PESDxL5UF ; PESDxL5UV ;
PESDxL5UY
低电容单向连接vefold ESD保护二极管
阵列
牧师02 - 2008年1月8日
产品数据表
1.产品廓
1.1概述
低电容单向连接vefold静电放电（ ESD ）保护二极管
在小型表面贴装器件阵列（ SMD ）塑料封装，旨在保护达
网络已经从由ESD和其他瞬态损坏的单向信号线。
表1中。
产品概述
包
恩智浦
PESD3V3L5UF
PESD5V0L5UF
PESD3V3L5UV
PESD5V0L5UV
PESD3V3L5UY
PESD5V0L5UY
SOT886
SOT886
SOT666
SOT666
SOT363
SOT363
JEITA
-
-
-
-
SC-88
SC-88
JEDEC
MO-252
MO-252
-
-
-
-
无铅超小
无铅超小
超小扁平的铅
超小扁平的铅
非常小
非常小
包装CON组fi guration
类型编号
1.2产品特点
I
I
I
I
高达科幻ESD保护已经行
低电容二极管
马克斯。峰值脉冲功率：P
PP
= 25 W
低钳位电压： V
CL
= 12 V
I
I
I
I
超低漏电流：I
RM
= 5 NA
ESD保护高达20 kV的
IEC 61000-4-2 ; 4级（ ESD ）
IEC 61000-4-5 （浪涌） ;我
PP
= 2.5 A
1.3应用
I
计算机及外设
I
音频和视频设备
I
手机及配件
I
通信系统
I
便携式电子产品
I
订户身份模块（ SIM）卡
保护
恩智浦半导体
PESDxL5UF/V/Y
低电容单向连接vefold ESD保护二极管阵列
1.4快速参考数据
表2中。
快速参考数据
T
AMB
= 25
°
C除非另有规定ED 。
符号
每二极管
V
RWM
反向断态电压
PESD3V3L5UF
PESD3V3L5UV
PESD3V3L5UY
PESD5V0L5UF
PESD5V0L5UV
PESD5V0L5UY
C
d
二极管电容
PESD3V3L5UF
PESD3V3L5UV
PESD3V3L5UY
PESD5V0L5UF
PESD5V0L5UV
PESD5V0L5UY
F = 1兆赫; V
R
= 0 V
-
22
28
pF
-
-
3.3
V
参数
条件
民
典型值
最大
单位
-
-
5.0
V
-
16
19
pF
2.管脚信息
表3中。
针
1
2
3
4
5
6
钉扎
描述
阴极（二极管1 ）
共阳极
阴极（二极管2 ）
阴极（二极管3 ）
阴极（二极管4 ）
阴极（二极管5 ）
6
5
底部视图
4
1
2
3
1
2
3
006aaa159
简化的轮廓
符号
PESD3V3L5UF ; PESD5V0L5UF
6
5
4
PESD3V3L5UV ; PESD5V0L5UV
1
2
3
4
5
6
阴极（二极管1 ）
共阳极
阴极（二极管2 ）
阴极（二极管3 ）
阴极（二极管4 ）
阴极（二极管5 ）
1
2
3
6
5
4
1
2
3
006aaa159
6
5
4
PESDXL5UF_V_Y_2
NXP B.V. 2008保留所有权利。
产品数据表
牧师02 - 2008年1月8日
2 17
恩智浦半导体
PESDxL5UF/V/Y
低电容单向连接vefold ESD保护二极管阵列
钉扎
- 续
描述
阴极（二极管1 ）
共阳极
阴极（二极管2 ）
阴极（二极管3 ）
阴极（二极管4 ）
阴极（二极管5 ）
1
2
3
6
5
4
1
2
3
006aaa159
表3中。
针
1
2
3
4
5
6
简化的轮廓
符号
PESD3V3L5UY ; PESD5V0L5UY
6
5
4
3.订购信息
表4 。
订购信息
包
名字
PESD3V3L5UF
PESD5V0L5UF
PESD3V3L5UV
PESD5V0L5UV
PESD3V3L5UY
PESD5V0L5UY
SC-88
塑料表面贴装封装; 6引线
SOT363
-
XSON6
描述
塑料非常薄小外形封装;
没有线索; 6终端;体1
×
1.45
×
0.5 mm
塑料表面贴装封装; 6引线
VERSION
SOT886
SOT666
类型编号
4.标记
表5 。
标记代码
标识代码
[1]
A1
A2
E1
E2
K3*
K4*
类型编号
PESD3V3L5UF
PESD5V0L5UF
PESD3V3L5UV
PESD5V0L5UV
PESD3V3L5UY
PESD5V0L5UY
[1]
* = - ：香港制造
* = P ：香港制造
* = T：在马来西亚
* = W ：中国制造
PESDXL5UF_V_Y_2
NXP B.V. 2008保留所有权利。
产品数据表
牧师02 - 2008年1月8日
3 17
恩智浦半导体
PESDxL5UF/V/Y
低电容单向连接vefold ESD保护二极管阵列
5.极限值
表6 。
极限值
按照绝对最大额定值系统（ IEC 60134 ） 。
符号
每二极管
P
PP
I
PP
每个器件
T
j
T
AMB
T
英镑
[1]
[2]
参数
峰值脉冲功率
峰值脉冲电流
结温
环境温度
储存温度
条件
t
p
= 8/20
s
t
p
= 8/20
s
[1][2]
[1][2]
民
-
-
-
65
65
最大
25
2.5
150
+150
+150
单位
W
A
°C
°C
°C
非重复性电流脉冲8/20
s
根据IEC 61000-4-5指数衰减波形。
测量从脚1， 3，4， 5或6到管脚2 。
表7中。
ESD最大额定值
T
AMB
= 25
°
C除非另有规定ED 。
符号
每二极管
V
ESD
静电放电电压
IEC 61000-4-2
（接触放电）
MIL -STD- 883 （人
人体模型）
[1]
[2]
强调设备与十个非重复的ESD脉冲。
测量从脚1， 3，4， 5或6到管脚2 。
[1][2]
参数
条件
民
-
-
最大
20
10
单位
kV
kV
表8 。
标准
每二极管
ESD标准符合性
条件
> 15千伏（空气） ; > 8千伏（接触）
＆ GT ; 4千伏
IEC 61000-4-2 ; 4级（ ESD ）
MIL -STD- 883 ;第3类（人体模型）
PESDXL5UF_V_Y_2
NXP B.V. 2008保留所有权利。
产品数据表
牧师02 - 2008年1月8日
4 17
分立半导体
数据表
书， halfpage
MBD128
PESD3V3L5UY ; PESD5V0L5UY
低电容5倍的ESD
在SOT363保护二极管阵列
包
产品speci fi cation
2004年03月23日
飞利浦半导体
产品speci fi cation
低电容5倍的ESD保护
在SOT363封装的二极管阵列
特点
高达五线单向ESD保护
最多四行双向ESD保护
低电容二极管
最大峰值脉冲功率：P
pp
= 25在T W＆
p
= 8/20
s
低钳位电压： V
CL （R）的
= 12 V ，在我
pp
= 2.5 A
超低漏电流：I
RM
= 8 nA的在V
RWM
= 5 V
ESD保护> 20千伏
IEC 61000-4-2 ; 4级（ ESD ）
IEC 61000-4-5 （浪涌） ;我
pp
= 2.5 A在T
p
= 8/20
s.
钉扎
应用
手机及配件
便携式电子产品
计算机及外设
通信系统
音频和视频设备。
描述
低电容5倍的ESD保护阵列中的很
小型SOT363塑料封装，旨在保护达
由所造成的损害5传输或数据线
静电放电（ ESD ） 。
记号
类型编号
PESD3V3L5UY
PESD5V0L5UY
记
1. * = P ：香港制造。
* = T：在马来西亚进行。
* = W ：中国制造。
订购信息
包
类型编号
名字
PESD3V3L5UY
PESD5V0L5UY
描述
塑料表面贴装封装; 6引线
塑料表面贴装封装; 6引线
标识代码
(1)
*K3
*K4
1
2
3
001aaa212
PESD3V3L5UY;
PESD5V0L5UY
快速参考数据
符号
V
RWM
参数
反向断态电压
PESD3V3L5UY
PESD5V0L5UY
C
d
二极管电容
PESD3V3L5UY
PESD5V0L5UY
22
16
pF
pF
3.3
5
V
V
价值
单位
保护线5号
针
1
2
3
4
5
6
阴极1
描述
共阳极
阴极2
阴极3
阴极4
阴极5
6
5
4
1
3
4
5
6
2
sym011
Fig.1简化外形（ SOT363 ）和符号。
VERSION
SOT363
SOT363
2004年03月23日
2
飞利浦半导体
产品speci fi cation
低电容5倍的ESD保护
在SOT363封装的二极管阵列
极限值
按照绝对最大额定值系统（ IEC 60134 ） 。
符号
每二极管
P
pp
I
pp
T
j
T
AMB
T
英镑
笔记
1.非重复性电流脉冲8/20
s
指数衰减波形;见图2 。
2.测从任何引脚1 ，3，4 ， 5或6到管脚2 。
ESD最大额定值
符号
每二极管
ESD
静电放电能力
IEC 61000-4-2 （接触放电） ;
注1和2
HBM MIL -STD 883
笔记
1.设备强调十个不重复的静电放电（ ESD ）脉冲;见图3 。
2.测从任何引脚1 ，3，4 ， 5或6到管脚2 。
ESD标准符合性
ESD标准
IEC 61000-4-2第4级（ ESD ）
HBM MIL -STD 883 ，第3类
＆ GT ; 4千伏
参数
条件
峰值脉冲功率
峰值脉冲电流
结温
工作环境温度
储存温度
8/20
s
脉冲;注1和2
8/20
s
脉冲;注1和2
65
65
参数
条件
PESD3V3L5UY;
PESD5V0L5UY
分钟。
马克斯。
单位
25
2.5
150
+150
+150
W
A
°C
°C
°C
价值
单位
20
10
kV
kV
条件
> 15千伏（空气） ; > 8千伏（接触）
2004年03月23日
3
飞利浦半导体
产品speci fi cation
低电容5倍的ESD保护
在SOT363封装的二极管阵列
特征
T
j
= 25
°C
除非另有规定ED 。
符号
每二极管
V
RWM
相反的立场-O FF电压
PESD3V3L5UY
PESD5V0L5UY
I
RM
反向漏电流
PESD3V3L5UY
PESD5V0L5UY
V
BR
击穿电压
PESD3V3L5UY
PESD5V0L5UY
C
d
二极管电容
PESD3V3L5UY
PESD5V0L5UY
V
CL （R）的
钳位电压
PESD3V3L5UY
PESD5V0L5UY
r
差异
微分电阻
PESD3V3L5UY
PESD5V0L5UY
笔记
1.非重复性电流脉冲8/20
s
指数衰减波形;见图2 。
2.测从任何引脚1 ，3，4 ， 5或6到管脚2 。
注1和2
I
pp
= 1 A
I
pp
= 2.5 A
I
pp
= 1 A
I
pp
= 2.5 A
I
R
= 1毫安
F = 1兆赫; V
R
= 0 V;
见图5
V
RWM
= 3.3 V
V
RWM
= 5 V
I
Z
= 1毫安
5.3
6.4
参数
条件
分钟。
PESD3V3L5UY;
PESD5V0L5UY
典型值。
马克斯。
单位
3.3
5
300
25
5.9
7.2
28
19
10
12
10
12
200
100
V
V
nA
nA
V
V
pF
pF
V
V
V
V
75
5
5.6
6.8
22
16
2004年03月23日
5
分立半导体
数据表
书， halfpage
MBD128
PESD3V3L5UY ; PESD5V0L5UY
低电容5倍的ESD
在SOT363保护二极管阵列
包
产品speci fi cation
2004年03月23日
飞利浦半导体
产品speci fi cation
低电容5倍的ESD保护
在SOT363封装的二极管阵列
特点
高达五线单向ESD保护
最多四行双向ESD保护
低电容二极管
最大峰值脉冲功率：P
pp
= 25在T W＆
p
= 8/20
s
低钳位电压： V
CL （R）的
= 12 V ，在我
pp
= 2.5 A
超低漏电流：I
RM
= 8 nA的在V
RWM
= 5 V
ESD保护> 20千伏
IEC 61000-4-2 ; 4级（ ESD ）
IEC 61000-4-5 （浪涌） ;我
pp
= 2.5 A在T
p
= 8/20
s.
钉扎
应用
手机及配件
便携式电子产品
计算机及外设
通信系统
音频和视频设备。
描述
低电容5倍的ESD保护阵列中的很
小型SOT363塑料封装，旨在保护达
由所造成的损害5传输或数据线
静电放电（ ESD ） 。
记号
类型编号
PESD3V3L5UY
PESD5V0L5UY
记
1. * = P ：香港制造。
* = T：在马来西亚进行。
* = W ：中国制造。
订购信息
包
类型编号
名字
PESD3V3L5UY
PESD5V0L5UY
描述
塑料表面贴装封装; 6引线
塑料表面贴装封装; 6引线
标识代码
(1)
*K3
*K4
1
2
3
001aaa212
PESD3V3L5UY;
PESD5V0L5UY
快速参考数据
符号
V
RWM
参数
反向断态电压
PESD3V3L5UY
PESD5V0L5UY
C
d
二极管电容
PESD3V3L5UY
PESD5V0L5UY
22
16
pF
pF
3.3
5
V
V
价值
单位
保护线5号
针
1
2
3
4
5
6
阴极1
描述
共阳极
阴极2
阴极3
阴极4
阴极5
6
5
4
1
3
4
5
6
2
sym011
Fig.1简化外形（ SOT363 ）和符号。
VERSION
SOT363
SOT363
2004年03月23日
2
飞利浦半导体
产品speci fi cation
低电容5倍的ESD保护
在SOT363封装的二极管阵列
极限值
按照绝对最大额定值系统（ IEC 60134 ） 。
符号
每二极管
P
pp
I
pp
T
j
T
AMB
T
英镑
笔记
1.非重复性电流脉冲8/20
s
指数衰减波形;见图2 。
2.测从任何引脚1 ，3，4 ， 5或6到管脚2 。
ESD最大额定值
符号
每二极管
ESD
静电放电能力
IEC 61000-4-2 （接触放电） ;
注1和2
HBM MIL -STD 883
笔记
1.设备强调十个不重复的静电放电（ ESD ）脉冲;见图3 。
2.测从任何引脚1 ，3，4 ， 5或6到管脚2 。
ESD标准符合性
ESD标准
IEC 61000-4-2第4级（ ESD ）
HBM MIL -STD 883 ，第3类
＆ GT ; 4千伏
参数
条件
峰值脉冲功率
峰值脉冲电流
结温
工作环境温度
储存温度
8/20
s
脉冲;注1和2
8/20
s
脉冲;注1和2
65
65
参数
条件
PESD3V3L5UY;
PESD5V0L5UY
分钟。
马克斯。
单位
25
2.5
150
+150
+150
W
A
°C
°C
°C
价值
单位
20
10
kV
kV
条件
> 15千伏（空气） ; > 8千伏（接触）
2004年03月23日
3
飞利浦半导体
产品speci fi cation
低电容5倍的ESD保护
在SOT363封装的二极管阵列
特征
T
j
= 25
°C
除非另有规定ED 。
符号
每二极管
V
RWM
相反的立场-O FF电压
PESD3V3L5UY
PESD5V0L5UY
I
RM
反向漏电流
PESD3V3L5UY
PESD5V0L5UY
V
BR
击穿电压
PESD3V3L5UY
PESD5V0L5UY
C
d
二极管电容
PESD3V3L5UY
PESD5V0L5UY
V
CL （R）的
钳位电压
PESD3V3L5UY
PESD5V0L5UY
r
差异
微分电阻
PESD3V3L5UY
PESD5V0L5UY
笔记
1.非重复性电流脉冲8/20
s
指数衰减波形;见图2 。
2.测从任何引脚1 ，3，4 ， 5或6到管脚2 。
注1和2
I
pp
= 1 A
I
pp
= 2.5 A
I
pp
= 1 A
I
pp
= 2.5 A
I
R
= 1毫安
F = 1兆赫; V
R
= 0 V;
见图5
V
RWM
= 3.3 V
V
RWM
= 5 V
I
Z
= 1毫安
5.3
6.4
参数
条件
分钟。
PESD3V3L5UY;
PESD5V0L5UY
典型值。
马克斯。
单位
3.3
5
300
25
5.9
7.2
28
19
10
12
10
12
200
100
V
V
nA
nA
V
V
pF
pF
V
V
V
V
75
5
5.6
6.8
22
16
2004年03月23日
5
QQ：2881677436 复制
