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PESDxS4UD系列
在SOT457封装四倍的ESD保护二极管阵列
牧师02 - 2009年8月21日
产品数据表
1.产品廓
1.1概述
在SOT457四静电放电（ ESD ）保护二极管阵列（ SC- 74 ）
小型表面贴装器件（ SMD ）塑料封装，旨在保护多达4个信号
线免受ESD和其他瞬变的损害。
1.2产品特点
I
I
I
I
高达4线ESD保护
马克斯。峰值脉冲功率：P
PP
= 200 W
超低漏电流：I
RM
= 50 PA
低钳位电压： V
CL
= 12 V时
I
PP
= 20 A
I
ESD保护高达30千伏
I
IEC 61000-4-2 ; 4级（ ESD ）
I
IEC 61000-4-5 ; （浪涌） ;我
PP
高达20 A
1.3应用
I
计算机及外设
I
音频和视频设备
I
手机及配件
I
通信系统
I
便携式电子产品
I
订户身份模块（ SIM）卡
保护
1.4快速参考数据
表1中。
符号
每二极管
V
RWM
反向断态电压
PESD3V3S4UD
PESD5V0S4UD
PESD12VS4UD
PESD15VS4UD
PESD24VS4UD
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
3.3
5
12
15
24
V
V
V
V
V
快速参考数据
参数
条件
民
典型值
最大
单位
恩智浦半导体
PESDxS4UD系列
在SOT457封装四倍的ESD保护二极管阵列
快速参考数据
- 续
参数
二极管电容
PESD3V3S4UD
PESD5V0S4UD
PESD12VS4UD
PESD15VS4UD
PESD24VS4UD
条件
F = 1兆赫; V
R
= 0 V
-
-
-
-
-
215
165
73
60
45
300
220
100
90
70
pF
pF
pF
pF
pF
民
典型值
最大
单位
表1中。
符号
C
d
2.管脚信息
表2中。
针
1
2
3
4
5
6
钉扎
描述
阴极1
共阳极
阴极2
阴极3
共阳极
阴极4
1
2
3
6
5
4
1
2
3
006aaa156
简化的轮廓
符号
6
5
4
3.订购信息
表3中。
订购信息
包
名字
PESD3V3S4UD
PESD5V0S4UD
PESD12VS4UD
PESD15VS4UD
PESD24VS4UD
SC-74
描述
塑料表面贴装封装（ TSOP6 ） ;
6 LEADS
VERSION
SOT457
类型编号
4.标记
表4 。
标记代码
标识代码
K4
K5
K6
K7
K8
类型编号
PESD3V3S4UD
PESD5V0S4UD
PESD12VS4UD
PESD15VS4UD
PESD24VS4UD
PESDXS4UD_SER_2
NXP B.V. 2009保留所有权利。
产品数据表
牧师02 - 2009年8月21日
2 12
恩智浦半导体
PESDxS4UD系列
在SOT457封装四倍的ESD保护二极管阵列
5.极限值
表5 。
极限值
按照绝对最大额定值系统（ IEC 60134 ） 。
符号
P
PP
I
PP
参数
峰值脉冲功率
峰值脉冲电流
PESD3V3S4UD
PESD5V0S4UD
PESD12VS4UD
PESD15VS4UD
PESD24VS4UD
T
j
T
AMB
T
英镑
[1]
[2]
条件
t
p
= 8/20
s
t
p
= 8/20
s
[1][2]
[1][2]
民
-
-
-
-
-
-
-
65
65
最大
200
20
20
10
6
4
150
+150
+150
单位
W
A
A
A
A
A
°C
°C
°C
结温
环境温度
储存温度
非重复性电流脉冲8/20
s
根据IEC 61000-4-5指数衰减波形。
测定从针1 ，3，4或6至2或5
表6 。
符号
V
ESD
ESD最大额定值
参数
静电放电电压
PESD3V3S4UD
PESD5V0S4UD
PESD12VS4UD
PESD15VS4UD
PESD24VS4UD
PESDxS4UD系列
HBM MIL -STD- 883
条件
IEC 61000-4-2
（接触放电）
[1][2]
民
最大
单位
-
-
-
-
-
-
30
30
30
30
23
10
kV
kV
kV
kV
kV
kV
[1]
[2]
强调设备与十个非重复的ESD脉冲。
测定从针1 ，3，4或6至2或5
表7中。
标准
ESD标准符合性
条件
> 15千伏（空气） ; > 8千伏（接触）
> 10千伏
IEC 61000-4-2 ; 4级（ ESD ）
HBM MIL -STD- 883 ; 3级
PESDXS4UD_SER_2
NXP B.V. 2009保留所有权利。
产品数据表
牧师02 - 2009年8月21日
3 12
恩智浦半导体
PESDxS4UD系列
在SOT457封装四倍的ESD保护二极管阵列
001aaa631
120
I
PP
(%)
80
100 % I
PP
; 8
s
001aaa630
I
PP
100 %
90 %
e
t
50 % I
PP
; 20
s
40
10 %
t
r
=
0.7 ns至1纳秒
0
10
20
30
T（微秒）
40
30纳秒
60纳秒
t
0
图1 。
8/20
s
根据脉冲波形
IEC 61000-4-5
图2 。
根据ESD脉冲波形
IEC 61000-4-2
6.特性
表8 。
特征
T
AMB
= 25
°
C除非另有规定编
符号
每二极管
V
RWM
反向断态电压
PESD3V3S4UD
PESD5V0S4UD
PESD12VS4UD
PESD15VS4UD
PESD24VS4UD
I
RM
反向漏电流
PESD3V3S4UD
PESD5V0S4UD
PESD12VS4UD
PESD15VS4UD
PESD24VS4UD
V
BR
击穿电压
PESD3V3S4UD
PESD5V0S4UD
PESD12VS4UD
PESD15VS4UD
PESD24VS4UD
V
RWM
= 3.3 V
V
RWM
= 5 V
V
RWM
= 12 V
V
RWM
= 15 V
V
RWM
= 24 V
I
R
= 1毫安
5.3
6.4
12.5
15.5
25.5
5.6
6.8
14.5
18
27
5.9
7.2
16
20.5
29
V
V
V
V
V
-
-
-
-
-
300
80
0.05
0.05
0.05
800
200
15
15
15
nA
nA
nA
nA
nA
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
3.3
5
12
15
24
V
V
V
V
V
参数
条件
民
典型值
最大
单位
PESDXS4UD_SER_2
NXP B.V. 2009保留所有权利。
产品数据表
牧师02 - 2009年8月21日
4 12
恩智浦半导体
PESDxS4UD系列
在SOT457封装四倍的ESD保护二极管阵列
表8 。
特征
- 续
T
AMB
= 25
°
C除非另有规定编
符号
C
d
参数
二极管电容
PESD3V3S4UD
PESD5V0S4UD
PESD12VS4UD
PESD15VS4UD
PESD24VS4UD
V
CL
钳位电压
PESD3V3S4UD
PESD5V0S4UD
PESD12VS4UD
PESD15VS4UD
PESD24VS4UD
r
DIF
[1]
[2]
[1][2]
条件
F = 1兆赫; V
R
= 0 V
民
-
-
-
-
-
典型值
215
165
73
60
45
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
最大
300
220
100
90
70
8
12
8
13
17
24
22
33
33
52
25
单位
pF
pF
pF
pF
pF
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
I
PP
= 1 A
I
PP
= 20 A
I
PP
= 1 A
I
PP
= 20 A
I
PP
= 1 A
I
PP
= 10 A
I
PP
= 1 A
I
PP
= 6 A
I
PP
= 1 A
I
PP
= 4 A
I
R
= 5毫安
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
微分电阻
非重复性电流脉冲8/20
s
根据IEC 61000-4-5指数衰减波形。
测定从针1 ，3，4或6至2或5
10
4
P
PP
(W)
10
3
006aaa698
1.2
P
PP
P
PP(25°C)
0.8
001aaa633
10
2
0.4
10
1
1
10
10
2
10
3
t
p
(s)
10
4
0
0
50
100
150
T
j
(°C)
200
T
AMB
= 25
°C
图3 。
峰值脉冲功率的指数函数
脉冲的持续时间;典型值
图4 。
峰值脉冲功率相对变化为
结温度的函数;典型
值
PESDXS4UD_SER_2
NXP B.V. 2009保留所有权利。
产品数据表
牧师02 - 2009年8月21日
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