恩智浦的超低钳位
ESD保护二极管
PESD5V0X1U家庭
高性能的ESD保护
对于敏感的集成电路
Specifically`designed`for`ultra - low`clamping`voltages , '超low`overshoot`voltages , ` and`ultra , low`
电容, ` these`advanced`devices`provide`the`highest`levels`of`protection`against`ESD`strikes`
for`highly`ESD - sensitive`ICs 。
主要特点
`
'同类最佳的class`overshoot`voltage`for`an`8`kV`ESD`strike
`
`超low`clamping`voltage`of`7.5`V` @` 30`ns`after`an``
8`kV`ESD`strike
`
`超low`capacitance : ` 0.95`pF
`
` Innovative`DFN1006D - 2` ( SOD882D ) ` package`with`
焊, '锡plated`side`pads
重点班妮科幻TS
`
` Highest`level`of`protection`against`ESD`strikes`for`highly`
sensitive`ICs
`
`超small`packages`for`compact`PCB`designs
应用
`
`高speed`data`interfaces`in`communication ,消费者` `
and`computing`markets
`
` Protection`for`highly`sensitive`interface`controller`ICs
由于持续的小型化增加了ESD漏洞
200
180
160
180纳米
低
技术节点[nm]的
ESD威胁级别
140
120
100
80
60
40
20
0
1995
130纳米
90纳米
IC
M
in
IAT
ur
IZA
TIO
n
45纳米
35牛米
22纳米/ 15纳米/ 11纳米
(估计值)
高
2000
2005
YEAR
2010
2015
2020
The`ultra - small`process`technologies`used`to`produce`today's`
miniature`semiconductors`have`the`side - effect`of`making`
the`ICs`more`vulnerable`to`voltage`transients`caused`by`ESD`
strikes.`NXP’s`PESD5V0X1U`family`supports`these`highly`
sensitive`ICs`by`providing`high - performance`ESD`protection.`
单向PESD5V0X1ULD的钳位性能相比其他设备相媲美电容
(根据IEC61000-4-2正8 kV的ESD脉冲)
过冲电压
在8 kV的ESD脉冲
150
125
Competitor`devices
NXP`PESD5V0X1ULD`with`
lowest`overshoot`and`clamping`voltage
设备
电容最大。
电压[V]
100
75
50
25
0
PESD5V0X1ULD
Competitor`1
1.15 pF的
0.9`pF
0.6`pF
2.5`pF
53 V
130`V`
93`V
117`V
-10
-25
-50
0
10
20
30
Competitor`2
17.1`V
12.6`V
时间[ NS ]
Competitor`3
Compared`to`other`devices`with`similar`electrical`parameters , `
PESD5V0X1U`diodes`have`the`lowest`overshoot`and`clamping`
voltages`after`30`ns`for`an`8`kV`ESD`pulse,`according`to`
超低钳位ESD保护二极管系列
IEC61000-4-2.`The`combination`of`extremely`low`capacitance`
and`ultra - low`clamping`voltage`makes`these`devices`ideal`for`
高speed`dataline`protection`applications.``
ESD额定值最大
[千伏]
产品
PESD5V0X1UB
PESD5V0X1UAB
PESD5V0X1ULD
PESD5V0X1UALD
5`V
5`V
5`V
5`V
0.95`pF
1.55`pF
0.95`pF
1.55`pF
1.15`pF
1.75`pF
1.15`pF
1.75`pF
8`kV
15`kV
8`kV
15`kV
0.25`
0.15`
0.25``
0.15`
SOD523
(1.2`x`0.8`x`0.6`mm)`
1
mse209
CON组fi guration
2
R
DYN
@ 10A []
C
d
最大[ pF的]
C
d
典型值[ pF的]
DFN1006D-2
(SOD882D)
(1.0`x`0.6`x`0.37`mm)
包
V
RWM
[V]
1
006aaa152
套餐
0.65
0.55
0.30
0.22
2
1.05
0.95
0.4
最大
0.65
0.30
0.22
1
0.55
0.45
阴极标记在上面边
DFN1006D-2`(SOD882D)
SOD523`(SC-79)
www.nxp.com
2012恩智浦半导体N.V。
版权所有。严禁复制全部或部分未经版权所有人的事先书面同意。该
本文件并不构成任何报价或合同的一部分提供的信息,被认为是准确和可靠,
恕不另行通知可能被改变。无责任将由发行人对其使用的任何后果所接受。其出版
没有传达或暗示下,专利或其它工业或知识产权的任何许可。
发布日期: 2012年8月
文档顺序号: 9397 750 17132
荷兰印刷
钳位电压
在30 ns的8 kV的ESD
脉冲
7.5 V
13.1`V
2