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PESD5V0U2BT
超低电容双向双重ESD保护
二极管
版本01 - 2007年3月27日
产品数据表
1.产品廓
1.1概述
超低电容双向双层静电放电（ ESD ）保护二极管
在SOT23封装（ TO- 236AB ）小型表面贴装器件（ SMD ）塑料包装设计
保护两条数据线从由ESD引起的损坏。
1.2产品特点
I
两线双向ESD保护
I
超低漏电流：I
RM
= 5 NA
I
超低二极管电容：C
d
= 2.9 pF的
I
高达10 kV ESD保护
I
IEC 61000-4-2 ; 4级（ ESD ）
1.3应用
I
计算机及外设
I
音频和视频设备
I
手机及配件
I
10/100/1000以太网
I
本地局域网（LAN ）设备
I
通信系统
I
便携式电子产品
I
订户身份模块（ SIM）卡
保护
I
火线
I
高速数据线
1.4快速参考数据
表1中。
快速参考数据
T
AMB
= 25
°
C除非另有规定ED 。
符号
每二极管
V
RWM
C
d
反向断态电压
二极管电容
F = 1兆赫; V
R
= 0 V
-
-
-
2.9
5
3.5
V
pF
参数
条件
民
典型值
最大
单位
恩智浦半导体
PESD5V0U2BT
超低电容双向双重ESD保护二极管
2.管脚信息
表2中。
针
1
2
3
钉扎
描述
阴极1
阴极2
共阴极
1
2
3
简化的轮廓
3
符号
1
2
006aaa155
3.订购信息
表3中。
订购信息
包
名字
PESD5V0U2BT
-
描述
塑料表面贴装封装; 3引线
VERSION
SOT23
类型编号
4.标记
表4 。
标记代码
标识代码
[1]
1U*
类型编号
PESD5V0U2BT
[1]
* = - ：香港制造
* = P ：香港制造
* = T：在马来西亚
* = W ：中国制造
PESD5V0U2BT_1
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产品数据表
版本01 - 2007年3月27日
2 11
恩智浦半导体
PESD5V0U2BT
超低电容双向双重ESD保护二极管
5.极限值
表5 。
极限值
按照绝对最大额定值系统（ IEC 60134 ） 。
符号
每个器件
T
j
T
AMB
T
英镑
表6 。
符号
每二极管
V
ESD
静电放电
电压
IEC 61000-4-2
（接触放电）
MIL -STD- 883 （人
人体模型）
[1]
[2]
强调设备与十个非重复的ESD脉冲。
从测量引脚1到引脚2 。
[1][2]
参数
结温
环境温度
储存温度
ESD最大额定值
参数
条件
民
-
65
65
最大
150
+150
+150
单位
°C
°C
°C
条件
民
-
-
最大
10
8
单位
kV
kV
表7中。
标准
每二极管
ESD标准符合性
条件
> 15千伏（空气） ; > 8千伏（接触）
＆ GT ; 4千伏
IEC 61000-4-2 ; 4级（ ESD ）
MIL -STD- 883 ;第3类（人体模型）
001aaa631
I
PP
100 %
90 %
10 %
t
r
=
0.7 ns至1纳秒
30纳秒
60纳秒
t
根据IEC 61000-4-2图1 ESD脉冲波形
PESD5V0U2BT_1
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3 11
恩智浦半导体
PESD5V0U2BT
超低电容双向双重ESD保护二极管
6.特性
表8 。
特征
T
AMB
= 25
°
C除非另有规定ED 。
符号
每二极管
V
RWM
I
RM
V
BR
C
d
反向断态电压
反向漏电流
击穿电压
二极管电容
V
RWM
= 5 V
I
R
= 5毫安
F = 1 MHz的
V
R
= 0 V
V
R
= 5 V
r
DIF
微分电阻
I
R
= 1毫安
-
-
-
2.9
1.9
-
3.5
-
100
pF
pF
-
-
5.5
-
5
7
5
100
9.5
V
nA
V
参数
条件
民
典型值
最大
单位
3.0
C
d
（PF ）
2.6
006aab036
I
PP
V
CL
V
BR
V
RWM
I
R
I
RM
I
RM
I
R
V
RWM
V
BR
V
CL
2.2
+
1.8
0
1
2
3
4
V
R
(V)
5
I
PP
006aaa676
F = 1兆赫;牛逼
AMB
= 25
°C
图2.二极管电容反向的函数
电压;典型值
图3.伏安特性的双向ESD
保护二极管
PESD5V0U2BT_1
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4 11
恩智浦半导体
PESD5V0U2BT
超低电容双向双重ESD保护二极管
防静电测试仪
RZ
450
RG 223 / U
50
哄
4 GHz数字
示波器
10×
衰减器
50
CZ
IEC 61000-4-2网
C
Z
= 150 pF的;
Z
= 330
DUT
（设备
下
测试）
垂直比例尺= 10 A /格
水平比例= 15 ns /格
垂直比例尺= 10 V / DIV
水平比例= 100 ns /格
GND
GND
松开8 kV的ESD脉冲波形
（ IEC 61000-4-2网）
夹紧8千伏静电放电脉冲波形
（ IEC 61000-4-2网）引脚1到2
垂直比例尺= 10 A /格
水平比例= 15 ns /格
GND
GND
垂直比例尺= 10 V / DIV
水平比例= 100 ns /格
松开
8
kV的ESD脉冲波形
（ IEC 61000-4-2网）
夹
8
kV的ESD脉冲波形
（ IEC 61000-4-2网）引脚1到2
006aab037
图4的ESD钳位测试设置和波形
PESD5V0U2BT_1
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