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PESD5Zx系列
低电容单向ESD保护二极管
牧师02 - 2008年4月4日
产品数据表
1.产品廓
1.1概述
低电容单向的静电放电（ ESD ）保护二极管的
SOD523 （ SC - 79 ）超小型扁平的铅表面贴装器件（ SMD ）塑料包装
设计用于保护免受ESD和其他瞬变的损害一条信号线。
表1中。
产品概述
包
恩智浦
PESD5Z2.5
PESD5Z3.3
PESD5Z5.0
PESD5Z6.0
PESD5Z7.0
PESD5Z12
SOD523
JEITA
SC-79
单身
CON组fi guration
类型编号
1.2产品特点
I
I
I
I
一条线的ESD保护
低电容二极管
马克斯。峰值脉冲功率：P
PP
= 260 W
低钳位电压： V
CL
= 15 V
I
I
I
I
低漏电流：I
RM
< 1 nA的
ESD保护高达30千伏
IEC 61000-4-2 ; 4级（ ESD ）
IEC 61000-4-5 （浪涌） ;我
PP
= 20 A
1.3应用
I
计算机及外设
I
音频和视频设备
I
手机及配件
I
10/100/1000 Mbit / s以太网
I
通信系统
I
便携式电子产品
I
订户身份模块（ SIM）卡
保护
I
火线
I
高速数据线
恩智浦半导体
PESD5Zx系列
低电容单向ESD保护二极管
1.4快速参考数据
表2中。
快速参考数据
T
AMB
= 25
°
C除非另有规定ED 。
符号
每二极管
V
RWM
反向断态电压
PESD5Z2.5
PESD5Z3.3
PESD5Z5.0
PESD5Z6.0
PESD5Z7.0
PESD5Z12
C
d
二极管电容
PESD5Z2.5
PESD5Z3.3
PESD5Z5.0
PESD5Z6.0
PESD5Z7.0
PESD5Z12
F = 1兆赫; V
R
= 0 V
-
-
-
-
-
-
229
172
89
78
69
35
300
200
150
150
150
75
pF
pF
pF
pF
pF
pF
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
2.5
3.3
5.0
6.0
7.0
12.0
V
V
V
V
V
V
参数
条件
民
典型值
最大
单位
2.管脚信息
表3中。
针
1
2
钉扎
描述
阴极
阳极
[1]
简化的轮廓
符号
1
2
1
2
006aaa152
[1]
标记栏显示的阴极。
3.订购信息
表4 。
订购信息
包
名字
PESD5Z2.5
PESD5Z3.3
PESD5Z5.0
PESD5Z6.0
PESD5Z7.0
PESD5Z12
SC-79
描述
塑料表面贴装封装; 2引线
VERSION
SOD523
类型编号
PESD5ZX_SER_2
NXP B.V. 2008保留所有权利。
产品数据表
牧师02 - 2008年4月4日
2 17
恩智浦半导体
PESD5Zx系列
低电容单向ESD保护二极管
4.标记
表5 。
标记代码
标识代码
N7
N8
N9
NA
NB
NC
类型编号
PESD5Z2.5
PESD5Z3.3
PESD5Z5.0
PESD5Z6.0
PESD5Z7.0
PESD5Z12
5.极限值
表6 。
极限值
按照绝对最大额定值系统（ IEC 60134 ） 。
符号
每二极管
P
PP
峰值脉冲功率
PESD5Z2.5
PESD5Z3.3
PESD5Z5.0
PESD5Z6.0
PESD5Z7.0
PESD5Z12
I
PP
峰值脉冲电流
PESD5Z2.5
PESD5Z3.3
PESD5Z5.0
PESD5Z6.0
PESD5Z7.0
PESD5Z12
每个器件
T
j
T
AMB
T
英镑
[1]
[2]
参数
条件
t
p
= 8/20
s
[1][2]
民
最大
单位
-
-
-
-
-
-
t
p
= 8/20
s
[1][2]
260
260
180
180
180
200
20
20
10
10
10
6
150
+150
+150
W
W
W
W
W
W
A
A
A
A
A
A
°C
°C
°C
-
-
-
-
-
-
-
65
65
结温
环境温度
储存温度
非重复性电流脉冲8/20
s
根据IEC 61000-4-5指数衰减波形。
从测针1 2 。
PESD5ZX_SER_2
NXP B.V. 2008保留所有权利。
产品数据表
牧师02 - 2008年4月4日
3 17
恩智浦半导体
PESD5Zx系列
低电容单向ESD保护二极管
ESD最大额定值
参数
静电放电电压
PESD5Zx系列
IEC 61000-4-2
（接触放电）
机器型号
MIL -STD- 883 （人
人体模型）
[1][2]
表7中。
符号
每二极管
V
ESD
条件
民
最大
单位
-
-
-
30
400
10
kV
V
kV
[1]
[2]
强调设备与十个非重复的ESD脉冲。
从测针1 2 。
表8 。
标准
每二极管
ESD标准符合性
条件
> 15千伏（空气） ; > 8千伏（接触）
＆ GT ; 4千伏
IEC 61000-4-2 ; 4级（ ESD ）
MIL -STD- 883 ;第3类（人体模型）
001aaa631
120
I
PP
(%)
80
100 % I
PP
; 8
s
001aaa630
I
PP
100 %
90 %
e
t
50 % I
PP
; 20
s
40
10 %
t
r
=
0.7 ns至1纳秒
0
10
20
30
T（微秒）
40
30纳秒
60纳秒
t
0
图1. 8/20
s
根据脉冲波形
IEC 61000-4-5
根据图2的ESD脉冲波形
IEC 61000-4-2
PESD5ZX_SER_2
NXP B.V. 2008保留所有权利。
产品数据表
牧师02 - 2008年4月4日
4 17
恩智浦半导体
PESD5Zx系列
低电容单向ESD保护二极管
6.特性
表9 。
特征
T
AMB
= 25
°
C除非另有规定ED 。
符号参数
每二极管
V
RWM
反向断态电压
PESD5Z2.5
PESD5Z3.3
PESD5Z5.0
PESD5Z6.0
PESD5Z7.0
PESD5Z12
I
RM
反向漏电流
PESD5Z2.5
PESD5Z3.3
PESD5Z5.0
PESD5Z6.0
PESD5Z7.0
PESD5Z12
V
BR
击穿电压
PESD5Z2.5
PESD5Z3.3
PESD5Z5.0
PESD5Z6.0
PESD5Z7.0
PESD5Z12
C
d
二极管电容
PESD5Z2.5
PESD5Z3.3
PESD5Z5.0
PESD5Z6.0
PESD5Z7.0
PESD5Z12
V
CL
钳位电压
PESD5Z2.5
PESD5Z3.3
PESD5Z5.0
PESD5Z6.0
PESD5Z7.0
PESD5Z12
I
PP
= 5 A
[1][2]
条件
民
典型值
最大
单位
-
-
-
-
-
-
V
RWM
= 2.5 V
V
RWM
= 3.3 V
V
RWM
= 5.0 V
V
RWM
= 6.0 V
V
RWM
= 7.0 V
V
RWM
= 12.0 V
I
R
= 1毫安
4
5
6.2
6.8
7.5
14.1
F = 1兆赫; V
R
= 0 V
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
0.5
8
5
2
<1
<1
-
-
-
-
-
-
229
172
89
78
69
35
8
8
12
12
14
27
2.5
3.3
5.0
6.0
7.0
12.0
6
50
50
10
10
10
-
-
-
-
-
-
300
200
150
150
150
75
9
10
13
13
15
30
V
V
V
V
V
V
A
nA
nA
nA
nA
nA
V
V
V
V
V
V
pF
pF
pF
pF
pF
pF
V
V
V
V
V
V
PESD5ZX_SER_2
NXP B.V. 2008保留所有权利。
产品数据表
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