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位置：首页 > IC型号导航 > 首字符P型号页 > 首字符P的型号第1062页 > PESD3V3S2UAT
分立半导体
数据表
PESDxS2UAT系列
双重ESD保护二极管
在SOT23封装
产品speci fi cation
2004年02月18日
飞利浦半导体
产品speci fi cation
双重ESD保护二极管
在SOT23封装
特点
高达两行单向ESD保护
共阴极配置
马克斯。峰值脉冲功率：P
pp
= 330号T W
p
= 8/20
s
低钳位电压： V
（CL ）R
= 20 V ，在我
pp
= 18 A
超低的反向漏电流：I
RM
< 700 nA的
ESD保护> 30千伏
IEC 61000-4-2 ; 4级（ ESD ）
IEC 61000-4-5 （浪涌） ;我
pp
= 18一在t
p
= 8/20
s.
钉扎
应用
计算机及外设
通信系统
音频和视频设备
数据线
CAN总线保护。
描述
双单向ESD保护二极管共同
在SOT23塑料包装阴极配置。
旨在保护多达两个传输或数据线
对静电放电（ ESD ）而损坏
其他瞬变。
记号
类型编号
PESD3V3S2UAT
PESD5V0S2UAT
PESD12VS2UAT
PESD15VS2UAT
PESD24VS2UAT
记
1. * = P ：香港制造。
* = T：在马来西亚。
* = W ：中国制造。
标识代码
(1)
*7A
*7B
*7C
*7D
*7E
1
PESDxS2UAT系列
快速参考数据
符号
V
RWM
C
d
参数
反向对峙
电压
二极管电容
V
R
= 0 V;
F = 1 MHz的
数
保护线
价值
3.3, 5, 12, 15
和24
单位
V
207 ， 152 ， 38 ， 32 pF的
和23
2
针
1
2
3
阳极1
阳极2
描述
共阴极
3
1
3
2
2
001aaa401
sym002
Fig.1简化外形（ SOT23 ）和符号。
2004年02月18日
2
飞利浦半导体
产品speci fi cation
双重ESD保护二极管
在SOT23封装
订购信息
包
类型编号
名字
PESD3V3S2UAT
PESD5V0S2UAT
PESD12VS2UAT
PESD15VS2UAT
PESD24VS2UAT
极限值
按照绝对最大额定值系统（ IEC 60134 ） 。
符号
P
pp
参数
峰值脉冲功率
PESD3V3S2UAT
PESD5V0S2UAT
PESD12VS2UAT
PESD15VS2UAT
PESD24VS2UAT
I
pp
峰值脉冲电流
PESD3V3S2UAT
PESD5V0S2UAT
PESD12VS2UAT
PESD15VS2UAT
PESD24VS2UAT
T
j
T
AMB
T
英镑
笔记
1.非重复性电流脉冲8/20
s
指数衰减波形;见图2 。
2.测横跨两种引脚1和3引脚2和3 。
结温
工作环境温度
储存温度
8/20
s
脉冲;注1和2
条件
8/20
s
脉冲;注1和2
描述
塑料表面贴装封装; 3引线
PESDxS2UAT系列
VERSION
SOT23
分钟。
65
65
马克斯。
330
260
180
160
160
18
15
5
5
3
150
+150
+150
单位
W
W
W
W
W
A
A
A
A
A
°C
°C
°C
2004年02月18日
3
飞利浦半导体
产品speci fi cation
双重ESD保护二极管
在SOT23封装
ESD最大额定值
符号
ESD
参数
静电放电
条件
PESDxS2UAT系列
价值
单位
IEC 61000-4-2 （接触放电） ;
注1和2
PESD3V3S2UAT
PESD5V0S2UAT
PESD12VS2UAT
PESD15VS2UAT
PESD24VS2UAT
HBM MIL -STD 883
PESDxS2UAT-series
10
kV
30
30
30
30
23
kV
kV
kV
kV
kV
笔记
1.设备强调十个不重复的ESD脉冲;见图3 。
2.测从引脚1 ，2，3 ，4，5或8至针6或7 。
ESD标准符合性
ESD标准
IEC 61000-4-2 ; 4级（ ESD ） ;见图3
HBM MIL -STD 883 ; 3级
＆ GT ; 4千伏
条件
> 15千伏（空气） ; > 8千伏（接触）
001aaa191
手册， halfpage
120
MLE218
I
pp
100 %
90 %
IPP
(%)
100 ％伊普; 8
s
80
e
t
50 ％伊普; 20
s
40
10 %
0
0
10
20
30
T（微秒）
40
t
r
=
0.7到1纳秒
30纳秒
60纳秒
t
Fig.2
8/20
s
根据脉冲波形
IEC 61000-4-5 。
Fig.3
静电放电（ ESD ）脉冲
根据IEC 61000-4-2波形。
2004年02月18日
4
飞利浦半导体
产品speci fi cation
双重ESD保护二极管
在SOT23封装
电气特性
T
j
= 25
°C;
除非另有规定ED 。
符号
V
RWM
参数
相反的立场-O FF电压
PESD3V3S2UAT
PESD5V0S2UAT
PESD12VS2UAT
PESD15VS2UAT
PESD24VS2UAT
I
RM
反向漏电流
PESD3V3S2UAT
PESD5V0S2UAT
PESD12VS2UAT
PESD15VS2UAT
PESD24VS2UAT
V
BR
击穿电压
PESD3V3S2UAT
PESD5V0S2UAT
PESD12VS2UAT
PESD15VS2UAT
PESD24VS2UAT
C
d
二极管电容
PESD3V3S2UAT
PESD5V0S2UAT
PESD12VS2UAT
PESD15VS2UAT
PESD24VS2UAT
V
（CL ）R
钳位电压
PESD3V3S2UAT
PESD5V0S2UAT
PESD12VS2UAT
PESD15VS2UAT
PESD24VS2UAT
注1和2
I
pp
= 1 A
I
pp
= 18 A
I
pp
= 1 A
I
pp
= 15 A
I
pp
= 1 A
I
pp
= 5 A
I
pp
= 1 A
I
pp
= 5 A
I
pp
= 1 A
I
pp
= 3 A
F = 1兆赫; V
R
= 0 V
V
RWM
= 3.3 V
V
RWM
= 5 V
V
RWM
= 12 V
V
RWM
= 15 V
V
RWM
= 24 V
I
Z
= 5毫安
5.2
6.4
14.7
17.6
26.5
条件
PESDxS2UAT系列
分钟。
典型值。
马克斯。
3.3
5
12
15
24
2
1
50
50
50
6.0
7.2
15.3
18.4
27.5
300
200
75
70
50
7
20
9
20
19
35
23
40
36
70
单位
V
V
V
V
V
A
A
nA
nA
nA
V
V
V
V
V
pF
pF
pF
pF
pF
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
0.7
0.1
<1
<1
<1
5.6
6.8
15.0
18.0
27.0
207
152
38
32
23
2004年02月18日
5
分立半导体
数据表
PESDxS2UAT系列
双重ESD保护二极管
在SOT23封装
产品speci fi cation
2004年02月18日
飞利浦半导体
产品speci fi cation
双重ESD保护二极管
在SOT23封装
特点
高达两行单向ESD保护
共阴极配置
马克斯。峰值脉冲功率：P
pp
= 330号T W
p
= 8/20
s
低钳位电压： V
（CL ）R
= 20 V ，在我
pp
= 18 A
超低的反向漏电流：I
RM
< 700 nA的
ESD保护> 30千伏
IEC 61000-4-2 ; 4级（ ESD ）
IEC 61000-4-5 （浪涌） ;我
pp
= 18一在t
p
= 8/20
s.
钉扎
应用
计算机及外设
通信系统
音频和视频设备
数据线
CAN总线保护。
描述
双单向ESD保护二极管共同
在SOT23塑料包装阴极配置。
旨在保护多达两个传输或数据线
对静电放电（ ESD ）而损坏
其他瞬变。
记号
类型编号
PESD3V3S2UAT
PESD5V0S2UAT
PESD12VS2UAT
PESD15VS2UAT
PESD24VS2UAT
记
1. * = P ：香港制造。
* = T：在马来西亚。
* = W ：中国制造。
标识代码
(1)
*7A
*7B
*7C
*7D
*7E
1
PESDxS2UAT系列
快速参考数据
符号
V
RWM
C
d
参数
反向对峙
电压
二极管电容
V
R
= 0 V;
F = 1 MHz的
数
保护线
价值
3.3, 5, 12, 15
和24
单位
V
207 ， 152 ， 38 ， 32 pF的
和23
2
针
1
2
3
阳极1
阳极2
描述
共阴极
3
1
3
2
2
001aaa401
sym002
Fig.1简化外形（ SOT23 ）和符号。
2004年02月18日
2
飞利浦半导体
产品speci fi cation
双重ESD保护二极管
在SOT23封装
订购信息
包
类型编号
名字
PESD3V3S2UAT
PESD5V0S2UAT
PESD12VS2UAT
PESD15VS2UAT
PESD24VS2UAT
极限值
按照绝对最大额定值系统（ IEC 60134 ） 。
符号
P
pp
参数
峰值脉冲功率
PESD3V3S2UAT
PESD5V0S2UAT
PESD12VS2UAT
PESD15VS2UAT
PESD24VS2UAT
I
pp
峰值脉冲电流
PESD3V3S2UAT
PESD5V0S2UAT
PESD12VS2UAT
PESD15VS2UAT
PESD24VS2UAT
T
j
T
AMB
T
英镑
笔记
1.非重复性电流脉冲8/20
s
指数衰减波形;见图2 。
2.测横跨两种引脚1和3引脚2和3 。
结温
工作环境温度
储存温度
8/20
s
脉冲;注1和2
条件
8/20
s
脉冲;注1和2
描述
塑料表面贴装封装; 3引线
PESDxS2UAT系列
VERSION
SOT23
分钟。
65
65
马克斯。
330
260
180
160
160
18
15
5
5
3
150
+150
+150
单位
W
W
W
W
W
A
A
A
A
A
°C
°C
°C
2004年02月18日
3
飞利浦半导体
产品speci fi cation
双重ESD保护二极管
在SOT23封装
ESD最大额定值
符号
ESD
参数
静电放电
条件
PESDxS2UAT系列
价值
单位
IEC 61000-4-2 （接触放电） ;
注1和2
PESD3V3S2UAT
PESD5V0S2UAT
PESD12VS2UAT
PESD15VS2UAT
PESD24VS2UAT
HBM MIL -STD 883
PESDxS2UAT-series
10
kV
30
30
30
30
23
kV
kV
kV
kV
kV
笔记
1.设备强调十个不重复的ESD脉冲;见图3 。
2.测从引脚1 ，2，3 ，4，5或8至针6或7 。
ESD标准符合性
ESD标准
IEC 61000-4-2 ; 4级（ ESD ） ;见图3
HBM MIL -STD 883 ; 3级
＆ GT ; 4千伏
条件
> 15千伏（空气） ; > 8千伏（接触）
001aaa191
手册， halfpage
120
MLE218
I
pp
100 %
90 %
IPP
(%)
100 ％伊普; 8
s
80
e
t
50 ％伊普; 20
s
40
10 %
0
0
10
20
30
T（微秒）
40
t
r
=
0.7到1纳秒
30纳秒
60纳秒
t
Fig.2
8/20
s
根据脉冲波形
IEC 61000-4-5 。
Fig.3
静电放电（ ESD ）脉冲
根据IEC 61000-4-2波形。
2004年02月18日
4
飞利浦半导体
产品speci fi cation
双重ESD保护二极管
在SOT23封装
电气特性
T
j
= 25
°C;
除非另有规定ED 。
符号
V
RWM
参数
相反的立场-O FF电压
PESD3V3S2UAT
PESD5V0S2UAT
PESD12VS2UAT
PESD15VS2UAT
PESD24VS2UAT
I
RM
反向漏电流
PESD3V3S2UAT
PESD5V0S2UAT
PESD12VS2UAT
PESD15VS2UAT
PESD24VS2UAT
V
BR
击穿电压
PESD3V3S2UAT
PESD5V0S2UAT
PESD12VS2UAT
PESD15VS2UAT
PESD24VS2UAT
C
d
二极管电容
PESD3V3S2UAT
PESD5V0S2UAT
PESD12VS2UAT
PESD15VS2UAT
PESD24VS2UAT
V
（CL ）R
钳位电压
PESD3V3S2UAT
PESD5V0S2UAT
PESD12VS2UAT
PESD15VS2UAT
PESD24VS2UAT
注1和2
I
pp
= 1 A
I
pp
= 18 A
I
pp
= 1 A
I
pp
= 15 A
I
pp
= 1 A
I
pp
= 5 A
I
pp
= 1 A
I
pp
= 5 A
I
pp
= 1 A
I
pp
= 3 A
F = 1兆赫; V
R
= 0 V
V
RWM
= 3.3 V
V
RWM
= 5 V
V
RWM
= 12 V
V
RWM
= 15 V
V
RWM
= 24 V
I
Z
= 5毫安
5.2
6.4
14.7
17.6
26.5
条件
PESDxS2UAT系列
分钟。
典型值。
马克斯。
3.3
5
12
15
24
2
1
50
50
50
6.0
7.2
15.3
18.4
27.5
300
200
75
70
50
7
20
9
20
19
35
23
40
36
70
单位
V
V
V
V
V
A
A
nA
nA
nA
V
V
V
V
V
pF
pF
pF
pF
pF
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
0.7
0.1
<1
<1
<1
5.6
6.8
15.0
18.0
27.0
207
152
38
32
23
2004年02月18日
5
分立半导体
数据表
PESDxS2UAT系列
双重ESD保护二极管
在SOT23封装
产品数据表
2004年02月18日
恩智浦半导体
产品数据表
双重ESD保护二极管
在SOT23封装
特点
高达两行单向ESD保护
共阴极配置
马克斯。峰值脉冲功率：P
pp
= 330号T W
p
= 8/20
s
低钳位电压： V
（CL ）R
= 20 V ，在我
pp
= 18 A
超低的反向漏电流：I
RM
< 700 nA的
ESD保护> 30千伏
IEC 61000-4-2 ; 4级（ ESD ）
IEC 61000-4-5 （浪涌） ;我
pp
= 18一在t
p
= 8/20
s.
钉扎
应用
计算机及外设
通信系统
音频和视频设备
数据线
CAN总线保护。
描述
双单向ESD保护二极管共同
在SOT23塑料包装阴极配置。
旨在保护多达两个传输或数据线
对静电放电（ ESD ）而损坏
其他瞬变。
记号
类型编号
PESD3V3S2UAT
PESD5V0S2UAT
PESD12VS2UAT
PESD15VS2UAT
PESD24VS2UAT
记
1. * = P ：香港制造。
* = T：在马来西亚。
* = W ：中国制造。
标识代码
(1)
*7A
*7B
*7C
*7D
*7E
1
PESDxS2UAT系列
快速参考数据
符号
V
RWM
C
d
参数
反向对峙
电压
二极管电容
V
R
= 0 V;
F = 1 MHz的
数
保护线
价值
3.3, 5, 12, 15
和24
单位
V
207 ， 152 ， 38 ， 32 pF的
和23
2
针
1
2
3
阳极1
阳极2
描述
共阴极
3
1
3
2
2
001aaa401
sym002
Fig.1简化外形（ SOT23 ）和符号。
2004年02月18日
2
恩智浦半导体
产品数据表
双重ESD保护二极管
在SOT23封装
订购信息
包
类型编号
名字
PESD3V3S2UAT
PESD5V0S2UAT
PESD12VS2UAT
PESD15VS2UAT
PESD24VS2UAT
极限值
按照绝对最大额定值系统（ IEC 60134 ） 。
符号
P
pp
参数
峰值脉冲功率
PESD3V3S2UAT
PESD5V0S2UAT
PESD12VS2UAT
PESD15VS2UAT
PESD24VS2UAT
I
pp
峰值脉冲电流
PESD3V3S2UAT
PESD5V0S2UAT
PESD12VS2UAT
PESD15VS2UAT
PESD24VS2UAT
T
j
T
AMB
T
英镑
笔记
1.非重复性电流脉冲8 / 20μ
s
指数衰减波形;见图2 。
2.测横跨两种引脚1和3引脚2和3 。
结温
工作环境温度
储存温度
8/20
s
脉冲;注1和2
条件
8/20
s
脉冲;注1和2
描述
塑料表面贴装封装; 3引线
PESDxS2UAT系列
VERSION
SOT23
分钟。
65
65
马克斯。
330
260
180
160
160
18
15
5
5
3
150
+150
+150
单位
W
W
W
W
W
A
A
A
A
A
°C
°C
°C
2004年02月18日
3
恩智浦半导体
产品数据表
双重ESD保护二极管
在SOT23封装
ESD最大额定值
符号
ESD
参数
静电放电
条件
PESDxS2UAT系列
价值
单位
IEC 61000-4-2 （接触放电） ;
注1和2
PESD3V3S2UAT
PESD5V0S2UAT
PESD12VS2UAT
PESD15VS2UAT
PESD24VS2UAT
HBM MIL -STD 883
PESDxS2UAT-series
10
kV
30
30
30
30
23
kV
kV
kV
kV
kV
笔记
1.设备强调十个不重复的ESD脉冲;见图3 。
2.测从引脚1 ，2，3 ，4，5或8至针6或7 。
ESD标准符合性
ESD标准
IEC 61000-4-2 ; 4级（ ESD ） ;见图3
HBM MIL -STD 883 ; 3级
＆ GT ; 4千伏
条件
> 15千伏（空气） ; > 8千伏（接触）
001aaa191
手册， halfpage
120
MLE218
I
pp
100 %
90 %
IPP
(%)
100 ％伊普; 8
s
80
e
t
50 ％伊普; 20
s
40
10 %
0
0
10
20
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T（微秒）
40
t
r
=
0.7到1纳秒
30纳秒
60纳秒
t
Fig.2
8/20
s
根据脉冲波形
IEC 61000-4-5 。
Fig.3
静电放电（ ESD ）脉冲
根据IEC 61000-4-2波形。
2004年02月18日
4
恩智浦半导体
产品数据表
双重ESD保护二极管
在SOT23封装
电气特性
T
j
= 25
°C;
除非另有规定ED 。
符号
V
RWM
参数
相反的立场-O FF电压
PESD3V3S2UAT
PESD5V0S2UAT
PESD12VS2UAT
PESD15VS2UAT
PESD24VS2UAT
I
RM
反向漏电流
PESD3V3S2UAT
PESD5V0S2UAT
PESD12VS2UAT
PESD15VS2UAT
PESD24VS2UAT
V
BR
击穿电压
PESD3V3S2UAT
PESD5V0S2UAT
PESD12VS2UAT
PESD15VS2UAT
PESD24VS2UAT
C
d
二极管电容
PESD3V3S2UAT
PESD5V0S2UAT
PESD12VS2UAT
PESD15VS2UAT
PESD24VS2UAT
V
（CL ）R
钳位电压
PESD3V3S2UAT
PESD5V0S2UAT
PESD12VS2UAT
PESD15VS2UAT
PESD24VS2UAT
注1和2
I
pp
= 1 A
I
pp
= 18 A
I
pp
= 1 A
I
pp
= 15 A
I
pp
= 1 A
I
pp
= 5 A
I
pp
= 1 A
I
pp
= 5 A
I
pp
= 1 A
I
pp
= 3 A
F = 1兆赫; V
R
= 0 V
V
RWM
= 3.3 V
V
RWM
= 5 V
V
RWM
= 12 V
V
RWM
= 15 V
V
RWM
= 24 V
I
Z
= 5毫安
5.2
6.4
14.7
17.6
26.5
条件
PESDxS2UAT系列
分钟。
典型值。
马克斯。
3.3
5
12
15
24
2
1
50
50
50
6.0
7.2
15.3
18.4
27.5
300
200
75
70
50
7
20
9
20
19
35
23
40
36
70
单位
V
V
V
V
V
A
A
nA
nA
nA
V
V
V
V
V
pF
pF
pF
pF
pF
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
0.7
0.1
<1
<1
<1
5.6
6.8
15.0
18.0
27.0
207
152
38
32
23
2004年02月18日
5
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