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位置：首页 > IC型号导航 > 首字符P型号页 > 首字符P的型号第189页 > PESD3V3U1UT
PESDxU1UT系列
采用SOT23封装的超低电容ESD保护二极管
牧师02 - 2009年8月20日
产品数据表
1.产品廓
1.1概述
超低电容静电放电（ ESD）采用SOT23保护二极管
（ TO- 236AB ）小型SMD塑料包装设计，保护一条高速数据线
免受ESD和其他瞬变的损害。
1.2产品特点
I
I
I
I
一条线的单向ESD保护
超低二极管电容：C
d
= 0.6 pF的
马克斯。峰值脉冲功率：P
PP
高达200瓦
低钳位电压
I
ESD保护> 23千伏
I
IEC 61000-4-2 ; 4级（ ESD ）
I
IEC 61000-4-5 ; （浪涌）
1.3应用
I
10/100/1000以太网
I
火线
I
通信系统
I
本地局域网（LAN ）设备
I
计算机及外设
I
高速数据线
1.4快速参考数据
表1中。
符号
V
RWM
快速参考数据
参数
相反的立场-O FF电压
PESD3V3U1UT
PESD5V0U1UT
PESD12VU1UT
PESD15VU1UT
PESD24VU1UT
C
d
[1]
条件
民
-
-
-
-
-
典型值
-
-
-
-
-
0.6
最大
3.3
5.0
12
15
24
1.5
单位
V
V
V
V
V
pF
二极管电容
从测针1 2
F = 1兆赫; V
R
= 0 V
[1]
-
恩智浦半导体
PESDxU1UT系列
采用SOT23封装的超低电容ESD保护二极管
2.管脚信息
表2中。
针
1
2
3
钉扎
描述
阴极ESD保护二极管
阴极补偿二极管
共阳极
1
2
1
2
006aaa441
简化的轮廓
3
符号
3
3.订购信息
表3中。
订购信息
包
名字
PESD3V3U1UT
PESD5V0U1UT
PESD12VU1UT
PESD15VU1UT
PESD24VU1UT
-
描述
塑料表面贴装封装; 3引线
VERSION
SOT23
类型编号
4.标记
表4 。
标记代码
标识代码
[1]
* AP
* AQ
* AR
*由于
*在
类型编号
PESD3V3U1UT
PESD5V0U1UT
PESD12VU1UT
PESD15VU1UT
PESD24VU1UT
[1]
* = - ：香港制造
* = P ：香港制造
* = T：在马来西亚
* = W ：中国制造
PESDXU1UT_SER_2
NXP B.V. 2009保留所有权利。
产品数据表
牧师02 - 2009年8月20日
2 13
恩智浦半导体
PESDxU1UT系列
采用SOT23封装的超低电容ESD保护二极管
5.极限值
表5 。
极限值
按照绝对最大额定值系统（ IEC 60134 ） 。
符号
P
PP
参数
峰值脉冲功率
PESD3V3U1UT
PESD5V0U1UT
PESD12VU1UT
PESD15VU1UT
PESD24VU1UT
I
PP
峰值脉冲电流
PESD3V3U1UT
PESD5V0U1UT
PESD12VU1UT
PESD15VU1UT
PESD24VU1UT
T
j
T
AMB
T
英镑
[1]
条件
8/20
s
[1]
民
-
-
-
-
-
最大
80
80
200
200
200
5
5
5
5
3
150
+150
+150
单位
W
W
W
W
W
A
A
A
A
A
°C
°C
°C
8/20
s
[1]
-
-
-
-
-
-
65
65
结温
环境温度
储存温度
非重复性电流脉冲8/20
s
根据IEC 61000-4-5指数衰减波形。
PESDXU1UT_SER_2
NXP B.V. 2009保留所有权利。
产品数据表
牧师02 - 2009年8月20日
3 13
恩智浦半导体
PESDxU1UT系列
采用SOT23封装的超低电容ESD保护二极管
ESD最大额定值
参数
静电放电电压
PESD3V3U1UT
PESD5V0U1UT
PESD12VU1UT
PESD15VU1UT
PESD24VU1UT
PESDxU1UT
HBM MIL -STD- 883
条件
IEC 61000-4-2
（接触放电）
[1][2]
表6 。
符号
V
ESD
民
最大
单位
-
-
-
-
-
-
30
30
30
30
23
10
kV
kV
kV
kV
kV
kV
[1]
[2]
强调设备与十个非重复的ESD脉冲。
从测针1 2
表7中。
标准
ESD标准符合性
条件
> 15千伏（空气） ; > 8千伏（接触）
＆ GT ; 4千伏
IEC 61000-4-2 ; 4级（ ESD ）
HBM MIL -STD- 883 ; 3级
001aaa631
120
I
PP
(%)
80
100 % I
PP
; 8
s
001aaa630
I
PP
100 %
90 %
e
t
50 % I
PP
; 20
s
40
10 %
t
r
=
0.7 ns至1纳秒
0
10
20
30
T（微秒）
40
30纳秒
60纳秒
t
0
图1 。
8/20
s
根据脉冲波形
IEC 61000-4-5
图2 。
根据ESD脉冲波形
IEC 61000-4-2
PESDXU1UT_SER_2
NXP B.V. 2009保留所有权利。
产品数据表
牧师02 - 2009年8月20日
4 13
恩智浦半导体
PESDxU1UT系列
采用SOT23封装的超低电容ESD保护二极管
6.特性
表8 。
特征
T
AMB
= 25
°
C除非另有规定编
符号
V
RWM
参数
相反的立场-O FF电压
PESD3V3U1UT
PESD5V0U1UT
PESD12VU1UT
PESD15VU1UT
PESD24VU1UT
I
RM
反向漏电流
PESD3V3U1UT
PESD5V0U1UT
PESD12VU1UT
PESD15VU1UT
PESD24VU1UT
V
BR
击穿电压
PESD3V3U1UT
PESD5V0U1UT
PESD12VU1UT
PESD15VU1UT
PESD24VU1UT
C
d
V
CL
二极管电容
钳位电压
PESD3V3U1UT
PESD5V0U1UT
PESD12VU1UT
PESD15VU1UT
PESD24VU1UT
r
DIF
微分电阻
PESD3V3U1UT
PESD5V0U1UT
PESD12VU1UT
PESD15VU1UT
PESD24VU1UT
[1]
[2]
条件
民
-
-
-
-
-
典型值
-
-
-
-
-
0.25
0.03
<1
<1
<1
6.4
7.6
15.0
18.9
27.8
0.6
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
最大
3.3
5.0
12
15
24
2
1
50
50
50
6.9
8.2
16.7
20.3
30.3
1.5
9
20
12
21
23
39
28
53
40
76
400
80
200
225
300
单位
V
V
V
V
V
A
A
nA
nA
nA
V
V
V
V
V
pF
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
RWM
= 3.3 V
V
RWM
= 5.0 V
V
RWM
= 12 V
V
RWM
= 15 V
V
RWM
= 24 V
I
R
= 5毫安
[2]
-
-
-
-
-
5.8
7.0
14.2
17.1
25.4
F = 1兆赫; V
R
= 0 V
I
PP
= 1 A
I
PP
= 5 A
I
PP
= 1 A
I
PP
= 5 A
I
PP
= 1 A
I
PP
= 5 A
I
PP
= 1 A
I
PP
= 5 A
I
PP
= 1 A
I
PP
= 3 A
I
R
= 1毫安
[2]
[1][2]
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
非重复性电流脉冲8/20
s
根据IEC 61000-4-5指数衰减波形。
从测针1 2
NXP B.V. 2009保留所有权利。
PESDXU1UT_SER_2
产品数据表
牧师02 - 2009年8月20日
5 13
PESDxU1UT系列
采用SOT23封装的超低电容ESD保护二极管
版本01 - 2005年5月11日
产品数据表
1.产品廓
1.1概述
超低电容静电放电（ ESD）采用SOT23保护二极管
（ TO- 236AB ）小型SMD塑料包装设计，保护一条高速数据线
免受ESD和其他瞬变的损害。
1.2产品特点
s
s
s
s
一条线的单向ESD保护
超低二极管电容：C
d
= 0.6 pF的
马克斯。峰值脉冲功率：P
PP
高达200瓦
低钳位电压
s
ESD保护> 23千伏
s
IEC 61000-4-2 ; 4级（ ESD ）
s
IEC 61000-4-5 ; （浪涌）
1.3应用
s
10/100/1000以太网
s
火线
s
通信系统
s
本地局域网（LAN ）设备
s
计算机及外设
s
高速datalines
1.4快速参考数据
表1：
符号
V
RWM
快速参考数据
参数
相反的立场-O FF电压
PESD3V3U1UT
PESD5V0U1UT
PESD12VU1UT
PESD15VU1UT
PESD24VU1UT
C
d
[1]
条件
民
-
-
-
-
-
典型值
-
-
-
-
-
0.6
最大
3.3
5.0
12
15
24
1.5
单位
V
V
V
V
V
pF
二极管电容
从测针1 2
F = 1兆赫; V
R
= 0 V
[1]
-
飞利浦半导体
PESDxU1UT系列
采用SOT23封装的超低电容ESD保护二极管
2.管脚信息
表2：
针
1
2
3
钉扎
描述
阴极ESD保护二极管
阴极补偿二极管
共阳极
1
2
1
2
006aaa441
简化的轮廓
3
符号
3
3.订购信息
表3：
订购信息
包
名字
PESD3V3U1UT
PESD5V0U1UT
PESD12VU1UT
PESD15VU1UT
PESD24VU1UT
-
描述
塑料表面贴装封装; 3引线
VERSION
SOT23
类型编号
4.标记
表4：
标记代码
标识代码
[1]
* AP
* AQ
* AR
*由于
*在
类型编号
PESD3V3U1UT
PESD5V0U1UT
PESD12VU1UT
PESD15VU1UT
PESD24VU1UT
[1]
* = - ：香港制造
* = P ：香港制造
* = T：在马来西亚
* = W ：中国制造
9397 750 14912
皇家飞利浦电子有限公司2005年版权所有。
产品数据表
版本01 - 2005年5月11日
2 13
飞利浦半导体
PESDxU1UT系列
采用SOT23封装的超低电容ESD保护二极管
5.极限值
表5：
极限值
按照绝对最大额定值系统（ IEC 60134 ） 。
符号
P
PP
参数
峰值脉冲功率
PESD3V3U1UT
PESD5V0U1UT
PESD12VU1UT
PESD15VU1UT
PESD24VU1UT
I
PP
峰值脉冲电流
PESD3V3U1UT
PESD5V0U1UT
PESD12VU1UT
PESD15VU1UT
PESD24VU1UT
T
j
T
AMB
T
英镑
[1]
条件
8/20
s
[1]
民
-
-
-
-
-
最大
80
80
200
200
200
5
5
5
5
3
150
+150
+150
单位
W
W
W
W
W
A
A
A
A
A
°C
°C
°C
8/20
s
[1]
-
-
-
-
-
-
65
65
结温
环境温度
储存温度
非重复性电流脉冲8/20
s
根据IEC 61000-4-5指数衰减波形。
9397 750 14912
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产品数据表
版本01 - 2005年5月11日
3 13
飞利浦半导体
PESDxU1UT系列
采用SOT23封装的超低电容ESD保护二极管
ESD最大额定值
参数
静电放电电压
PESD3V3U1UT
PESD5V0U1UT
PESD12VU1UT
PESD15VU1UT
PESD24VU1UT
PESDxU1UT
HBM MIL -STD- 883
条件
IEC 61000-4-2
（接触放电）
[1] [2]
表6：
符号
V
ESD
民
最大
单位
-
-
-
-
-
-
30
30
30
30
23
10
kV
kV
kV
kV
kV
kV
[1]
[2]
强调设备与十个非重复的ESD脉冲。
从测针1 2
表7：
标准
ESD标准符合性
条件
> 15千伏（空气） ; > 8千伏（接触）
＆ GT ; 4千伏
IEC 61000-4-2 ; 4级（ ESD ）
HBM MIL -STD- 883 ; 3级
001aaa631
120
I
PP
(%)
80
100 % I
PP
; 8
s
001aaa630
I
PP
100 %
90 %
e
t
50 % I
PP
; 20
s
40
10 %
t
r
=
0.7 ns至1纳秒
0
10
20
30
T（微秒）
40
30纳秒
60纳秒
t
0
图1. 8/20
s
根据脉冲波形
IEC 61000-4-5
根据图2的ESD脉冲波形
IEC 61000-4-2
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版本01 - 2005年5月11日
4 13
飞利浦半导体
PESDxU1UT系列
采用SOT23封装的超低电容ESD保护二极管
6.特性
表8：
特征
T
AMB
= 25
°
C除非另有规定ED 。
符号
V
RWM
参数
相反的立场-O FF电压
PESD3V3U1UT
PESD5V0U1UT
PESD12VU1UT
PESD15VU1UT
PESD24VU1UT
I
RM
反向漏电流
PESD3V3U1UT
PESD5V0U1UT
PESD12VU1UT
PESD15VU1UT
PESD24VU1UT
V
BR
击穿电压
PESD3V3U1UT
PESD5V0U1UT
PESD12VU1UT
PESD15VU1UT
PESD24VU1UT
C
d
V
CL
二极管电容
钳位电压
PESD3V3U1UT
PESD5V0U1UT
PESD12VU1UT
PESD15VU1UT
PESD24VU1UT
r
DIF
微分电阻
PESD3V3U1UT
PESD5V0U1UT
PESD12VU1UT
PESD15VU1UT
PESD24VU1UT
[1]
[2]
条件
民
-
-
-
-
-
典型值
-
-
-
-
-
0.25
0.03
<1
<1
<1
6.4
7.6
15.0
18.9
27.8
0.6
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
最大
3.3
5.0
12
15
24
2
1
50
50
50
6.9
8.2
16.7
20.3
30.3
1.5
9
20
12
21
23
39
28
53
40
76
400
80
200
225
300
单位
V
V
V
V
V
A
A
nA
nA
nA
V
V
V
V
V
pF
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
RWM
= 3.3 V
V
RWM
= 5.0 V
V
RWM
= 12 V
V
RWM
= 15 V
V
RWM
= 24 V
I
R
= 5毫安
[2]
-
-
-
-
-
5.8
7.0
14.2
17.1
25.4
F = 1兆赫; V
R
= 0 V
I
PP
= 1 A
I
PP
= 5 A
I
PP
= 1 A
I
PP
= 5 A
I
PP
= 1 A
I
PP
= 5 A
I
PP
= 1 A
I
PP
= 5 A
I
PP
= 1 A
I
PP
= 3 A
I
R
= 1毫安
[2]
[1] [2]
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
非重复性电流脉冲8/20
s
根据IEC 61000-4-5指数衰减波形。
从测针1 2
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PE4075
PG1255
PI74FCT2193TQ
PAL16L10
PIC16F508E/PG
PIC16CR72-04E/JW
PIC12LCR509AT-04I/SN
PI74FCT162245ATSP
PC303-12
PIC16F610-I/PQTP
PT-H7
PRV61QWHK
PI6C2408-3
PMB2210T
PSD954F2-12J
PSD914F5V-12MIT
PZ8GG-0505E
PI74FCT162540TSP
PE83C92C
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    联系人：杨小姐
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    PESD3V3U1UT
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    -
    -
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电话：0755-83244680/82865294
联系人：吴小姐
地址：深圳市福田区华强北电子科技大厦A座36楼C09室
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68500
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电话：0755-83987779
联系人：洪小姐
地址：福田区中航路都会电子城2C020A室（本公司可以开13%增票，3%增票和普票）
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2023+PB
98000
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★专业经营贴片二，三极管，桥堆★现货库存低价抛售★
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电话：0755-23612326
联系人：唐
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2019
79600
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原装正品 钻石品质 假一赔十
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电话：13410941925
联系人：李先生【原装正品,可开发票】
地址：深圳市福田区福田街道岗厦社区彩田路3069号星河世纪A栋1511A12
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219000
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