恩智浦半导体
PESD5V0L7BAS ; PESD5V0L7BS
低电容7倍的双向ESD保护二极管阵列
2.管脚信息
表3中。
针
TSSOP8
1
2
3
4
5
6
7
8
SO8
1
2
3
4
5
6
7
8
阴极1
阴极2
阴极3
阴极4
阴极5
阴极6
阴极7
阴极8
sym005
离散钉扎
描述
阴极1
阴极2
阴极3
阴极4
阴极5
阴极6
阴极7
阴极8
sym005
简化的轮廓
符号
8
5
1
2
3
8
7
6
5
1
4
4
8
5
1
2
3
4
8
7
6
5
1
4
3.订购信息
表4 。
订购信息
包
名字
PESD5V0L7BAS
PESD5V0L7BS
TSSOP8
SO8
描述
塑料薄小外形封装; 8线索;
体宽3毫米
塑料小外形封装; 8线索;
体宽3.9毫米
VERSION
SOT505-1
SOT96-1
类型编号
4.标记
表5 。
标记代码
标识代码
5V0L7B
5V0L7BS
类型编号
PESD5V0L7BAS
PESD5V0L7BS
PESD5V0L7BAS_BS_3
NXP B.V. 2009保留所有权利。
产品数据表
牧师03 - 2009年8月20日
2 14
恩智浦半导体
PESD5V0L7BAS ; PESD5V0L7BS
低电容7倍的双向ESD保护二极管阵列
5.极限值
表6 。
极限值
按照绝对最大额定值系统（ IEC 60134 ） 。
符号
每二极管
P
pp
I
pp
T
j
T
AMB
T
英镑
[1]
参数
峰值脉冲功率
峰值脉冲电流
结温
环境温度
储存温度
条件
8/20
s
脉冲
8/20
s
脉冲
[1]
[1]
民
-
-
-
65
65
最大
35
2.5
150
+150
+150
单位
W
A
°C
°C
°C
非重复性电流脉冲8/20
s
根据IEC61000-4-5指数衰减波形;看
图1 。
表7中。
符号
ESD
ESD最大额定值
参数
静电放电
能力
条件
IEC 61000-4-2
（接触放电）
HBM MIL- STD883
[1]
民
-
-
最大
10
10
单位
kV
kV
[1]
强调设备与十个非重复的静电放电（ ESD ）脉冲;看
图2中。
表8 。
标准
ESD标准符合性
条件
> 8千伏（接触）
＆ GT ; 4千伏
IEC 61000-4-2第4级（ ESD ） ;看
图2
HBM MIL - STD883 ， 3级
PESD5V0L7BAS_BS_3
NXP B.V. 2009保留所有权利。
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恩智浦半导体
PESD5V0L7BAS ; PESD5V0L7BS
低电容7倍的双向ESD保护二极管阵列
001aaa191
120
I
PP
(%)
80
100 % I
PP
; 8
s
001aaa630
I
pp
100 %
90 %
e
t
50 % I
PP
; 20
s
40
10 %
t
r
=
0.7到1纳秒
0
10
20
30
T（微秒）
40
30纳秒
60纳秒
t
0
图1 。
8/20
s
根据脉冲波形
IEC 61000-4-5
图2 。
静电放电（ ESD ）脉冲波形
根据IEC 61000-4-2
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恩智浦半导体
PESD5V0L7BAS ; PESD5V0L7BS
低电容7倍的双向ESD保护二极管阵列
6.特性
表9 。
特征
T
AMB
= 25
°
C除非另有规定编
符号
每二极管
V
RWM
I
RM
V
（CL ）R
V
（ BR ）
r
DIF
C
d
相反的立场-O FF电压
反向漏电流
钳位电压
击穿电压
微分电阻
二极管电容
V
RWM
= 5 V ;看
图6
I
pp
= 1 A
I
pp
= 2.5 A
I
R
= 1毫安
I
R
= 1毫安
V
R
= 0 V ; F = 1兆赫;
SEE
图5
[1]
[1]
参数
条件
民
-
-
-
-
7.2
-
-
典型值
-
3
-
-
7.6
-
8
最大
5
25
11
17
7.9
100
10
单位
V
nA
V
V
V
pF
[1]
非重复性电流脉冲8/20
s
根据IEC61000-4-5指数衰减波形;看
图1 。
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PESD5V0L7BAS ; PESD5V0L7BS
低电容7倍的双向ESD保护二极管阵列
2.管脚信息
表3：
针
TSSOP8
1
2
3
4
5
6
7
8
SO8
1
2
3
4
5
6
7
8
阴极1
阴极2
阴极3
阴极4
阴极5
阴极6
阴极7
阴极8
1
4
sym005
钉扎
描述
阴极1
阴极2
阴极3
阴极4
阴极5
阴极6
阴极7
阴极8
1
4
sym005
简化的轮廓
符号
8
5
1
2
3
4
8
7
6
5
8
5
1
2
3
4
8
7
6
5
3.订购信息
表4：
订购信息
包
名字
PESD5V0L7BAS
PESD5V0L7BS
TSSOP8
SO8
描述
塑料薄小外形封装; 8线索;
体宽3毫米
塑料小外形封装; 8线索;
体宽3.9毫米
VERSION
SOT505-1
SOT96-1
类型编号
4.标记
表5：
标记代码
标识代码
5V0L7B
5V0L7BS
类型编号
PESD5V0L7BAS
PESD5V0L7BS
9397 750 13705
皇家飞利浦电子股份有限公司2004版权所有。
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飞利浦半导体
PESD5V0L7BAS ; PESD5V0L7BS
低电容7倍的双向ESD保护二极管阵列
5.极限值
表6：
极限值
按照绝对最大额定值系统（ IEC 60134 ） 。
符号
每二极管
P
pp
I
pp
T
j
T
AMB
T
英镑
[1]
参数
峰值脉冲功率
峰值脉冲电流
结温
环境温度
储存温度
条件
8/20
s
脉冲
8/20
s
脉冲
[1]
[1]
民
-
-
-
65
65
最大
35
2.5
150
+150
+150
单位
W
A
°C
°C
°C
非重复性电流脉冲8/20
s
根据IEC61000-4-5指数衰减波形;看
图1 。
表7：
符号
ESD
ESD最大额定值
参数
静电放电
能力
条件
IEC 61000-4-2
（接触放电）
HBM MIL- STD883
[1]
民
-
-
最大
10
10
单位
kV
kV
[1]
强调设备与十个非重复的静电放电（ ESD ）脉冲;看
图2中。
表8：
ESD标准符合性
条件
> 8千伏（接触）
＆ GT ; 4千伏
ESD标准
IEC 61000-4-2第4级（ ESD ） ;看
图2
HBM MIL - STD883 ， 3级
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皇家飞利浦电子股份有限公司2004版权所有。
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飞利浦半导体
PESD5V0L7BAS ; PESD5V0L7BS
低电容7倍的双向ESD保护二极管阵列
001aaa191
120
I
pp
(%)
80
100 % I
pp
; 8
s
001aaa630
I
pp
100 %
90 %
e
t
50 % I
pp
; 20
s
40
10 %
t
r
=
0.7到1纳秒
0
10
20
30
T（微秒）
40
30纳秒
60纳秒
t
0
图1. 8/20
s
根据脉冲波形
IEC 61000-4-5 。
图2.静电放电（ ESD ）脉冲波形
根据IEC 61000-4-2 。
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飞利浦半导体
PESD5V0L7BAS ; PESD5V0L7BS
低电容7倍的双向ESD保护二极管阵列
6.特性
表9 ：
特征
T
AMB
= 25
°
C除非另有规定ED 。
符号
每二极管
V
RWM
I
RM
V
（CL ）R
V
（ BR ）
r
DIF
C
d
相反的立场-O FF电压
反向漏电流
钳位电压
击穿电压
微分电阻
二极管电容
V
RWM
= 5 V ;看
图6
I
pp
= 1 A
I
pp
= 2.5 A
I
R
= 1毫安
I
R
= 1毫安
V
R
= 0 V ; F = 1兆赫;
SEE
图5
[1]
[1]
参数
条件
民
-
-
-
-
7.2
-
-
典型值
-
3
-
-
7.6
-
8
最大
5
25
11
17
7.9
100
10
单位
V
nA
V
V
V
pF
[1]
非重复性电流脉冲8/20
s
根据IEC61000-4-5指数衰减波形;看
图1 。
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