PESDxV4UF ; PESDxV4UG ;
PESDxV4UW
非常低的电容单向ESD翻两番
保护二极管阵列
牧师03 - 2008年1月28日
产品数据表
1.产品廓
1.1概述
非常低的电容单向四联静电放电（ ESD）保护
在小型表面贴装器件二极管阵列（ SMD ）塑料封装设计
最多保护免受ESD和其他瞬态损坏四条信号线。
表1中。
产品概述
包
恩智浦
PESD3V3V4UF
PESD5V0V4UF
PESD3V3V4UG
PESD5V0V4UG
PESD3V3V4UW
PESD5V0V4UW
SOT886
SOT886
SOT353
SOT353
SOT665
SOT665
JEITA
-
-
SC-88A
SC-88A
-
-
JEDEC
MO-252
MO-252
-
-
-
-
无铅超小
无铅超小
非常小
非常小
超小扁平的铅
超小扁平的铅
包装CON组fi guration
类型编号
1.2产品特点
I
I
I
I
最多四行ESD保护
非常低电容二极管
马克斯。峰值脉冲功率：P
PP
= 16 W
低钳位电压： V
CL
= 11 V
I
I
I
I
超低漏电流：I
RM
= 25 nA的
ESD保护高达12 kV的
IEC 61000-4-2 ; 4级（ ESD ）
IEC 61000-4-5 （浪涌） ;我
PP
= 1.5 A
1.3应用
I
计算机及外设
I
音频和视频设备
I
手机及配件
I
通信系统
I
便携式电子产品
I
订户身份模块（ SIM）卡
保护
恩智浦半导体
PESDxV4UF/G/W
极低电容ESD翻两番保护二极管阵列
1.4快速参考数据
表2中。
快速参考数据
T
AMB
= 25
°
C除非另有规定ED 。
符号
每二极管
V
RWM
反向断态电压
PESD3V3V4UF
PESD3V3V4UG
PESD3V3V4UW
PESD5V0V4UF
PESD5V0V4UG
PESD5V0V4UW
C
d
二极管电容
PESD3V3V4UF
PESD3V3V4UG
PESD3V3V4UW
PESD5V0V4UF
PESD5V0V4UG
PESD5V0V4UW
F = 1兆赫; V
R
= 0 V
-
15
18
pF
-
-
3.3
V
参数
条件
民
典型值
最大
单位
-
-
5.0
V
-
12
15
pF
2.管脚信息
表3中。
针
1
2
3
4
5
6
钉扎
描述
阴极（二极管1 ）
共阳极
阴极（二极管2 ）
阴极（二极管3 ）
共阳极
阴极（二极管4 ）
6
5
底部视图
4
1
2
3
1
2
3
006aaa156
简化的轮廓
符号
PESD3V3V4UF ; PESD5V0V4UF
6
5
4
PESD3V3V4UG ; PESD5V0V4UG
1
2
3
4
5
阴极（二极管1 ）
共阳极
阴极（二极管2 ）
阴极（二极管3 ）
阴极（二极管4 ）
1
2
3
006aaa157
5
4
1
2
3
4
5
PESD3V3V4UW ; PESD5V0V4UW
1
2
3
4
5
阴极（二极管1 ）
共阳极
阴极（二极管2 ）
阴极（二极管3 ）
阴极（二极管4 ）
1
2
3
5
4
1
2
3
006aaa157
5
4
PESDXV4UF_G_W_3
NXP B.V. 2008保留所有权利。
产品数据表
牧师03 - 2008年1月28日
2 16
恩智浦半导体
PESDxV4UF/G/W
极低电容ESD翻两番保护二极管阵列
3.订购信息
表4 。
订购信息
包
名字
PESD3V3V4UF
PESD5V0V4UF
PESD3V3V4UG
PESD5V0V4UG
PESD3V3V4UW -
PESD5V0V4UW
塑料表面贴装封装; 5线索
SOT665
SC-88A
XSON6
描述
塑料非常薄小外形封装;
没有线索; 6终端;体1
×
1.45
×
0.5 mm
塑料表面贴装封装; 5线索
VERSION
SOT886
SOT353
类型编号
4.标记
表5 。
标记代码
标识代码
[1]
A7
A8
V1*
V2*
W1
W2
类型编号
PESD3V3V4UF
PESD5V0V4UF
PESD3V3V4UG
PESD5V0V4UG
PESD3V3V4UW
PESD5V0V4UW
[1]
* = - ：香港制造
* = P ：香港制造
* = T：在马来西亚
* = W ：中国制造
5.极限值
表6 。
极限值
按照绝对最大额定值系统（ IEC 60134 ） 。
符号
每二极管
P
PP
I
PP
每个器件
T
j
T
AMB
T
英镑
[1]
[2]
[3]
参数
峰值脉冲功率
峰值脉冲电流
结温
环境温度
储存温度
条件
t
p
= 8/20
s
t
p
= 8/20
s
[1][2][3]
[1][2][3]
民
-
-
-
65
65
最大
16
1.5
150
+150
+150
单位
W
A
°C
°C
°C
非重复性电流脉冲8/20
s
根据IEC 61000-4-5指数衰减波形。
对于PESDxV4UF从针1 ，3，4或6测量到销2或5 。
对于PESDxV4UG和PESDxV4UW从引脚1 ， 3 ， 4或5个测到引脚2 。
PESDXV4UF_G_W_3
NXP B.V. 2008保留所有权利。
产品数据表
牧师03 - 2008年1月28日
3 16
恩智浦半导体
PESDxV4UF/G/W
极低电容ESD翻两番保护二极管阵列
表7中。
ESD最大额定值
T
AMB
= 25
°
C除非另有规定ED 。
符号
每二极管
V
ESD
静电放电电压
IEC 61000-4-2
（接触放电）
MIL -STD- 883 （人
人体模型）
[1]
[2]
[3]
强调设备与十个非重复的ESD脉冲。
对于PESDxV4UF从针1 ，3，4或6测量到销2或5 。
对于PESDxV4UG和PESDxV4UW从引脚1 ， 3 ， 4或5个测到引脚2 。
[1][2][3]
参数
条件
民
-
-
最大
12
10
单位
kV
kV
表8 。
标准
每二极管
ESD标准符合性
条件
> 8千伏（接触）
＆ GT ; 4千伏
IEC 61000-4-2 ; 4级（ ESD ）
MIL -STD- 883 ;第3类（人体模型）
001aaa631
120
I
PP
(%)
80
100 % I
PP
; 8
s
001aaa630
I
PP
100 %
90 %
e
t
50 % I
PP
; 20
s
40
10 %
t
r
=
0.7 ns至1纳秒
0
10
20
30
T（微秒）
40
30纳秒
60纳秒
t
0
图1. 8/20
s
根据脉冲波形
IEC 61000-4-5
根据图2的ESD脉冲波形
IEC 61000-4-2
PESDXV4UF_G_W_3
NXP B.V. 2008保留所有权利。
产品数据表
牧师03 - 2008年1月28日
4 16
PESDxV4UG系列
极低电容ESD翻两番保护二极管阵列
在SOT353封装
牧师02 - 2005年4月7日
产品数据表
1.产品廓
1.1概述
在非常低的电容四倍静电放电（ ESD ）保护二极管阵列
非常小的SOT353 （ SC- 88A ）塑料封装，旨在保护多达四根信号线
免受ESD和其他瞬变的损害。
1.2产品特点
s
最多四行ESD保护
s
非常低电容二极管
s
低钳位电压
s
超低漏电流：I
RM
= 3 nA的
s
ESD保护高达12 kV的
s
IEC 61000-4-2 ; 4级（ ESD ）
1.3应用
s
计算机及外设
s
音频和视频设备
s
手机及配件
s
通信系统
s
便携式电子产品
s
订户身份模块（ SIM）卡
保护
1.4快速参考数据
表1：
符号
V
RWM
快速参考数据
参数
相反的立场-O FF电压
PESD3V3V4UG
PESD5V0V4UG
C
d
二极管电容
PESD3V3V4UG
PESD5V0V4UG
F = 1兆赫; V
R
= 0 V;
SEE
图5
-
-
15
12
18
15
pF
pF
-
-
-
-
3.3
5.0
V
V
条件
民
典型值
最大
单位
飞利浦半导体
PESDxV4UG系列
极低电容ESD翻两番保护二极管阵列
2.管脚信息
表2：
针
1
2
3
4
5
钉扎
描述
阴极1
共阳极
阴极2
阴极3
阴极4
1
2
3
5
sym050
简化的轮廓
5
4
符号
1
3
2
4
3.订购信息
表3：
订购信息
包
名字
PESD3V3V4UG
PESD5V0V4UG
SC-88A
描述
塑料表面贴装封装; 5线索
VERSION
SOT353
类型编号
4.标记
表4：
标记代码
标识代码
[1]
V1*
V2*
类型编号
PESD3V3V4UG
PESD5V0V4UG
[1]
* = P ：香港制造
* = T：在马来西亚
* = W ：中国制造
5.极限值
表5：
极限值
按照绝对最大额定值系统（ IEC 60134 ） 。
符号
P
PP
参数
峰值脉冲功率
PESD3V3V4UG
PESD5V0V4UG
I
PP
峰值脉冲电流
PESD3V3V4UG
PESD5V0V4UG
8/20
s
[1] [2]
条件
8/20
s
[1] [2]
民
-
-
-
-
最大
16
16
1.5
1.5
单位
W
W
A
A
9397 750 14479
皇家飞利浦电子有限公司2005年版权所有。
产品数据表
牧师02 - 2005年4月7日
2 11
飞利浦半导体
PESDxV4UG系列
极低电容ESD翻两番保护二极管阵列
表5：
极限值
- 续
按照绝对最大额定值系统（ IEC 60134 ） 。
符号
T
j
T
AMB
T
英镑
[1]
[2]
参数
结温
环境温度
储存温度
条件
民
-
65
65
最大
150
+150
+150
单位
°C
°C
°C
非重复性电流脉冲8/20
s
根据IEC 61000-4-5指数衰减波形;看
图1 。
测定从针1 ，3，4或5比2 。
表6：
符号
V
ESD
ESD最大额定值
参数
静电放电电压
PESD3V3V4UG
PESD5V0V4UG
PESDxV4UG系列
HBM MIL -STD- 883
条件
IEC 61000-4-2
（接触放电）
[1] [2]
民
最大
单位
-
-
-
12
12
10
kV
kV
kV
[1]
[2]
强调设备与十个非重复的ESD脉冲;看
图2中。
测定从针1 ，3，4或5比2 。
表7：
标准
ESD标准符合性
条件
> 8千伏（接触）
＆ GT ; 4千伏
IEC 61000-4-2 ; 4级（ ESD ） ;看
图2
HBM MIL -STD- 883 ; 3级
001aaa631
120
I
PP
(%)
80
100 % I
PP
; 8
s
001aaa630
I
PP
100 %
90 %
e
t
50 % I
PP
; 20
s
40
10 %
t
r
=
0.7 ns至1纳秒
0
10
20
30
T（微秒）
40
30纳秒
60纳秒
t
0
图1. 8/20
s
根据脉冲波形
IEC 61000-4-5
根据图2的ESD脉冲波形
IEC 61000-4-2
9397 750 14479
皇家飞利浦电子有限公司2005年版权所有。
产品数据表
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3 11
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