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PESD5V0L1ULD
低电容单向ESD保护二极管
第1版 - 2011年4月19日
产品数据表
1.产品廓
1.1概述
低电容单向的静电放电( ESD )保护二极管设计
以防止由ESD和其他瞬变的损坏一条信号线。该
设备装在一个SOD882D无铅超小型表面贴装器件( SMD )
塑料封装,可见和可焊性侧焊盘。
1.2特点和优点
一条线的ESD保护
超小型SMD塑料包装
可焊性侧焊盘
封装高度(典型值) 。 0.37毫米
低二极管电容C
d
= 25 pF的
AEC- Q101对外贸易资质网络编辑
ESD保护高达26 kV的
IEC 61000-4-2 ; 4级( ESD )
IEC 61000-4-5 (浪涌) ;我
PP
= 3.5 A
低钳位电压: V
CL
= 12 V
1.3应用
计算机及外设
音频和视频设备
通信系统
便携式电子产品
1.4快速参考数据
表1中。
符号
V
RWM
C
d
快速参考数据
参数
反向断态电压
二极管电容
F = 1兆赫; V
R
= 0 V
条件
-
-
典型值
-
25
最大
5
30
单位
V
pF
恩智浦半导体
PESD5V0L1ULD
低电容单向ESD保护二极管
2.管脚信息
表2中。
1
2
钉扎
描述
阴极
阳极
[1]
简化的轮廓
图形符号
1
2
1
2
006aaa152
透明
顶视图
[1]
标记栏显示的阴极。
3.订购信息
表3中。
订购信息
名字
PESD5V0L1ULD
-
描述
无铅超小型塑料封装; 2接线端子;
体1
×
0.6
×
0.4 mm
VERSION
SOD882D
类型编号
4.标记
表4 。
标记代码
标识代码
[1]
1110 0000
类型编号
PESD5V0L1ULD
[1]
对于SOD882D二进制代码标记说明,请参见
图1 。
4.1二进制标记的代码说明
阴极棒
阅读方向
供应商代码
阅读示范:
0111
1011
标识代码
(例)
阅读方向
006aac477
图1 。
SOD882D二进制标记的代码说明
PESD5V0L1ULD
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2 12
恩智浦半导体
PESD5V0L1ULD
低电容单向ESD保护二极管
5.极限值
表5 。
极限值
按照绝对最大额定值系统( IEC 60134 ) 。
符号
P
PP
I
PP
T
j
T
AMB
T
英镑
[1]
[2]
参数
峰值脉冲功率
峰值脉冲电流
结温
环境温度
储存温度
条件
t
p
= 8/20
μs
t
p
= 8/20
μs
[1][2]
[1][2]
-
-
-
55
65
最大
42
3.5
150
+150
+150
单位
W
A
°C
°C
°C
非重复性电流脉冲8/20
μs
根据IEC 61000-4-5指数衰减波形。
从测针1 2 。
表6 。
ESD最大额定值
T
AMB
= 25
°
C除非另有规定ED 。
符号
V
ESD
参数
静电
放电电压
条件
IEC 61000-4-2
(接触放电)
机器型号
MIL-STD-883
(人体模型)
[1]
[2]
强调设备与十个非重复的ESD脉冲。
从测针1 2 。
[2]
[1][2]
-
-
-
最大
26
400
10
单位
kV
V
kV
表7中。
标准
ESD标准符合性
条件
> 15千伏(空气) ; > 8千伏(接触)
& GT ; 4千伏
IEC 61000-4-2 ; 4级( ESD )
MIL -STD- 883 ;第3类(人体模型)
PESD5V0L1ULD
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3 12
恩智浦半导体
PESD5V0L1ULD
低电容单向ESD保护二极管
001aaa631
120
I
PP
(%)
80
100 % I
PP
; 8
μs
001aaa630
I
PP
100 %
90 %
e
t
50 % I
PP
; 20
μs
40
10 %
t
r
=
0.7 ns至1纳秒
0
10
20
30
T(微秒)
40
30纳秒
60纳秒
t
0
图2 。
8/20
μs
根据脉冲波形
IEC 61000-4-5
图3 。
根据ESD脉冲波形
IEC 61000-4-2
6.特性
表8 。
特征
T
AMB
= 25
°
C除非另有规定ED 。
符号参数
V
RWM
I
RM
V
BR
C
d
V
CL
反向隔离
电压
反向漏电流V
RWM
= 5 V
击穿电压
二极管电容
钳位电压
I
PP
= 1 A
I
PP
= 3.5 A
r
DYN
[1]
[2]
[3]
条件
-
-
6.4
-
[1][2]
典型值
-
10
6.8
25
-
-
0.7
最大
5
100
7.2
30
9
12
-
单位
V
nA
V
pF
V
V
Ω
I
R
= 5毫安
F = 1兆赫; V
R
= 0 V
-
-
[3]
动态电阻
I
R
= 10 A
-
非重复性电流脉冲8/20
μs
根据IEC 61000-4-5指数衰减波形。
从测针1 2 。
非重复性电流脉冲,传输线路脉冲( TLP )T
p
= 100纳秒;方波脉冲;
ANS / IESD STM5-1-2008 。
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4 12
恩智浦半导体
PESD5V0L1ULD
低电容单向ESD保护二极管
35
C
d
(PF )
30
006aab565
10
006aac525
I
RM
I
RM ( 25 ° C)
25
1
20
15
10
0
1
2
3
4
V
R
(V)
5
10
–1
–75
–25
25
75
125
T
j
(°C)
175
F = 1兆赫;牛逼
AMB
= 25
°C
图4 。
二极管电容反向的函数
电压;典型值
图5 。
反向漏电流相对变化
作为结点温度的函数;典型
I
V
CL
V
BR
V
RWM
I
RM
I
R
P -N
V
+
I
PP
006aaa407
图6 。
VI特性单向ESD保护二极管
PESD5V0L1ULD
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5 12
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    联系人:杨小姐
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    -
    -
    -
    -
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