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PESD3V3U1UA;
PESD3V3U1UB ; PESD3V3U1UL
超低电容单向ESD保护二极管
牧师01 - 二零零八年十月三十○日
产品数据表
1.产品廓
1.1概述
超低电容单向的静电放电（ ESD ）保护二极管
小型表面贴装器件（ SMD ）塑料封装，旨在保护一个信号
线免受ESD和其他瞬变的损害。
表1中。
产品概述
包
恩智浦
PESD3V3U1UA
PESD3V3U1UB
PESD3V3U1UL
SOD323
SOD523
SOD882
JEITA
SC-76
SC-79
-
非常小
超小扁平的铅
无铅超小
包装CON组fi guration
类型编号
1.2产品特点
I
一条线的单向ESD保护
I
ESD保护多达9千伏
I
超低二极管电容：C
d
= 2.6 pF的
I
IEC 61000-4-2 ; 4级（ ESD ）
I
非常低的漏电流：I
RM
= 1 NA
I
AEC- Q101对外贸易资质网络编辑
1.3应用
I
I
I
I
I
USB接口
10/100/1000 Mbit / s以太网
火线
高速数据线
订户身份模块（ SIM）卡
保护
I
I
I
I
I
手机及配件
便携式电子产品
通信系统
计算机及外设
音频和视频设备
1.4快速参考数据
表2中。
快速参考数据
T
AMB
= 25
°
C除非另有规定ED 。
符号
V
RWM
C
d
参数
反向断态电压
二极管电容
F = 1兆赫; V
R
= 0 V
条件
民
-
-
典型值
-
2.6
最大
3.3
3.1
单位
V
pF
恩智浦半导体
PESD3V3U1UA/UB/UL
超低电容单向ESD保护二极管
2.管脚信息
表3中。
针
1
2
钉扎
描述
阴极
阳极
[1]
简化的轮廓
图形符号
PESD3V3U1UA ; PESD3V3U1UB
1
001aab540
2
1
2
006aaa152
PESD3V3U1UL
1
2
阴极
阳极
[1]
1
2
1
2
006aaa152
透明
顶视图
[1]
标记栏显示的阴极。
3.订购信息
表4 。
订购信息
包
名字
PESD3V3U1UA
PESD3V3U1UB
PESD3V3U1UL
SC-76
SC-79
-
描述
塑料表面贴装封装; 2引线
塑料表面贴装封装; 2引线
无铅超小型塑料封装; 2接线端子;
机身1.0
×
0.6
×
0.5 mm
VERSION
SOD323
SOD523
SOD882
类型编号
4.标记
表5 。
标记代码
标识代码
QT
T8
XZ
类型编号
PESD3V3U1UA
PESD3V3U1UB
PESD3V3U1UL
PESD3V3U1UA_UB_UL_1
NXP B.V. 2008保留所有权利。
产品数据表
牧师01 - 二零零八年十月三十○日
2 12
恩智浦半导体
PESD3V3U1UA/UB/UL
超低电容单向ESD保护二极管
5.极限值
表6 。
极限值
按照绝对最大额定值系统（ IEC 60134 ） 。
符号
T
j
T
AMB
T
英镑
参数
结温
环境温度
储存温度
条件
民
-
55
65
最大
150
+150
+150
单位
°C
°C
°C
表7中。
ESD最大额定值
T
AMB
= 25
°
C除非另有规定ED 。
符号
V
ESD
参数
静电放电电压
条件
IEC 61000-4-2
（接触放电）
MIL -STD- 883 （人
人体模型）
[1]
强调设备与十个非重复的ESD脉冲。
[1]
民
-
-
最大
9
10
单位
kV
kV
表8 。
标准
ESD标准符合性
条件
> 8千伏（接触）
＆ GT ; 4千伏
IEC 61000-4-2 ; 4级（ ESD ）
MIL -STD- 883 ;第3类（人体模型）
001aaa631
I
PP
100 %
90 %
10 %
t
r
=
0.7 ns至1纳秒
30纳秒
60纳秒
t
图1 。
根据IEC 61000-4-2 ESD脉冲波形
PESD3V3U1UA_UB_UL_1
NXP B.V. 2008保留所有权利。
产品数据表
牧师01 - 二零零八年十月三十○日
3 12
恩智浦半导体
PESD3V3U1UA/UB/UL
超低电容单向ESD保护二极管
6.特性
表9 。
特征
T
AMB
= 25
°
C除非另有规定ED 。
符号
V
RWM
I
RM
V
BR
C
d
r
DIF
参数
反向断态电压
反向漏电流
击穿电压
二极管电容
微分电阻
V
RWM
= 3 V
I
R
= 5毫安
F = 1兆赫; V
R
= 0 V
I
R
= 5毫安
条件
民
-
-
4.5
-
-
典型值
-
1
5.6
2.6
-
最大
3.3
100
6.8
3.1
100
单位
V
nA
V
pF
I
2.6
C
d
（PF ）
2.5
V
CL
V
BR
V
RWM
2.4
I
RM
I
R
2.3
P -N
006aab356
V
+
2.2
0
1
2
3
4
V
R
(V)
5
I
PP
006aaa407
F = 1兆赫;牛逼
AMB
= 25
°C
图2 。
二极管电容反向的函数
电压;典型值
图3 。
为一个单向V-I特性
ESD保护二极管
PESD3V3U1UA_UB_UL_1
NXP B.V. 2008保留所有权利。
产品数据表
牧师01 - 二零零八年十月三十○日
4 12
恩智浦半导体
PESD3V3U1UA/UB/UL
超低电容单向ESD保护二极管
防静电测试仪
RZ
450
RG 223 / U
50
哄
4 GHz数字
示波器
10×
衰减器
50
CZ
IEC 61000-4-2网
C
Z
= 150 pF的;
Z
= 330
DUT
（设备
下
测试）
垂直比例尺= 2千伏/ DIV
水平比例= 15 ns /格
垂直比例尺= 20 V / DIV
水平比例= 100 ns /格
GND
GND
松开8 kV的ESD脉冲波形
（ IEC 61000-4-2网）
夹紧8千伏静电放电脉冲波形
（ IEC 61000-4-2网）引脚1到2
垂直比例尺= 2千伏/ DIV
水平比例= 15 ns /格
GND
GND
垂直比例尺= 20 V / DIV
水平比例= 100 ns /格
松开
8
kV的ESD脉冲波形
（ IEC 61000-4-2网）
夹
8
kV的ESD脉冲波形
（ IEC 61000-4-2网）引脚1到2
006aab357
图4 。
ESD钳位测试设置和波形
PESD3V3U1UA_UB_UL_1
NXP B.V. 2008保留所有权利。
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牧师01 - 二零零八年十月三十○日
5 12
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    PESD3V3U1UA
    -
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