PESD5V0L6UAS;
PESD5V0L6US
低电容6倍的ESD保护二极管阵列
牧师02 - 2004年11月9日
产品数据表
1.产品廓
1.1概述
在小塑料封装设计，低电容6倍的ESD保护二极管阵列
保护多达六个传输线或数据线免受静电的损坏
放电（ESD ）和其他瞬变。
表1：
产品概述
包
名字
PESD5V0L6UAS
PESD5V0L6US
TSSOP8
SO8
飞利浦
SOT505-1
SOT96-1
类型编号
1.2产品特点
s
s
s
s
的六行的ESD保护
低电容二极管
马克斯。峰值脉冲功率：P
PP
= 35 W
低钳位电压： V
（CL ）R
= 15 V
s
s
s
s
超低漏电流：I
RM
= 8 nA的
高达20 kV的静电放电保护
IEC 61000-4-2第4级（ ESD ）
IEC 61000-4-5 （浪涌） ;我
PP
= 2.5 A.
1.3应用
s
计算机及外设
s
通信系统
s
音频和视频设备
s
高速数据线路
s
并行端口。
1.4快速参考数据
表2：
符号
V
RWM
C
d
快速参考数据
参数
相反的立场-O FF电压
二极管电容
V
R
= 0 V;
F = 1 MHz的
条件
民
-
-
典型值
-
16
最大
5
19
单位
V
pF
飞利浦半导体
PESD5V0L6UAS ; PESD5V0L6US
低电容6倍的ESD保护二极管阵列
2.管脚信息
表3：
针
TSSOP8
1
2
3
4
5
6
7
8
SO8
1
2
3
4
5
6
7
8
阴极1
阴极2
阴极3
阴极4
阴极5
共阳极
共阳极
阴极6
1
4
sym004
离散钉扎
描述
阴极1
阴极2
阴极3
阴极4
阴极5
共阳极
共阳极
阴极6
1
4
sym004
简化的轮廓
符号
8
5
1
2
3
4
8
7
6
5
8
5
1
2
3
4
8
7
6
5
3.订购信息
表4：
订购信息
包
名字
PESD5V0L6UAS
PESD5V0L6US
TSSOP8
SO8
描述
塑料薄小外形封装; 8线索;
体宽3毫米
塑料小外形封装; 8线索;
体宽3.9毫米
VERSION
SOT505-1
SOT96-1
类型编号
4.标记
表5：
记号
标识代码
5V06U
5V06US
类型编号
PESD5V0L6UAS
PESD5V0L6US
9397 750 13537
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PESD5V0L6UAS ; PESD5V0L6US
低电容6倍的ESD保护二极管阵列
5.极限值
表6：
极限值
按照绝对最大额定值系统（ IEC 60134 ） 。
符号
每二极管
P
PP
I
PP
T
j
T
AMB
T
英镑
[1]
[2]
参数
峰值脉冲功率
峰值脉冲电流
结温
环境温度
储存温度
条件
8/20
s
脉冲
8/20
s
脉冲
[1] [2]
[1] [2]
民
-
-
-
65
65
最大
35
2.5
150
+150
+150
单位
W
A
°C
°C
°C
非重复性电流脉冲8/20
s
根据IEC 61000-4-5指数衰减波形;
SEE
图1 。
测定从针1 ，2，3 ，4，5或8到销6或7 。
表7：
符号
ESD
ESD最大额定值
参数
静电放电
能力
条件
IEC 61000-4-2
（接触放电）
HBM MIL- STD883
[1] [2]
民
-
-
最大
20
10
单位
kV
kV
[1]
[2]
强调设备与十个非重复的静电放电（ ESD ）脉冲;看
图2中。
测定从针1 ，2，3 ，4，5或8到销6或7 。
表8：
ESD标准符合性
条件
> 15千伏（空气） ; > 8千伏（接触）
＆ GT ; 4千伏
ESD标准
IEC 61000-4-2第4级（ ESD ） ;看
图2
HBM MIL - STD883 ， 3级
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PESD5V0L6UAS ; PESD5V0L6US
低电容6倍的ESD保护二极管阵列
001aaa191
120
I
pp
(%)
80
100 % I
pp
; 8
s
001aaa630
I
pp
100 %
90 %
e
t
50 % I
pp
; 20
s
40
10 %
t
r
=
0.7到1纳秒
0
10
20
30
T（微秒）
40
30纳秒
60纳秒
t
0
图1. 8/20
s
根据脉冲波形
IEC 61000-4-5 。
图2.静电放电（ ESD ）脉冲波形
根据IEC 61000-4-2 。
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PESD5V0L6UAS ; PESD5V0L6US
低电容6倍的ESD保护二极管阵列
6.特性
表9 ：
特征
T
AMB
= 25
°
C除非另有规定ED 。
符号
每二极管
V
RWM
I
RM
V
（CL ）R
V
（ BR ）
r
DIF
C
d
相反的立场-O FF电压
反向漏电流
钳位电压
击穿电压
微分电阻
二极管电容
V
RWM
= 5 V
I
PP
= 1 A
I
PP
= 2.5 A
I
R
= 1毫安
I
R
= 1毫安
V
R
= 0 V ; F = 1兆赫;
SEE
图5
[1] [2]
[1] [2]
参数
条件
民
-
-
-
-
6.4
-
-
典型值
-
8
-
-
6.8
-
16
最大
5
25
10
15
7.2
100
19
单位
V
nA
V
V
V
pF
[1]
[2]
非重复性电流脉冲8/20
s
根据IEC 61000-4-5指数衰减波形;看
图1 。
测定各阴极之间的引脚1 ，2，3 ，4，5或8和阳极上的销6或7 。
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PESD5V0L6UAS;
PESD5V0L6US
低电容6倍的ESD保护二极管阵列
牧师03 - 2009年8月18日
产品数据表
1.产品廓
1.1概述
在小塑料封装设计，低电容6倍的ESD保护二极管阵列
保护多达六个传输线或数据线免受静电的损坏
放电（ESD ）和其他瞬变。
表1中。
产品概述
包
名字
PESD5V0L6UAS
PESD5V0L6US
TSSOP8
SO8
恩智浦
SOT505-1
SOT96-1
类型编号
1.2产品特点
I
I
I
I
的六行的ESD保护
低电容二极管
马克斯。峰值脉冲功率：P
PP
= 35 W
低钳位电压： V
（CL ）R
= 15 V
I
I
I
I
超低漏电流：I
RM
= 8 nA的
高达20 kV的静电放电保护
IEC 61000-4-2第4级（ ESD ）
IEC 61000-4-5 （浪涌） ;我
PP
= 2.5 A
1.3应用
I
计算机及外设
I
通信系统
I
音频和视频设备
I
高速数据线路
I
并行端口
1.4快速参考数据
表2中。
符号
V
RWM
C
d
快速参考数据
参数
相反的立场-O FF电压
二极管电容
V
R
= 0 V;
F = 1 MHz的
条件
民
-
-
典型值
-
16
最大
5
19
单位
V
pF
恩智浦半导体
PESD5V0L6UAS ; PESD5V0L6US
低电容6倍的ESD保护二极管阵列
2.管脚信息
表3中。
针
TSSOP8
1
2
3
4
5
6
7
8
SO8
1
2
3
4
5
6
7
8
阴极1
阴极2
阴极3
阴极4
阴极5
共阳极
共阳极
阴极6
sym004
离散钉扎
描述
阴极1
阴极2
阴极3
阴极4
阴极5
共阳极
共阳极
阴极6
sym004
简化的轮廓
符号
8
5
1
2
3
8
7
6
5
1
4
4
8
5
1
2
3
4
8
7
6
5
1
4
3.订购信息
表4 。
订购信息
包
名字
PESD5V0L6UAS
PESD5V0L6US
TSSOP8
SO8
描述
塑料薄小外形封装; 8线索;
体宽3毫米
塑料小外形封装; 8线索;
体宽3.9毫米
VERSION
SOT505-1
SOT96-1
类型编号
4.标记
表5 。
记号
标识代码
5V06U
5V06US
类型编号
PESD5V0L6UAS
PESD5V0L6US
PESD5V0L6UAS_US_3
NXP B.V. 2009保留所有权利。
产品数据表
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恩智浦半导体
PESD5V0L6UAS ; PESD5V0L6US
低电容6倍的ESD保护二极管阵列
5.极限值
表6 。
极限值
按照绝对最大额定值系统（ IEC 60134 ） 。
符号
每二极管
P
PP
I
PP
T
j
T
AMB
T
英镑
[1]
[2]
参数
峰值脉冲功率
峰值脉冲电流
结温
环境温度
储存温度
条件
8/20
s
脉冲
8/20
s
脉冲
[1][2]
[1][2]
民
-
-
-
65
65
最大
35
2.5
150
+150
+150
单位
W
A
°C
°C
°C
非重复性电流脉冲8/20
s
根据IEC 61000-4-5指数衰减波形;
SEE
图1 。
测定从针1 ，2，3 ，4，5或8到销6或7 。
表7中。
符号
ESD
ESD最大额定值
参数
静电放电
能力
条件
IEC 61000-4-2
（接触放电）
HBM MIL- STD883
[1][2]
民
-
-
最大
20
10
单位
kV
kV
[1]
[2]
强调设备与十个非重复的静电放电（ ESD ）脉冲;看
图2中。
测定从针1 ，2，3 ，4，5或8到销6或7 。
表8 。
标准
ESD标准符合性
条件
> 15千伏（空气） ; > 8千伏（接触）
＆ GT ; 4千伏
IEC 61000-4-2第4级（ ESD ） ;看
图2
HBM MIL - STD883 ， 3级
PESD5V0L6UAS_US_3
NXP B.V. 2009保留所有权利。
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恩智浦半导体
PESD5V0L6UAS ; PESD5V0L6US
低电容6倍的ESD保护二极管阵列
001aaa191
120
I
PP
(%)
80
100 % I
PP
; 8
s
001aaa630
I
pp
100 %
90 %
e
t
50 % I
PP
; 20
s
40
10 %
t
r
=
0.7到1纳秒
0
10
20
30
T（微秒）
40
30纳秒
60纳秒
t
0
图1 。
8/20
s
根据脉冲波形
IEC 61000-4-5
图2 。
静电放电（ ESD ）脉冲波形
根据IEC 61000-4-2
PESD5V0L6UAS_US_3
NXP B.V. 2009保留所有权利。
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PESD5V0L6UAS ; PESD5V0L6US
低电容6倍的ESD保护二极管阵列
6.特性
表9 。
特征
T
AMB
= 25
°
C除非另有规定编
符号
每二极管
V
RWM
I
RM
V
（CL ）R
V
（ BR ）
r
DIF
C
d
相反的立场-O FF电压
反向漏电流
钳位电压
击穿电压
微分电阻
二极管电容
V
RWM
= 5 V
I
PP
= 1 A
I
PP
= 2.5 A
I
R
= 1毫安
I
R
= 1毫安
V
R
= 0 V ; F = 1兆赫;
SEE
图5
[1][2]
[1][2]
参数
条件
民
-
-
-
-
6.4
-
-
典型值
-
8
-
-
6.8
-
16
最大
5
25
10
15
7.2
100
19
单位
V
nA
V
V
V
pF
[1]
[2]
非重复性电流脉冲8/20
s
根据IEC 61000-4-5指数衰减波形;看
图1 。
测定各阴极之间的引脚1 ，2，3 ，4，5或8和阳极上的销6或7 。
PESD5V0L6UAS_US_3
NXP B.V. 2009保留所有权利。
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5 14
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