （接触放电）
HBM MIL -STD 883
20
10
0.9
0.8
250
6
+150
150
A
A
mW
W
°C
°C
kV
kV
笔记
1.非重复性电流脉冲8/20
s
指数衰减波形见图5 。
2.引脚1 ， 3 ， 4或5引脚2 。
3.装置安装在标准的印刷电路板。
ESD标准符合性
IEC 61000-4-2第4级（ ESD ）
HBM MIL -STD 883 ，第3类
热特性
符号
R
号（j -a）的
R
日（J -SP ）
参数
从结点到环境的热阻
从结热阻到焊点
条件
所有的二极管装
一个二极管装;注1
所有的二极管装;注1
笔记
1.焊接点共阳极（ 2脚）的。
价值
370
135
125
单位
K / W
K / W
K / W
>15千伏（空气） ; >8千伏（接触）
>4千伏
2004年4月06
3
PESDxL4UF ; PESDxL4UG ;
PESDxL4UW
低电容单向四倍的ESD保护
二极管阵列
牧师04 - 2008年2月28日
产品数据表
1.产品廓
1.1概述
低电容单向四联静电放电（ ESD ）保护二极管
在小型表面贴装器件阵列（ SMD ）塑料封装，旨在保护达
免受ESD和其他瞬变的损害四条信号线。
表1中。
产品概述
包
恩智浦
PESD3V3L4UF
PESD5V0L4UF
PESD3V3L4UG
PESD5V0L4UG
PESD3V3L4UW
PESD5V0L4UW
SOT886
SOT886
SOT353
SOT353
SOT665
SOT665
JEITA
-
-
SC-88A
SC-88A
-
-
JEDEC
MO-252
MO-252
-
-
-
-
无铅超小
无铅超小
非常小
非常小
超小扁平的铅
超小扁平的铅
包装CON组fi guration
类型编号
1.2产品特点
I
I
I
I
最多四行ESD保护
低电容二极管
马克斯。峰值脉冲功率：P
PP
= 30 W
低钳位电压： V
CL
= 12 V
I
I
I
I
超低漏电流：I
RM
= 5 NA
ESD保护高达20 kV的
IEC 61000-4-2 ; 4级（ ESD ）
IEC 61000-4-5 （浪涌） ;我
PP
= 2.5 A
1.3应用
I
计算机及外设
I
音频和视频设备
I
手机及配件
I
通信系统
I
便携式电子产品
I
订户身份模块（ SIM）卡
保护
恩智浦半导体
PESDxL4UF/G/W
低电容单向四倍的ESD保护二极管阵列
1.4快速参考数据
表2中。
快速参考数据
T
AMB
= 25
°
C除非另有规定ED 。
符号
每二极管
V
RWM
反向断态电压
PESD3V3L4UF
PESD3V3L4UG
PESD3V3L4UW
PESD5V0L4UF
PESD5V0L4UG
PESD5V0L4UW
C
d
二极管电容
PESD3V3L4UF
PESD3V3L4UG
PESD3V3L4UW
PESD5V0L4UF
PESD5V0L4UG
PESD5V0L4UW
F = 1兆赫; V
R
= 0 V
-
22
28
pF
-
-
3.3
V
参数
条件
民
典型值
最大
单位
-
-
5.0
V
-
16
19
pF
2.管脚信息
表3中。
针
1
2
3
4
5
6
钉扎
描述
阴极（二极管1 ）
共阳极
阴极（二极管2 ）
阴极（二极管3 ）
共阳极
阴极（二极管4 ）
6
5
底部视图
4
1
2
3
1
2
3
006aaa156
简化的轮廓
符号
PESD3V3L4UF ; PESD5V0L4UF
6
5
4
PESD3V3L4UG ; PESD5V0L4UG
1
2
3
4
5
阴极（二极管1 ）
共阳极
阴极（二极管2 ）
阴极（二极管3 ）
阴极（二极管4 ）
1
2
3
006aaa157
5
4
1
2
3
4
5
PESD3V3L4UW ; PESD5V0L4UW
1
2
3
4
5
阴极（二极管1 ）
共阳极
阴极（二极管2 ）
阴极（二极管3 ）
阴极（二极管4 ）
1
2
3
5
4
1
2
3
006aaa157
5
4
PESDXL4UF_G_W_4
NXP B.V. 2008保留所有权利。
产品数据表
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2 17
恩智浦半导体
PESDxL4UF/G/W
低电容单向四倍的ESD保护二极管阵列
3.订购信息
表4 。
订购信息
包
名字
PESD3V3L4UF
PESD5V0L4UF
PESD3V3L4UG
PESD5V0L4UG
PESD3V3L4UW
PESD5V0L4UW
-
塑料表面贴装封装; 5线索
SOT665
SC-88A
XSON6
描述
塑料非常薄小外形封装;
没有线索; 6终端;体1
×
1.45
×
0.5 mm
塑料表面贴装封装; 5线索
VERSION
SOT886
SOT353
类型编号
4.标记
表5 。
标记代码
标识代码
[1]
A5
A6
L1*
L2*
A2
A1
类型编号
PESD3V3L4UF
PESD5V0L4UF
PESD3V3L4UG
PESD5V0L4UG
PESD3V3L4UW
PESD5V0L4UW
[1]
* = - ：香港制造
* = P ：香港制造
* = T：在马来西亚
* = W ：中国制造
5.极限值
表6 。
极限值
按照绝对最大额定值系统（ IEC 60134 ） 。
符号
每二极管
P
PP
I
PP
峰值脉冲功率
峰值脉冲电流
PESD3V3L4UF
PESD3V3L4UG
PESD3V3L4UW
PESD5V0L4UF
PESD5V0L4UG
PESD5V0L4UW
I
FSM
非重复峰值正向方波;
当前
t
p
= 1毫秒
t
p
= 8/20
s
t
p
= 8/20
s
[1][2][3]
[1][2][3]
参数
条件
民
-
-
最大
30
3.0
单位
W
A
-
2.5
A
-
3.5
A
PESDXL4UF_G_W_4
NXP B.V. 2008保留所有权利。
产品数据表
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恩智浦半导体
PESDxL4UF/G/W
低电容单向四倍的ESD保护二极管阵列
表6 。
极限值
- 续
按照绝对最大额定值系统（ IEC 60134 ） 。
符号
I
ZSM
参数
条件
民
最大
单位
非重复性峰值反向方波;
当前
t
p
= 1毫秒
PESD3V3L4UF
PESD3V3L4UG
PESD3V3L4UW
PESD5V0L4UF
PESD5V0L4UG
PESD5V0L4UW
P
ZSM
每个器件
T
j
T
AMB
T
英镑
[1]
[2]
[3]
-
0.9
A
-
0.8
A
非重复性峰值反向方波;
功耗
t
p
= 1毫秒
结温
环境温度
储存温度
-
6
W
-
65
65
150
+150
+150
°C
°C
°C
非重复性电流脉冲8/20
s
根据IEC 61000-4-5指数衰减波形。
对于PESDxL4UF从针1 ，3，4或6测量到销2或5 。
对于PESDxL4UG和PESDxL4UW从引脚1 ， 3 ， 4或5个测到引脚2 。
表7中。
ESD最大额定值
T
AMB
= 25
°
C除非另有规定ED 。
符号
每二极管
V
ESD
静电放电电压
IEC 61000-4-2
（接触放电）
MIL -STD- 883 （人
人体模型）
[1]
[2]
[3]
强调设备与十个非重复的ESD脉冲。
对于PESDxL4UF从针1 ，3，4或6测量到销2或5 。
对于PESDxL4UG和PESDxL4UW从引脚1 ， 3 ， 4或5个测到引脚2 。
[1][2][3]
参数
条件
民
-
-
最大
20
10
单位
kV
kV
表8 。
标准
每二极管
ESD标准符合性
条件
> 15千伏（空气） ; > 8千伏（接触）
＆ GT ; 4千伏
IEC 61000-4-2 ; 4级（ ESD ）
MIL -STD- 883 ;第3类（人体模型）
PESDXL4UF_G_W_4
NXP B.V. 2008保留所有权利。
产品数据表
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PESDxL4UF ; PESDxL4UG ;
PESDxL4UW
低电容单向四倍的ESD保护
二极管阵列
牧师04 - 2008年2月28日
产品数据表
1.产品廓
1.1概述
低电容单向四联静电放电（ ESD ）保护二极管
在小型表面贴装器件阵列（ SMD ）塑料封装，旨在保护达
免受ESD和其他瞬变的损害四条信号线。
表1中。
产品概述
包
恩智浦
PESD3V3L4UF
PESD5V0L4UF
PESD3V3L4UG
PESD5V0L4UG
PESD3V3L4UW
PESD5V0L4UW
SOT886
SOT886
SOT353
SOT353
SOT665
SOT665
JEITA
-
-
SC-88A
SC-88A
-
-
JEDEC
MO-252
MO-252
-
-
-
-
无铅超小
无铅超小
非常小
非常小
超小扁平的铅
超小扁平的铅
包装CON组fi guration
类型编号
1.2产品特点
I
I
I
I
最多四行ESD保护
低电容二极管
马克斯。峰值脉冲功率：P
PP
= 30 W
低钳位电压： V
CL
= 12 V
I
I
I
I
超低漏电流：I
RM
= 5 NA
ESD保护高达20 kV的
IEC 61000-4-2 ; 4级（ ESD ）
IEC 61000-4-5 （浪涌） ;我
PP
= 2.5 A
1.3应用
I
计算机及外设
I
音频和视频设备
I
手机及配件
I
通信系统
I
便携式电子产品
I
订户身份模块（ SIM）卡
保护
恩智浦半导体
PESDxL4UF/G/W
低电容单向四倍的ESD保护二极管阵列
1.4快速参考数据
表2中。
快速参考数据
T
AMB
= 25
°
C除非另有规定ED 。
符号
每二极管
V
RWM
反向断态电压
PESD3V3L4UF
PESD3V3L4UG
PESD3V3L4UW
PESD5V0L4UF
PESD5V0L4UG
PESD5V0L4UW
C
d
二极管电容
PESD3V3L4UF
PESD3V3L4UG
PESD3V3L4UW
PESD5V0L4UF
PESD5V0L4UG
PESD5V0L4UW
F = 1兆赫; V
R
= 0 V
-
22
28
pF
-
-
3.3
V
参数
条件
民
典型值
最大
单位
-
-
5.0
V
-
16
19
pF
2.管脚信息
表3中。
针
1
2
3
4
5
6
钉扎
描述
阴极（二极管1 ）
共阳极
阴极（二极管2 ）
阴极（二极管3 ）
共阳极
阴极（二极管4 ）
6
5
底部视图
4
1
2
3
1
2
3
006aaa156
简化的轮廓
符号
PESD3V3L4UF ; PESD5V0L4UF
6
5
4
PESD3V3L4UG ; PESD5V0L4UG
1
2
3
4
5
阴极（二极管1 ）
共阳极
阴极（二极管2 ）
阴极（二极管3 ）
阴极（二极管4 ）
1
2
3
006aaa157
5
4
1
2
3
4
5
PESD3V3L4UW ; PESD5V0L4UW
1
2
3
4
5
阴极（二极管1 ）
共阳极
阴极（二极管2 ）
阴极（二极管3 ）
阴极（二极管4 ）
1
2
3
5
4
1
2
3
006aaa157
5
4
PESDXL4UF_G_W_4
NXP B.V. 2008保留所有权利。
产品数据表
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恩智浦半导体
PESDxL4UF/G/W
低电容单向四倍的ESD保护二极管阵列
3.订购信息
表4 。
订购信息
包
名字
PESD3V3L4UF
PESD5V0L4UF
PESD3V3L4UG
PESD5V0L4UG
PESD3V3L4UW
PESD5V0L4UW
-
塑料表面贴装封装; 5线索
SOT665
SC-88A
XSON6
描述
塑料非常薄小外形封装;
没有线索; 6终端;体1
×
1.45
×
0.5 mm
塑料表面贴装封装; 5线索
VERSION
SOT886
SOT353
类型编号
4.标记
表5 。
标记代码
标识代码
[1]
A5
A6
L1*
L2*
A2
A1
类型编号
PESD3V3L4UF
PESD5V0L4UF
PESD3V3L4UG
PESD5V0L4UG
PESD3V3L4UW
PESD5V0L4UW
[1]
* = - ：香港制造
* = P ：香港制造
* = T：在马来西亚
* = W ：中国制造
5.极限值
表6 。
极限值
按照绝对最大额定值系统（ IEC 60134 ） 。
符号
每二极管
P
PP
I
PP
峰值脉冲功率
峰值脉冲电流
PESD3V3L4UF
PESD3V3L4UG
PESD3V3L4UW
PESD5V0L4UF
PESD5V0L4UG
PESD5V0L4UW
I
FSM
非重复峰值正向方波;
当前
t
p
= 1毫秒
t
p
= 8/20
s
t
p
= 8/20
s
[1][2][3]
[1][2][3]
参数
条件
民
-
-
最大
30
3.0
单位
W
A
-
2.5
A
-
3.5
A
PESDXL4UF_G_W_4
NXP B.V. 2008保留所有权利。
产品数据表
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恩智浦半导体
PESDxL4UF/G/W
低电容单向四倍的ESD保护二极管阵列
表6 。
极限值
- 续
按照绝对最大额定值系统（ IEC 60134 ） 。
符号
I
ZSM
参数
条件
民
最大
单位
非重复性峰值反向方波;
当前
t
p
= 1毫秒
PESD3V3L4UF
PESD3V3L4UG
PESD3V3L4UW
PESD5V0L4UF
PESD5V0L4UG
PESD5V0L4UW
P
ZSM
每个器件
T
j
T
AMB
T
英镑
[1]
[2]
[3]
-
0.9
A
-
0.8
A
非重复性峰值反向方波;
功耗
t
p
= 1毫秒
结温
环境温度
储存温度
-
6
W
-
65
65
150
+150
+150
°C
°C
°C
非重复性电流脉冲8/20
s
根据IEC 61000-4-5指数衰减波形。
对于PESDxL4UF从针1 ，3，4或6测量到销2或5 。
对于PESDxL4UG和PESDxL4UW从引脚1 ， 3 ， 4或5个测到引脚2 。
表7中。
ESD最大额定值
T
AMB
= 25
°
C除非另有规定ED 。
符号
每二极管
V
ESD
静电放电电压
IEC 61000-4-2
（接触放电）
MIL -STD- 883 （人
人体模型）
[1]
[2]
[3]
强调设备与十个非重复的ESD脉冲。
对于PESDxL4UF从针1 ，3，4或6测量到销2或5 。
对于PESDxL4UG和PESDxL4UW从引脚1 ， 3 ， 4或5个测到引脚2 。
[1][2][3]
参数
条件
民
-
-
最大
20
10
单位
kV
kV
表8 。
标准
每二极管
ESD标准符合性
条件
> 15千伏（空气） ; > 8千伏（接触）
＆ GT ; 4千伏
IEC 61000-4-2 ; 4级（ ESD ）
MIL -STD- 883 ;第3类（人体模型）
PESDXL4UF_G_W_4
NXP B.V. 2008保留所有权利。
产品数据表
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飞利浦半导体
产品speci fi cation
低电容ESD翻两番
保护阵列
特点
四条线单向ESD保护或
的3条线的双向ESD保护
反向隔离电压： 3.3和5 V
低电容二极管
超低漏电流
超小型SOT665表面贴装封装
ESD保护>20千伏
IEC 61000-4-2 ; 4级（ ESD ） ; 15千伏（空气）或
8千伏（接触） 。
应用
手机及配件
便携式电子产品
计算机及外设
通信系统
音频和视频设备。
记号
类型编号
PESD3V3L4UW
PESD5V0L4UW
订购信息
包
类型编号
名字
PESD3V3L4UW
PESD5V0L4UW
描述
塑料表面贴装封装; 5线索
标识代码
A2
A1
1
2
3
手册， halfpage
PESDxL4UW系列
描述
低电容四倍的ESD保护阵列中五
垫SOT665超小塑料封装设计
保护多达四个传输或数据线
静电放电（ ESD ）损坏。
钉扎
针
1
2
3
4
5
阴极1
共阳极
阴极2
阴极3
阴极4
描述
5
4
5
4
1
2
3
MDB678
Fig.1简化外形（ SOT665 ）和符号。
VERSION
SOT665
2004年4月06
2
飞利浦半导体
产品speci fi cation
低电容ESD翻两番
保护阵列
极限值
按照绝对最大额定值系统（ IEC 60134 ） 。
符号
I
pp
参数
峰值脉冲电流
PESD3V3L4UW
PESD5V0L4UW
P
pp
I
FSM
I
ZSM
峰值脉冲功率
非重复性峰值正向
当前
非重复性峰值反向
当前
PESD3V3L4UW
PESD5V0L4UW
P
合计
P
ZSM
T
英镑
T
j
ESD
总功耗
非重复性峰值反向
功耗
储存温度
结温
静电放电
T
AMB
= 25
°C;
注3
t
p
= 1毫秒;方波脉冲;见图4
8/20
s;
注1和2
t
p
= 1毫秒;方波脉冲
t
p
= 1毫秒;方波脉冲
条件
8/20
s;
注1和2
PESDxL4UW系列
分钟。
3
马克斯。
单位
A
A
W
A
2.5
30
3.5
65
IEC 61000-4-2 （接触放电）
HBM MIL -STD 883
20
10
0.9
0.8
250
6
+150
150
A
A
mW
W
°C
°C
kV
kV
笔记
1.非重复性电流脉冲8/20
s
指数衰减波形见图5 。
2.引脚1 ， 3 ， 4或5引脚2 。
3.装置安装在标准的印刷电路板。
ESD标准符合性
IEC 61000-4-2第4级（ ESD ）
HBM MIL -STD 883 ，第3类
热特性
符号
R
号（j -a）的
R
日（J -SP ）
参数
从结点到环境的热阻
从结热阻到焊点
条件
所有的二极管装
一个二极管装;注1
所有的二极管装;注1
笔记
1.焊接点共阳极（ 2脚）的。
价值
370
135
125
单位
K / W
K / W
K / W
>15千伏（空气） ; >8千伏（接触）
>4千伏
2004年4月06
3
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